MIC4414YFT EV，MIC4414评估板是一款低侧MOSFET驱动器，设计用于在低侧开关应用中切换N沟道增强型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驱动器。该驱动器具有短延迟和高峰值电流
2020-04-16 10:14:10
LTC4226的ON针脚具备外部可调的UVLO,同时还负责检测连接器是否插紧。一个集成型充电泵用于为标准的N沟道MOSFET提供栅极驱动，并利用内部12V箝位来保护其栅极氧化物。
2019-10-10 09:12:45
LTC4366-1 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366-1 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。
2019-10-29 09:02:04
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET栅极驱动器LTC44411资料下载内容包括：LTC4441-1功能和特点LTC4441-1引脚功能LTC4441-1内部方框图LTC4441-1典型应用电路LTC4441-1电气参数
2021-03-24 07:13:00
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在寻找这两个MOSFET的驱动器IC，FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的逻辑由CPLD产生，为3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。这些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET驱动器LTC1154资料下载内容主要介绍了：LTC1154引脚功能LTC1154功能和特点LTC1154内部方框图LTC1154典型应用电路
2021-03-24 06:18:36
MOSFET驱动器LTC4442资料下载内容包括：LTC4442功能和特点LTC4442引脚功能LTC4442内部方框图LTC4442典型应用电路LTC4442电气参数
2021-03-24 07:59:58
MOSFET驱动器LTC44445资料下载内容包括：LTC4444-5功能和特点LTC4444-5引脚功能LTC4444-5内部方框图LTC4444-5典型应用电路LTC4444-5电气参数
2021-03-30 07:31:51
N沟道MOSFET驱动电路LTC4446资料下载内容主要介绍了：LTC4446功能和特点LTC4446引脚功能LTC4446内部方框图LTC4446应用电路
2021-04-15 06:53:16
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
2021-01-27 07:59:24
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动
2021-07-09 07:00:00
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制器N沟道
2020-09-30 16:47:03
N8322 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8322 内部集成欠压锁死电路可以确保 MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
的优点包括以下几点内容：设计非常简单，因此适用于空间受限的地方，例如低压驱动器和非隔离POL应用。这是高端开关位置内的简化栅极驱动方法，可以降低总体成本。在低电压下工作时，MOSFET提供的效率更高
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动
2018-03-03 13:58:23
记本电脑电源切换SCSI终端电源切换蜂窝电话电源管理电池充电和管理高端工业和汽车开关步进电机和直流电机控制说明LTC1154单高侧栅极驱动器允许使用低高侧交换应用的成本N沟道场效应晶体管。内部电荷泵提高栅极
2020-09-08 17:28:16
LTC1163的典型应用 - 三路1.8V至6V高侧MOSFET驱动器。 LTC1163 / LTC1165三路低压MOSFET驱动器可通过低至1.8V电源的廉价低RDS（ON）N通道开关切换电源或接地参考负载
2020-04-17 10:09:17
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制器N沟道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
LTC1155双高端栅极驱动器的典型应用允许使用低成本N沟道FET用于高端开关应用
2020-04-16 10:14:10
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的？有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗？`
2018-04-11 23:31:46
LTC3851采用耐热增强型 3mm×3mmQFN-16 和窄型SSOP-16，该器件驱动所有N沟道功率MOSFET级并具有一致或比例跟踪功能。4V 至38V的输入范围促成种类繁多的应用，包括大多数
2021-04-16 07:51:54
还可以安装Arduino UNO R3连接器。该扩展板上使用的IC驱动器是用于N沟道功率MOSFET的L6398单芯片半桥栅极驱动器。 L6398栅极驱动器和STL220N6F7功率MOSFET组合形成BLDC电机的高电流功率平台，基于STM32 Nucleo板的数字部分提供6步或FOC算法控制解决方案
2020-05-20 08:53:36
VEE 为基准。外部旁路电容器 C1、C2 可适应瞬态电流。图 7：采用 IX6611 栅极驱动器的 IXYS 公司 SiC MOSFET IXFN70N120SK 性能，Vds = 600 V 且
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥驱动器的功能是驱动上桥臂和下桥臂N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极，通过低输出阻抗降低导通损耗，同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控。极性决定了MOSFET的图形
2021-04-09 09:20:10
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
请问一下大神有VN05N栅极驱动器的替代品吗？
2022-12-21 07:08:20
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。为什么需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间
2018-10-25 10:22:56
是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极和源极/发射极之间形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导
2018-11-01 11:35:35
您好，欢迎观看第三个讨论隔离式栅极驱动器的 TI 高精度实验室讲座。 我们将探讨可以作为隔离式栅极驱动器技术的基准核心参数。 我们将会检查这些参数的数据表定义， 讨论在隔离式和非隔离式驱动器中决定
2022-11-10 07:54:32
，低侧FET导通并开始通过其通道导通。相同的原理适用于通常在DC / DC电源和电动机驱动设计中发现的其它同步半桥配置。负责高速接通的一个重要的栅极驱动器参数是导通传播延迟。这是在栅极驱动器的输入端
2019-03-08 06:45:10
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
高速同步MOSFET驱动器LTC4447资料下载内容包括：LTC4447引脚功能LTC4447内部方框图LTC4447典型应用电路LTC4447极限参数
2021-03-26 07:14:06
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 135V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因而使其能够
2023-04-20 11:36:57
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:00
6016 
凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449
凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。
2010-02-04 08:40:551261 
高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
10 月 1 日 – 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271040 
东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉！该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍
2017-04-26 15:18:383420 
，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。
2017-07-07 15:00:372012 LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-06 10:48:509928 
。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-11 09:36:582795 
LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-18 10:49:384777 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:37
23 LTC®7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 135V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因而使其能够无限期地保持导通。
2018-07-11 15:38:002998 
1.4知道你的栅极驱动器：VDD
2019-04-23 06:09:003536 电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC7001相关产品参数、数据手册，更有LTC7001的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LTC7001真值表，LTC7001管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 14:37:34
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。
2020-01-29 14:18:0019390 
来源：罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等，因为MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-02-05 15:07:301 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-03-06 14:41:535 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -55°C 至 125°C 的温度范围内工作
2021-03-18 22:10:113 6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器在 -55°C 至 125°C 的节温范围内工作
2021-03-19 01:44:181 用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器具有强大的栅极驱动
2021-03-19 07:15:032 LTC4442/LTC4442-1 - 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器为高效率降压或升压型 DC/DC 转换器提供 5A 电流
2021-03-20 20:09:435 LTC3780/LTC4444演示电路-使用N沟道MOSFET驱动器(8-48V至12V@3A)的同步降压-升压控制器
2021-04-13 09:15:0814 LTC4444：高压同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-04-27 09:13:316 LTC4449：高速同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-04-27 19:51:574 LTC7000/LTC7001：快速150V保护高端nMOS静电交换机驱动程序数据表
2021-05-11 10:02:373 LTC4444-5：高压同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-05-11 17:18:146 LTC1693：高速单/双N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半桥N沟道功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 18:32:193 LTC4441：N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 LTC7001接近150V高中NMOS StationSwitch Driver Diseet
2021-05-29 17:20:155 带MOSFET栅极驱动器的LTC3803LTC4441演示电路升压转换器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 LTC3780 LTC4444演示电路-使用N沟道MOSFET驱动器的同步降压-升压控制器(8-48V至12V@3A)
2021-06-16 19:04:4312 ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 和发射极。为了工作MOSFET/IGBT，通常必须向栅极施加相对于器件源极/发射极的电压。专用驱动器用于向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论这些栅极驱动器是什么，为什么需要它们，以及如何定义它们的基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
2023-01-30 17:17:121151 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地，无论是
2023-02-23 15:35:241 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34808 
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