NMOS和PMOS管的实例测试

原理介绍、选型，我就不多说了，参考上一编我发的文章，本实例重点看一下防反接电路，我通过软件进行模拟，加入电压表，电流进行测试，直观的显示结果，也不用我回复了。

NMOS管实例测试

图1 正向电压工作状态

上图1所示： JP1,JP2接通，JP3,JP4断开，正向24V，此时电路正常工作，流过假负载的电流是9.24A,24V,Q1的VGS电压设定在10V,可以正常导通，但这个时候Q1的S-D的电压为0.88V,P=UI= 9.24A * 0.88 =8.1312W,所在大电流工作时发热会很大，U/I = R 0.88/9.24 = 95(毫欧)，但实际使用最好不要那么大进行使用，我这里只是测试一下，然后我们在看一下Q1器件的IRF520N的手册。

图2

上图2为IRF520N,标示的，RDS导通电阻，200(毫欧)，我这个测试比他标示的还小95(毫欧)，电流9.24A，说明比较接近。

图3 VGS 极限电压10V,9.7A

上图3极限电压10V,9.7A，实际不可工作在极限值，这样很快器件就坏了。

图4 反向电压工作状态

上图4所示： JP1,JP2断开，JP3,JP4接通，反向24V，此时电路不工作，流过假负载的电流是0,Q1的VGS电压0V,Q1不导通,反向电压直接加在 VDS 24V,(注意，VDSS不能超过100V，看上图2有说明)有效的保护了后级负载。

下一步我要做个VGS最小开启电压测试，我分别设定2V,4V,12.4V测试。

图5 开启电压

图6 饱和导通12.4V工作状态

上图6 VGS为12.4V接通JP5,此状态饱和导通的，电流9A,假负载，R5为2.5R，没有问题。

图7饱和导通12.4V工作状态

上图7 VGS为12.4V接通JP5,此状态饱和导通的，电流0.24A,假负载R5改为100R，没有问题，但是注意到没有VDS压降变小了，说明什么?负载越轻，Q2导通电阻更小，发热就更小，负载越重，Q2导通电阻更大，发热就更大。

图8 4V开启电压工作状态

上图8 VGS为4.01V，接通JP7,此状也是正常导通的，电流0.24A,假负载R5为100R，说明验证了手册上的最大开启电压没有问题。

图9 2V开启电压工作状态

上图9 VGS为2.16V接通JP6,此时Q2就不导通了，电流0A,假负载R5为100R，说明验证了手册上的最低开启电压，我这里没有试成功，另外也说明了一个问题，就是开启电压要4V,重点说明下,如果此时用3.3V的单片机是不能直接驱动的，要加三极管进行驱动。

PMOS管实例测试,反应最多的就是这个电路说画反了，下面我的做个仿真测试。

图10正向电压工作状态

上图10 VGS为-21.8V(VSG为21.8V),接通JP8,JP9,此状态Q3正向导通，电流0.24A,假负载R14为100R，正常工作，VDS压降为0V完全导通状态。

图11工作状态

上图11 VGS为-21.7V(VSG为21.7V),接通JP8,JP9 上正下负电压24V,此状态Q3正向导通，电流9.56A,假负载改为2.5R，正常工作，VDS压降为0.09V也是完全导通状态。

图12反接工作状态

上图12 VGS为0V, JP8,JP9断开, 接通JP10,JP11, 上负下正电压24V,此状态Q3反向不导通，电流0A,有效的保护有后级电路。

下面我们再来看一下IRF4435的参数，如下图所示：

图13 IRF4435

上图13所示，VGS为-10V，和-4.5V，我的上图(10 、11)我画的VGS为-21.7V，说明有点高了，下图所示为极限电压正负20V，所以设计电路时要注意，另外工作电压VDS也不能超过-30V。

另外说明一下，上面的所有电路只是作为测试，没加任何的防护电路，只做开关特性及电流电压测试作为演示，电阻值也是非标准值(有些可能买不到的阻值参数)正常设计还是要参考电阻E96的标准阻值来选择。