二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁带宽度更大,这使碳化硅器件拥有更低的漏电
2022-11-12 10:01:261315 极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
0.5Ω,内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比,SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术:1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC转换电源电路比较6 充电桩电源电路
2022-06-20 16:31:07
器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料
2019-01-11 13:42:03
了。 固有优势加上最新进展 碳化硅的固有优势有很多,如高临界击穿电压、高温操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近,UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代SiC-FET器件已经
2023-02-27 14:28:47
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
充电器、电机和太阳能逆变器,不仅可以从这些新器件中受益匪浅,不仅在效率上,而且在尺寸上,可实现高功率、高温操作。但是,不仅器件的特性让人对新设计充满好奇,也是意法半导体的战略。碳化硅(SiC)技术是意
2023-02-24 15:03:59
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造,外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下,碳化硅的机械强度都很高。25℃下,SiC的弹性模量,拉伸强度为1.75公斤/平方厘米,抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
已经成为全球最大的半导体消费国,半导体消费量占全球消费量的比重超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
` 本帖最后由 讯飞开放平台 于 2018-6-25 11:35 编辑
全球最大的在线少儿英语品牌VIPKID今日确认完成5亿美金的D+轮融资、寒武纪也宣布完成数亿美元的B轮融资、这周投资界到底
2018-06-25 11:32:52
` 本帖最后由 讯飞开放平台 于 2018-8-1 09:47 编辑
国 内1、「医联」完成10亿元D轮融资,跻身互联网医疗独角兽之列医疗解决方案提供商医联(Medlinker) 今日宣布获得
2018-08-01 09:34:25
本帖最后由 讯飞开放平台 于 2018-8-27 09:05 编辑
国 内1、开思汽配完成B3轮融资,B轮累计融资达6.5亿汽配交易平台开思宣布已完成超过2.5亿元的B3轮融资,此轮融资由沣源
2018-08-27 09:04:04
15、外卖代运营商食亨获亿元A轮融资16、速瑞医疗完成Pre-A轮融资,3D内窥镜成像领域构建技术壁垒17、远孚物流集团完成数亿元B轮融资,高榕资本领投18、东旭蓝天:投资入股能源区块链技术服务商融链
2018-07-03 09:24:35
地图HDMAP,安全测试以及位置云平台结合, 为自动驾驶提供一双基于 AI 与地图大数据的“眼睛”。3、国家队入场,全域医疗获7亿元B轮融资全域医疗技术有限公司完成7亿元人民币B轮融资,由中
2018-07-25 10:01:36
,此次IPO融资239.7亿港元。周日雷军表示,最近资本市场跌宕起伏,小米能够成功上市就意味着巨大的成功。2、手握“乾芯”系列虹膜生物识别智能芯片,「虹识技术」完成1.2亿元A+轮融资总部位于武汉的虹识
2018-07-10 09:28:50
的食材配送商。3、半导体激光芯片商长光华芯顺利完成1.5亿元B轮融资长光华芯顺利完成1.5亿元B轮融资,本轮融资的投资方为:国投创业、中科院创投、苏州橙芯创投。长光华芯主要从事开发,生产和销售高功率
2018-08-06 09:05:04
资本,中通快递,冯仑跟投。去年 11 月,团队获得了金沙江创投的天使轮融资。高沣资本全程担任独家 FA。据了解,两轮融资金额共 1 亿元人民币。5、三代测序应用公司“希望组”完成近亿元B轮融资,远毅资本
2018-07-04 08:52:16
资产独家战略入股,同时格致资产也跃居为游侠汽车第二大股东。游侠汽车已陆续完成A轮、B轮以及B+轮共三轮融资,累计融资规模超过12.5亿美金,整体估值达到33.5亿美金,目前处于新造车企领先地位。2
2018-08-23 09:11:27
成本、实现合同管理电子化。3、“爱学堂”完成B+轮2.3亿元融资,将进一步布局智慧教育生态慕华成志旗下爱学堂宣布于今年7月末完成B+轮共计2.3亿元融资,投资方为慕华金誉、金信、华宏资产。本轮融资将用
2018-09-04 09:43:50
国内1、爱钱帮完成B+轮融资 原百度副总裁陆复斌投资3亿元并出任董事长互联网金融平台“爱钱帮”于日前完成3亿元B+轮融资,由信义资本创始人,原百度副总裁陆复斌投资。同时,陆复斌出任爱钱帮董事长一职
2018-07-04 09:07:44
资源,总金额超过1.05亿元。同时双方将在供应链管理、仓储服务、线上业务、市场拓展等多方面展开深入合作。4、鸭嘴兽获A轮融资3000万元,由安持资本领投2018年8月底,鸭嘴兽完成A轮融资3000万元
2018-09-05 09:19:19
)------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题:罗姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播时间:2018
2018-07-27 17:20:31
,利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件,可以降低驱动器损耗,提高开关频率,降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET,验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括:新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域,在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
,在这些环境中,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天,SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来,预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
,获得华大半导体有限公司投资,创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块,并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中,可实现相比硅元器件更高的工作温度,实现双倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
技术需求的双重作用,导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙(WBG)技术器件应运而生,如碳化硅场效应管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02
。 近几年,国内的碳化硅市场增速非常快,越来越多的企业开始使用碳化硅器件来替代传统硅器件方案,上海瞻芯就是其中之一。上海瞻芯是一家由海归博士领衔的碳化硅高科技芯片初创公司,致力于开发以碳化硅器件为核心
2020-07-07 11:42:42
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
近日,华秋完成近亿元B+轮融资!为分享这份喜悦之情,华秋电路决定,6月份开展免费打样活动,籍此让更多用户体验高可靠打板服务!活动对象2020.1.1-2020.6.30 期间 注册且未下过首单的用户
2020-06-11 14:55:01
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
近日完成数亿元C轮及C+融资,具体细节将择期正式对外公布。不过,从接近AB轮融资方的信源透露,C轮投资方由“深创投”独家进行战略性股权投资,C+轮引入了美元基金,领投方投资额高达5000万美金。该轮投资
2018-08-20 08:58:31
、Bus365宣布完成数亿人民币B轮融资,投中资本担任独家财务顾问国内最大的城际公路出行综合服务运营平台——北京盛威时代科技有限公司 ( Bus365)宣布于近日完成数亿人民币规模的B轮融资,领投方为软银
2018-08-14 08:46:30
将用于云屏企业数据安全综合防护平台产品的研发和市场营销。了解更多4、美豪酒店集团获亿元投资,同程旅游领投、陕西文投跟投。5、二手书交易平台「阅邻」完成数千万人民币A 轮融资,已扩充品类至 3C 产品。6
2018-08-15 08:38:18
SiCMOSFET大规模被应用在新能源汽车上。
芯塔电子,一直以科技创新为动力,推动碳化硅(SiC)功率器件的研发与应用,是国内少数几家获得车规级认证的碳化硅功率器件厂商之一。
华秋旗下媒体社区平台
2024-01-19 14:55:55
SiCMOSFET大规模被应用在新能源汽车上。
芯塔电子,一直以科技创新为动力,推动碳化硅(SiC)功率器件的研发与应用,是国内少数几家获得车规级认证的碳化硅功率器件厂商之一。
华秋旗下媒体社区平台
2024-01-19 14:53:16
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下
2023-02-27 16:03:36
2020年11月,直驱型精准动力方案专家本末科技完成Pre-A轮数千万级别融资,企业估值达数亿元。本末科技曾入围“香港科大商学院-安讯科技”2019【人工智能】百万奖金国际创业大赛21强,...
2021-08-30 08:04:28
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件,其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者:大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅半导体器件供应商致瞻科技有限公司获得Pre-A轮融资。11月20日,毅达资本在官方微信宣布,已完成对致瞻科技的投资。依托核心团队10余年的碳化硅功率半导体设计和驱动系统研发经验
2020-11-30 10:33:272199 国内领先的碳化硅(SiC)功率器件厂商深圳市森国科科技股份有限公司(以下简称“森国科”)宣布完成C轮亿元级融资。
2021-12-17 10:15:122162 灵明光子完成数亿元C轮融资。
2022-04-11 10:51:111521 Agarwal 的播客中,我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章: 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 近日,瑶芯微电子科技(上海)有限公司(以下简称“瑶芯微”)完成数亿元C轮融资。本轮融资由盛石资本、同创伟业联合领投,参与资本方包括基石资本、美的投资等,老股东中科创星、朗玛峰创投及张江集团旗下基金
2022-11-03 14:35:12645 上海瞻芯电子科技有限公司(以下简称“瞻芯电子”)宣布完成数亿元Pre-B轮融资,本轮融资由上汽集团战略直投基金、尚颀资本(上汽集团旗下私募股权投资平台)在管基金联合领投,星航资本持续加注,同时获得
2022-12-21 09:22:54609 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:441230 派恩杰在这一年取得了优秀的成绩!近日,碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体(杭州)有限公司(下称“派恩杰半导体”)在1月19日正式完成数亿元A轮融资,不仅如此,在壬寅年,仅车规级功率MOS芯片
2023-01-22 13:53:447910 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:254 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装,常见的有有TO-263和TO-252封装,随着近些年电源对于功率密度要求不断提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET,特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中,碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:564079 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 7.1.2单极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.1.1阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长
2022-02-07 15:01:28396 6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-25 09:18:08743 热烈祝贺半导体测试设备领军企业加速科技完成数亿元B+轮战略融资!
2021-09-29 18:17:02754 6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.2n型SiC的欧姆接触
2022-01-26 10:08:16636 5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621 碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。
2023-08-03 14:34:59347 碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料,已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力,封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:451806 致瞻科技成立于2019年,是一家聚焦于碳化硅功率模块和先进电驱系统的高科技公司。为满足自身的快速发展,致瞻科技于2021年落户临港浦江高科技园区,建设了超5000㎡先进碳化硅器件及电能变换实验室。
2023-09-13 16:29:31605 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 碳化硅(SiC)MOS管作为一种新型功率器件,与传统的硅基功率器件相比,在某些特定条件下具有独特的优势,但也存在一定的不足。KeepTops告诉你碳化硅MOS管的优点和缺点。
2023-09-26 16:59:07475 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。
2023-09-27 10:08:55300 碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半导体,用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46241 随着科技的快速发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20360 ,但其未来应用前景广阔,具有很高的实用性。 首先,碳化硅功率器件的材料特性使其成为目前电力电子技术中的热门研究方向之一。相较于硅基功率器件,碳化硅具有更高的能带宽度和较大的热导率,这意味着在高温或高电压应用中具有
2023-12-21 11:27:09286 近日,清纯半导体宣布完成数亿元Pre-B轮融资,这是清纯半导体继今年4月份完成数亿元A+轮融资以来的又一融资进展。
2024-01-02 10:22:00180 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 传统的硅基功率器件在应对这一挑战时,其性能已经接近极限。碳化硅(SiC)功率器件的出现,为电力电子行业带来了革新性的改变,成为了解决这一问题的关键所在。
2024-01-06 11:06:57130 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379
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