电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>东芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

东芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

SemiSouth发布耐压为650V和1700V的SiC制JFET

美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:012494

瑞萨第7代650V及1250V IGBT产品

瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650

650V IGBT4模块的性能参数介绍

与600V IGBT3一样,新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念(如图1 所示),但与600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大约15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:007600

东芝分立IGBT大幅提高空调和工业设备的效率

GT30J65MRB用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT。 功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率
2023-03-16 14:50:59771

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:321787

东芝推出面向电压谐振电路1350V分立IGBT,有助于降低设备功耗

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出GT20N135SRA”,这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。
2019-12-23 16:34:261433

英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率

新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。
2021-08-06 15:40:471728

仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943

东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

中国上海, 2023 年 3 月 9 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT---
2023-03-13 09:56:12662

英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644

650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49

650V N-Channel MOSFET

Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02

650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型

逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。    关断波形图(650V/10A产品)  650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型  
2020-09-24 16:22:14

650V系列IGBT在家用焊机电源应用

0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59

东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

中国上海,2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路的650V分立IGBT---GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58

AOK30B65M2

IGBT 650V 30A TO247
2023-03-29 15:19:11

NCE65T900F新洁能5A650V外置OB2269CCPA大功率驱动电源

无锡新洁能股份有限公司产品表QQ289 271 5427 N NCE65T900I TO-251 650 5 46 30 3.5 750 900 ProductionN NCE65
2019-07-22 12:56:37

RGTH00TS65 IGBT助力低速电动汽车电机驱动系统设计

的RGTH00TS65。理由如下: RGTH00TS65的集电极-发射极电压为650V,在25℃时的集电极输出电流可达85A,100℃时为50A,由于汽车电机经常高速旋转,为了降低成本,低速电动汽车一般使用风冷法降温
2019-04-12 05:40:10

Sic MOSFET SCT30N120 、SCT50N120 功率管

N120 、SCT50N120 (Vbr=1200v(SCT*N120),Vbr=650v(SCT*N65G2/G2V)).高温时功率损耗低.高温工作性能(200C).无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电(SCT*N65G2V)了解更多信息,请关注英特洲电子,QQ584140894
2017-07-27 17:50:07

TA07N65 650V 7A N沟道 MOS管 7N65

`深圳市三佛科技有限公司 供应 ITA07N65650V 7A N沟道 MOS管 7N65,原装,库存现货热销ITA07N657A 650V TO-220FN沟道 MOS管 /场效应管
2021-03-24 10:35:56

TK13A65U原装东芝 场效应MOS晶体管 N沟道 650V 13A 封装TO-220

IKW20N60H3IKW30N60H3 IKW50N60H3 IGW75N60TIKW40N65H5..............MAGNACHIP美格纳产品:MDP13N50TH
2018-11-01 14:36:06

TO-247N封装的650V集射极电压IGBT RGSXXTS65DHR

罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商,其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT)——RGS60TS65DHR、RGS80TS65
2019-04-09 06:20:10

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55

内置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的车载充电器案例中 开关损耗降低67%

电子设备和工业设备。目前推出650V耐压产品包括RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)。<内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04

可承受650V电压的DC/DC转换器

。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48

基于分立元件的IGBT驱动电路是什么样的?

分立元件构成的IGBT驱动电路
2019-11-07 01:22:18

承受650V电压的实现低功耗的PWM型AC/DC变换器

BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07

新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管

本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑 新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ,原装正品,优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03

求助!!怎么解决零电压关断时开关管电压的震荡??急急急!!!

我用的是IKW75N65E25型号的IGBT,耐压650V,在实现软开关时,开关电压上升时有十分明显的震荡,分析过电路没有发现什么问题,用仿真软件仿真过能得到结果,但是实物实验时就会出现图中的问题。求助!!!
2017-01-12 11:00:12

求助,芯片耐压650V做的buck电路够不够用?

650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42

用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC

用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31

碳化硅混合分立器件 IGBT

650 V CoolSiC™混合分立器件,该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管,能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00:47

请问有分立元件构成的IGBT驱动电路吗?

分立元件构成的IGBT驱动电路
2019-09-24 09:13:35

软特性650V IGBT降低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率di/dt的降低,带来了更低的关断电压尖峰。该器件专门设计用于中高电流应用。相对于
2018-12-07 10:16:11

面向硬开关和软开关应用并具备耐用体二极管的新一代650V超结器件

摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55

LND12N65 650V超级MOS管

LND12N65 n沟道650V 12A功率mosfet管特征   ■ 低RDS(on)   ■ 低栅极电荷( (typ. Qg = 41.9 nC
2021-11-22 10:44:13

SVF4N65F 充电器650V 4A MOS-svf4n65f典型电路

SVF4N65F 场效应管特点■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 开关速度快■ 提升了dv/dt能力骊微电子供应
2022-03-30 15:29:34

svf7n65f场效应管7a 650v mos管封装TO-220F-svf7n65f参数

svf7n65f场效应管7a 650v mos管特点■ 7A,650V,RDs(on)(典型值)=1.1Ω @Vcs=10V■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 开关速度快■ 提升了dv/dt能力骊
2022-03-30 15:41:09

SVF10N65F 650v 10a大功率mos管-svf10n65f电路图

SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 开关速度快■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 提升
2022-03-30 15:52:04

igbt双极性晶体管650V、75A 大功率igbt开关电源SGTP75V65SDS1P7

供应igbt双极性晶体管650V、75A 大功率igbt开关电源SGTP75V65SDS1P7  ,具有较低的导通损耗和开关损耗,SGTP75V65SDS1P7可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:11:03

英飞推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672

最新Z-Rec 650V结型肖特基势垒(JBS) 二极管系列

  Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290

英飞凌创新型650V CoolMOS CFD2高压晶体管

英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
2013-08-19 16:08:18863

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26731

IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列

2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975

英飞凌发布面向电动汽车和混合动力汽车高速开关应用的最高效650V IGBT系列

2015年3月2日,德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443

G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管

G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管 正温度系数,易于并联使用• 不受温度影响的开关特性• 最高工作温度175℃ •零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190

ST的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效

意法半导体推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC
2016-11-02 17:19:431958

深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特点(相比第二代)ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中,包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET,并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042

FGA30N65SMD 650 V 30 A 场截止IGBT

电子发烧友网为你提供()FGA30N65SMD相关产品参数、数据手册,更有FGA30N65SMD的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,FGA30N65SMD真值表,FGA30N65SMD管脚等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-04-18 23:11:10

FGA30T65SHD 650 V 30 A场截止沟道IGBT

电子发烧友网为你提供()FGA30T65SHD相关产品参数、数据手册,更有FGA30T65SHD的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,FGA30T65SHD真值表,FGA30T65SHD管脚等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-04-18 23:10:09

FGH30T65UPDT 650V30A场截止沟道IGBT

电子发烧友网为你提供()FGH30T65UPDT相关产品参数、数据手册,更有FGH30T65UPDT的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,FGH30T65UPDT真值表,FGH30T65UPDT管脚等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-04-18 18:49:09

英飞凌推出650V SiC MOSFET,低压SiC市场竞争激烈

英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268

好消息 东芝650V超级结功率提高大电流设备效率的MOSFET问市

东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117

简述仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349

东芝推出了一款额定值为1350V/30A的分立IGBTGT30N135SRA

近日,东芝推出了一款额定值为1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,扩充了其IGBT产品阵容。新产品主要适用于采用AC200V输入电压谐振电路的家用电器,例如IH电磁炉、IH
2021-08-16 16:33:162467

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝
2022-03-18 17:35:264582

东芝半导体推出具备低功耗节能属性的IGBT器件GT30N135SRA

具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。而今天要给大家介绍的是由东芝半导体新研发的具备低功耗节能属性的IGBT器件——GT30N135SRA,其有助于家电产品能耗进一步降低。
2022-04-19 09:41:312034

东芝半导体DTMOSVI系列MOSFET的应用及特性

如今,市场对于高效率电源的需求日益增涨,在此背景下,东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65
2022-04-26 14:11:291093

650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539

650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍

ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速开关型)”共21种机型,该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性,并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25724

英飞凌AIGW50N65H5车规级IGBT参数特点

编辑-Z Infineon/英飞凌AIGW50N65H5车规级IGBT参数: 型号:AIGW50N65H5 脉冲集电极电流(ICpuls):150A 功耗(Ptot):270W 工作结温度(Tvj
2023-02-24 15:19:350

GT30J65MRB东芝分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

GT30J65MRB用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT。 功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09653

RJP65T43DPQ-A0 数据表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590

RJP65T54DPM-A0 数据表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100

RJH65D27BDPQ-A0 数据表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 数据表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 数据表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-03-29 18:45:330

RJH65T46DPQ-A0 数据表(650 V-40A-IGBT Application: Power Factor Correction circuit)

RJH65T46DPQ-A0 数据表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-05-15 19:08:280

Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管

Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300

陆芯:单管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS

上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705

新品 | 采用650V逆导型R6系列IGBT3千瓦半桥感应加热评估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40559

RJP65T43DPQ-A0 数据表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120

RJP65T54DPM-A0 数据表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430

RJH65D27BDPQ-A0 数据表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 数据表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 数据表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-07-11 19:09:560

RJH65T46DPQ-A0 数据表(650 V-40A-IGBT Application: Power Factor Correction circuit)

RJH65T46DPQ-A0 数据表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-11 20:19:440

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率

)—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款产品(均为650V)中有7款产品采用TO-220-2L封装,其余5款采用DFN8×8封装,于今日开始支持批量出货。 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种
2023-07-13 17:40:02184

SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

SVF4N65F/M/MJ/D 650v mos管n沟道

骊微电子供应SVF4N65F/M/MJ/D650vmos管n沟道大电流4a提供-svf4n65f详细参数、典型电路、规格书等,是士兰微MOS代理商,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2022-03-30 15:33:431

SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

电子发烧友网站提供《SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A

电子发烧友网站提供《SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A

电子发烧友网站提供《SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆变器igbt

供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士兰微高压超结mos管650V

SVSP35NF65P7D3士兰微高压超结mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:57:507

SVS11N65FJD2超结mos 耐压650V,11A规格书-士兰微代理

供应无锡士兰微mos管SVS11N65FJD211A,650V高压超结mos管,适用于硬/软开关拓扑,照明,适配器等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:07:350

SVSP11N65DD2 11A,650V士兰微超结MOS-士兰微mos管规格书

供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:061

650v mos管SVF65R950CMJ(D) 士兰微高压MOS管规格书参数-骊微电子

骊微电子供应士兰微高压MOS管SVF65R950CD 9A,650V N沟道增强型场效应管,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动,是士兰微mos代理商,提供产品详细参数及样品申请。>>
2022-11-02 16:24:493

STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源电机igbt管600V、30A参数

供应STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源电机igbt管600V、30A参数,提供SGT30T60SDM1P7关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:59:562

场效应管10N65L-ML UTC 10A 650V-10n65技术参数

供应场效应管10N65L-ML UTC10A 650V,提供10n65技术参数关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-09 15:27:391

英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A,有四种不同封装类型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265

英飞凌推出面向高能效电源应用的分立650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

英飞凌科技推出分立650VIGBT7H7新品,进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255

瑞能650V IGBT的结构解析

IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276

瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

介绍一款用于光伏储能充电桩的50A 650V TO-247封装IGBT单管

本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07188

扬杰科技推出50A 650V TO-247封装IGBT单管

近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19564

已全部加载完成