在做一个仿真的时候，发现一些奇怪现象，于是就单独把MOS管拿出来放一边仿真看看。1.左边2N7002mos管源极如果接100欧电阻，发现电阻上还会有2.16V的电压(如图1)。2.如果改为1000欧
2019-03-15 13:51:28
MOS管的Rds会随着温度升高而阻值变大，从而影响检测电流那么如何利用温度来补偿Rds电阻的 温升呢？？？有没有大神，做过类似的方案，指点下小弟啊 ！！！
2016-09-26 13:16:43
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因
2017-06-01 15:59:30
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因
2016-07-21 10:55:02
的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010
2012-08-15 21:08:49
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
一、MOS管并联理论：(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。MOS管的这一特性适合并联电路中
2021-10-29 07:04:37
一直在导通？但是：当CTL信号没有的时候，VB1一直有电压，大概比VB小0.5V.奇怪的是在VB和三极管c极之间的，100k和15k电阻间的那个点也一直有一个比VB小0.5-0.6v的电压。请问高手这个
2018-11-30 10:36:38
，漏极和源极间的阻抗只有83毫欧，可以认为压降已经很小了。P沟道MOS管开关电路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G
2019-01-28 15:44:35
MOS管的半导体结构MOS管的工作机制MOS管的驱动应用
2021-03-08 06:06:47
由于MOS管栅极寄生电容以及寄生电感的存在使得MOS管驱动时栅极很容易发生谐振，常采用的办法是在栅极串接一个小电阻，我想问为什么电阻可以抑制振荡？请众位大神解释原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要
2020-07-10 14:54:36
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿
2018-11-20 14:06:31
～3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿电压BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
。 1.MOS管的基础知识 MOS管分为N沟道MOS管和P沟道MOS管（N沟道应用更加广泛）。 MOS管的三个极分别为：栅极G、漏极D、源极S。 N沟道MOS管和P沟道MOS管电路符号 N-MOS
2021-01-20 16:20:24
现在用全桥输出拓扑较多经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻同时和MOS并联的还有一个RCD（电阻+二极管+电容）电路现在知道这个RCD电路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
DS间加电容，测试两种差不多的MOS管，发现MOS里面芯片大的反而冲击电流小，这是为什么，两种级别差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而冲击电流小？，这是什么原因，耐冲击电流与MOS管的DIE大小有关系吗
2018-01-19 09:54:42
` 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为
2019-02-14 11:35:54
型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动
2021-01-11 20:12:24
；4、 MOS管最大允许工作温度–这要满足系统指定的可靠性目标。二、MOS管主要参数及使用在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等...
2021-11-16 09:06:09
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 编辑
四个MOS管这么排列，Q3Q4是打开，Q1Q2是关闭， 电源是12V为啥AB两点的电压也有11多V，MOS是如何导通的呢，体二极管也是对立的。
2018-05-31 19:41:07
在设计开关电源或者逆变器时，我们经常需要用到MOS管，可是有些朋友对于如何选取MOS管的驱动电阻不太熟悉，今天本人就分享一份来自网络资源的资料，希望对大家有所帮助。
2018-07-11 22:37:16
MOS管驱动电压最大是多少？过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为：du超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会
2021-11-12 08:18:19
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2011-11-07 15:56:56
问题是，1.当MOS管之间并联使用时，均流电阻如何取值？2.三极管之间并联使用时，均流电阻又如何取值？3.GS间的放电电阻是否应该和G-S-均流电阻之间并联？
2021-01-05 18:19:30
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-03 07:00:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 08:00:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 07:30:00
`1、为什么mos管仿真导通了电阻还这么大啊、、2、proteus能做buck电路的仿真吗？ 、、、proteus 有模拟开关吗、`
2013-05-04 16:50:41
新作了一个可以调整led电流的mos管压控恒流源电路大神们帮看看，是否可行？mos管VDS在1V以上就进入恒流区了。那么VCC是12V，应该可以有11V用在驱动所有的LED灯工作。mos管个人认为还是作为可变电阻来对待，运放的输出端有点疑惑，不确定输出的值具体是多少？高低电平还是什么具体的电压值呢
2015-04-22 11:27:37
以图中电路为例，当我给栅极与源极之间一个恒压源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一个交流源，波形为右边那个图。①那么当Uac过零时，mos管D->S间沟道会关断吗？②当Uac为负半轴时，mos管的导通情况是怎么样的呢？是先导通反并联二极管，再导通S->D间沟道吗？
2019-12-26 17:04:09
进去。 ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。 我们可看做是我们的各个管脚之间都是
2021-01-11 15:23:51
老规矩先放结论：与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如：驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻，栅极电阻降低了充电功率，延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度；结电容放电时经
2021-11-16 08:27:47
米勒振荡。防止mos管烧毁。过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般
2019-07-26 07:00:00
向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对MOS管起到偏置作用，使之进入饱和区。（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。来源：网络，如侵删
2019-01-08 13:28:49
我们知道，mos管是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，mos管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，不需要栅极电流。所以本质上，MOS管栅极上无需串联任何电阻。 对于普通的双
2023-03-10 15:06:47
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶体三极管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
二极管的管压降0.5v左右，同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS管是N型还是P型?2. MOS管驱动电路分析下面是常见的MOS管驱动电路（1）二极管D1的作用是什么？二极管D1在驱动信号是低电平时起到快速关断的作用。一般在H桥驱动电路中需要加此二极管起到“慢开快关
2021-12-31 06:20:08
，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。 （8）结型MOS管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型MOS管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各
2020-06-28 16:41:02
您好！
我请教一个关于LT8705死区时间的问题：客户在使用LT8705过程中想确认上下功率MOS管的死区时间最小是多少？目前客户测试结果只有30ns左右。而根据MOS的上升沿和下降沿从20ns到40ns不等，有直通的风险，请问LT8705是怎么调节死区时间防止直通的？谢谢！！
2024-01-03 06:23:18
最近在学习MOS管防反接电路中，有几个问题比较困惑，特来请教各位前辈。1.为什么有时用两个电阻加上一个稳压管来分压，保护GS间不被击穿，但有时候又只用一个稳压管加电阻，，是为了减小流过稳压管的电流
2020-08-03 13:51:58
、BulkFinFET和SOIFinFET。 1、铝栅MOS管 MOS管诞生之初，栅极材料采用金属导体材料铝，因为铝具有非常低的电阻，它不会与氧化物发生反应，并且它的稳定性非常好。栅介质材料采用
2018-11-06 13:41:30
我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？ 如上图开关电源，G串联电阻R13这个电阻的作用有2个作用：限制G极电流，抑制振荡。限制G极电流MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MO...
2021-11-12 08:20:11
都怕静电； Mos开关原理（简要）：Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
电路疑问，加上10Ω电阻之后，变压器、MOS管发热腻害，有前辈知道原因吗？
2020-08-26 08:08:29
两个mos管，第一个MOS管栅极接单片机io口，通过io口控制通断继而控制第二个mos管通断，开关频率要求不高，对开关时间和导通电阻有要求，开关时间和导通电阻都要尽可能小，有没有推荐的电路图和MOS管，图片是我画的简单示意图
2018-10-16 22:40:53
。在实际状况下，MOS管并不是抱负的器材，由于在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器材的RDS（ON）所确认，并随温度而明显改变。器材的功率耗费可由
2021-03-15 16:28:22
两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd=Rgs=Rds=无穷大，Rsd=几千欧。IGBT管的G极到c、e极的电阻应为无穷大，即Rgc=Rge
2019-05-02 22:43:32
一般我们设计这个MOS管的驱动电路的时候，这个MOS管的gs端有一个寄生结电容，通常在设计电路时让这个gs端开通后，当关闭时还需要把这个Gs端的电容的电放电，那么使用一个电阻，我们现在有个问题：假如
2019-08-22 00:32:40
想测试两个MOS管的漏极电流，可在测试中发现Q1这了MOS管DS经常击穿，请问这个什么原因造成的？
2021-08-27 16:00:00
开关电源如何去除mos管开通时采样电阻上的纹波？
2023-05-09 14:53:06
`<p> 挖掘mos管被击穿的原因及解决方案 一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上
2018-11-05 14:26:45
MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻．当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数千欧时，则这两个管脚为漏极D和源极s（对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，且并不影响电路的正常工作，所以不用加以
2018-10-23 15:10:53
揭秘mos管和mos管驱动电路之间的联系 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许
2018-12-03 14:43:36
`这是在常温36.5℃下测试的照片，6个mos管没加散热的情况下温度在50℃与78摄氏度这两个温度间徘徊.请问这正常吗`
2018-09-07 18:59:31
我想请问一下有没有人见过成品的芯片里面用L很长的二极管连接方式的MOS管做大电阻(几百K欧，目前我这里能用来做电阻的材料电阻率都很小)？如果没有这样做的，能告诉我下为什么吗？因为用MOS管代替电阻能省下芯片不少的面积和成本，为什么不用这种方法？
2021-06-24 07:58:56
，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下 上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立
2018-11-28 12:08:27
一.基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS管。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源
2018-10-26 14:32:12
的MOS管运行时，由于在Flyback时功率MOS管的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。 四、由寄生振荡导致的破坏此破坏方式在并联时尤其容易发生 在并联功率MOS管时未插入栅极电阻而直接
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受过高的di／dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻，电阻的大小一般选取几十欧姆。 2)防止栅源极间过电压，由于栅极与源
2018-12-10 14:59:16
击穿有两种方式： 一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有
2019-02-15 11:33:25
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
外界或驱动电路损坏超过允许最高电压（栅极电压一般需低于20v安全）以及静电损坏。 4、MOS管的开关原理（简要） MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和漏级D间导电
2019-02-28 10:53:29
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
下面两张原理图是不同地方找到的，有两个疑问，特来请教各位。1.其中两张图中都是用了MOS管防反。但是MOS管的接法却是相反的。有点想不明白，这样能起到防反作用吗（还要考虑到MOS体二极管）？2.图2中DCDC输入端并联了一个1M的电阻，请问什么作用？
2019-02-18 14:32:10
跨接直流电源MOS管GS之间的电阻的实际作用在于直流电源MOS管GS的驱动电路。这种阻力可能存在也可能不存在。常用值是5k和10k，但是这个电阻的目的是什么?直流电源MOS管GS之间的电阻有
2021-11-17 07:28:53
详解MOS管驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀
2017-08-15 21:05:01
转贴在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为
2017-12-05 09:32:00
Rg具体会影响到那些参数？我个人的理解是①这个电阻对MOS管的开关频率有关，决定了对mos管的输入输出电容的充放电时间②匹配集成驱动的驱动能力，电阻越到，集成驱动所需的最大驱动电流也就越小。大家有什么看法，请教一下
2017-06-05 11:28:22
请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下，不同频率点的导通电阻吗？我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的导通电阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，结果查看ZM的实部，但是出来的结果如下所示：结果都很小并且打开和关断阻抗大小是相反的，请问有人知道这个是出了什么问题吗
2021-06-25 07:59:24
MOS管栅极接的100K电阻起什么作用，这个电阻取值是的依据是什么。
2018-10-24 15:51:49
请问一下为什么mos管的输入电阻都很高呢？
2023-04-12 11:21:13
网上基本都是说，当MOS关断时，漏感会产生尖峰电压。那我想问下，当MOS管开通时，这个漏感就不会对MOS管产生影响吗？
2018-12-20 14:12:20
看了别人做的产品种的485电路如下，谁能帮忙解释下这个485电路输出端AB间加三极管的作用？谢谢
2019-06-25 06:35:20
ncp81074a这个mos管的驱动看不太懂，为啥珊级要加两个电阻，OUTL和OUTH不是是驱动两个mos管吗？只用一个电阻不行吗？
2020-08-10 10:34:51
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种
2022-05-14 10:22:39
功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻有什么用呢？
2019-06-28 08:29:07
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