电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>栅极型推挽电路不用上P下N的原因

栅极型推挽电路不用上P下N的原因

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

并联推挽源极跟随器电路

并联推挽源极跟随器电路
2009-08-13 15:47:09748

推挽逆变器中两开关管漏极产生尖峰的原因分析

推挽逆变器的原理分析 主电路如图1所示: Q1,Q2理想的栅极(UG1,UG2)漏极(UD1,UD2)波形
2010-07-27 10:25:157808

对称栅极控制驱动电路

栅极驱动电压由触发脉冲通过推挽输出电路提供。当触发脉冲为高电平,V5 截止,推挽输出电路基极为低电平,V3 截止,V4 导通,从负载抽取电流,栅极得到负压封锁电平。当触发脉冲
2012-05-03 10:26:551833

三极管推挽电路的基础知识

推挽电路,有人也叫图腾柱电路。图腾柱我没理解这个名字是怎么来的,但是“推挽”就比较形象了。
2023-04-25 12:32:412095

推挽电路两种模型详解:上P下N、上N下P

推挽电路(push-pull)就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只
2023-05-25 14:09:52957

上P下N和上N下P推挽电路原理图解

在做信号控制以及驱动时,为了加快控制速度,经常要使用推挽电路推挽电路可以由两种结构组成:上P下N,上N下P。其原理图分别如下所示。
2023-06-06 14:10:01790

NP半导体

N半导体也称为电子半导体。N半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。  在纯净的电子发烧友体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N半导体。在N半导体中
2016-10-14 15:11:56

N二极管和P二极管有什么区别?

N半导体和P半导体通过工艺做成PN结就是二级管。二极管只有一个PN结,为什么二极管型号要分N二极管和P二极管?二者有什么区别?谢谢![此贴子已经被作者于2009-3-10 17:19:59编辑过]
2009-03-08 17:01:37

N沟道P沟道的MOS管选型有何不同?

的两种结构:N沟道P沟道由于制造工艺的原因P沟的MOS管通常比N沟的MOS管具有更大的导通电阻,这意味着导通功耗会更大。这是选择时需要注意的地方。一般而言,如果是低边开关应用,使用N沟MOS管
2023-02-17 14:12:55

N沟道和P沟道MOSFET的区别是什么

为正时,它充当增强MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地,漏极连接到负载,当栅极施加正电压时,FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45

N沟道增强MOS场效应管的结构与原理

N沟道增强MOS场效应管的结构示意图和电路符号如下图所示,用一块掺杂浓度较低的P硅片作为衬底,在其表面上覆盖一层二氧化硅(SiO2)的绝缘层,再在二氧化硅层上刻出两个窗口,通过扩散形成两个高
2015-06-12 09:24:41

N沟道耗尽MOS场效应管的结构与原理

耗尽的MOS场效应管制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子,因此,即使栅极不加电压(UGS=0),由于静电感应,这些正离子产生的电场也能在P衬底中“感应”出足够多的负电荷,形成
2015-06-15 18:03:40

P-N结在未施加外部电源时的特性是什么

中的自由电子是大多数载流子。在p材料中产生的少数自由电子和通过热搅拌,光子和其他原因N材料中产生的少数空穴(在图1中用正方形内的符号表示)是少数载流子。  P-N结  手头有NP晶体,只需机械按压即可
2023-02-23 16:46:46

PMOS管开关电路图资料推荐

PMOS管开关电路图PMOS是指n衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况,PMOS晶体管的跨导
2021-10-28 10:07:00

PMOS管高电平导通了,哪里不对

本帖最后由 夜孤影 于 2019-2-2 16:25 编辑 如题所示,我设计了一个用PNmosfet管来控制电机的的电路,但是在我实际所搭的电路中,NMOSFET管控制正常,G端高电平
2019-02-02 16:24:33

P沟道MOSFET的基本概念及主要类型

相反。由于其中存在可用的P杂质,因此该MOSFET中的通道是预先构建的。一旦在栅极端施加负 (-) 电压,N中的少数电荷载流子(如电子)就会被吸引到P沟道。在这种情况,一旦漏极反向偏置,则器件
2022-09-27 08:00:00

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关,本设计实例对P沟道和N沟道增强MOSFET进行了比较。对市场营销人员,MOSFET可能代表能源传递最佳方案(Most Optimal
2018-03-03 13:58:23

推挽电路

在做推挽电路实验的时候,在输出端测得的信号顶部出现黑块,有没有知道原因的,求解答
2024-03-17 09:43:05

推挽电路的用处

推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
2019-05-31 07:20:28

推挽电路的问题

如图下【1】推挽电路是不是必须要双电源(+Vcc和-Vcc)供电才能工作?下图的推挽电路,这样下管接地对吗?【2】按照下图来分析,当输入Ui为正半周时(即工作在“推”阶段时),电路容易分析,上管导
2019-10-12 21:32:45

推挽式隔离控制拓扑IGBT门驱动电源设计包括BOM及框图

描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽
2018-09-20 08:49:06

栅极脉冲驱动电路

Q2来实现的,对控制电路的约束随之增加:Q1和Q2绝不能同时使能。●很多情况,串联FET是N沟道器件。这要求控制电路产生一个高于HPA漏极电压的电压才能开启。控制电路的设计方法已是众所周知且行之有效
2019-02-27 08:04:56

栅极驱动器是什么

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24

CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底?两者有什么区别啊?

问:为什么现在的CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底?两者有什么区别啊?答:为什么CMOS工艺采用P衬底,而不用N衬底?这主要从两个方面来考虑:一个是材料和工艺问题;另一个是电气性能问题。P
2012-05-22 09:38:48

FET知识:采用结FET实现的放大电路

的接地方式相同,结FET放大电路也有多种接地方式。最一般的源极接地电路和自偏置电路n沟道FET的例子如下图所示,p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向,与此图完全相反。FET源极接地电路
2017-04-19 15:53:29

GPIO实现推挽输出和开漏输出的关键是什么

以STM32参考手册中的GPIO输出配置图为例:看到输出驱动器虚线框中的内容,输出驱动器中的P-MOS和N-MOS两个MOS管就是实现推挽输出和开漏输出的关键。推挽输出模式P-MOS和N
2022-02-28 06:48:51

LVS文件有没有语句让PAA于NAA之间产生联系呢?

LVS文件有没有语句让PAA于NAA之间产生联系呢?
2023-03-15 10:16:42

MOSFET栅极电路的作用是什么

MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27

MOS在消费类电子中的电路设计

电路中采用N沟道和P沟道mos管的原因。  深度分析该典型电路:当漏极电压升高,场效应管的夹断电压也会随之升高;当源级的电压变化特别是变小时,MOS管的源级电压会伴随着场效应管的打开与关闭实现电压
2019-01-02 13:50:05

MOS场效应管电源开关电路是怎样的

流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P半导体端为负电压,正电子被聚集在P半导体端,负电子则聚集在N半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有
2018-10-27 11:36:33

MOS管20N20-ASEMI三个极怎么判定,20N20是N沟道还是P沟道

):10uA反向恢复时间(trr):158NS工作温度:-55~+150℃ 1、20N20三个极怎么判定G极(gate)—栅极不用说,比较容易识别S极(source)—源极,无论是P沟道还是N沟道,两条线
2021-12-28 17:08:46

STM32的GPIO知识点:开漏输出和推挽输出

烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有
2022-12-22 18:10:27

level shift里两个P管的栅极电压应为多少?

的结果 他的电压是从4.6V随着时间慢慢掉到一点几V,想请教一 :1.出现这种波形的原因 2.如果下面两个N管都关断,那么两个P管的栅极电压应为多少
2021-06-24 06:54:43

mosfet栅极驱动加个电容的原因是什么?

控制栅极使mos导通与否,C10接了个100n的chip,原因是什么?如果跟控制开关时间有关,为何要控制?图中蓝色是仿真的栅极的信号,下面的图是加了小电容的结果,谢谢帮忙。
2017-06-03 08:59:36

不明白为什么需要在这个电路N晶体管的栅极和源极之间放一个电阻器

有一个图表代表一个电路,其目的是根据微控制器中编程的逻辑启用/禁用两个LED。在下面的电路中,据我所知,有两个n晶体管,它们分别有一个电阻连接它们的栅极和它们的源极。我的问题是:为什么需要标记电阻?(红圈)
2018-08-21 10:35:11

为什么第八部视频的mos管驱动上管采用N管和P管,而下管采用推挽输出

为啥第八部视频的mos管驱动上管采用N管和P管,而下管采用推挽输出,并且下管的驱动信号为什么不直接推挽输出的基极,而通过两个三极管把相位取两次反
2018-10-25 14:36:08

什么是推挽电路(附图)

`推挽电路推挽电路就是两不同极性晶体管连接的输出电路推挽电路采用两个参数相同的功率 BJT 管或MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率
2011-11-02 10:27:38

什么是MOS管?如何判断MOS管是N还是P

二极管的管压降0.5v左右,同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS管是N还是P?2. MOS管驱动电路分析下面是常见的MOS管驱动电路(1)二极管D1的作用是什么?二极管D1在驱动信号是低电平时起到快速关断的作用。一般在H桥驱动电路中需要加此二极管起到“慢开快关
2021-12-31 06:20:08

优异的MOS管,在生活中遍布身影

管理3v电源的开关,这个原理也用于电平转换。  2、nmos管应用。  一般用于管理某电路是否接地,属于无触点开关,栅极高电平就导通导致接地,低电平截止。当然栅极也可以用负电压截止。其高电平可以高过
2019-03-08 11:04:10

分析MOS管器件电路符号的详情

对调的,他们都是在Pbackgate中形成的N区。在多数情况,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。  (一)MOS管的使用优势  MOS管是电压控制元件
2018-11-19 15:20:28

单极晶体管的工作原理和特点

却高达1012~1015Ω量级。通常盖在S和d之间的二氧化硅薄层上,形成栅极g。    N沟道增强MOS管的电路符号如图3所示。箭头方向表示P衬底指向N沟道,三根短线分别代表源s、漏d和衬底b。同时
2020-06-24 16:00:16

增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好?

增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么?请你分析一增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26

大家看下我的光耦驱动N P MOSFET电路正确吗

这是我设计的一个单片机驱动光耦控制电机转停的电路,大家看下电路设计对吗?单片机在光耦驱动位拉高引脚,输出24V,fds9958是PMOSFET,fds9945是nMOSFET,fds9958 S
2018-04-24 13:09:52

开关电源设计之:P沟道和N沟道MOSFET比较

是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的,并且通过在栅极上施加正电压导通。MOSFET多数是载流子器件, N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2021-04-09 09:20:10

开漏与推挽的区别何在

甚至继电器,但电阻的驱动是有限的,最大高电平输出电流=(vcc-Vh)/r;  另一种是互补推挽输出,采用2只晶体管,一只在上一只在下,上面的一只是n,下面为p(以三极管为例),两只管子的连接为
2019-05-24 09:07:33

松下电磁灶电路图-KY-p2N

松下电磁灶电路图-KY-p2N 
2008-07-13 15:44:04

海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管

下面的P区表面。当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P半导体反N而成为反层,该反层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。理解
2020-03-04 10:11:00

电容充电时间、MOS栅极驱动、TL431基准、运放跟随后ADC采样、复合管和互补推挽优缺点

驱动能力强的原因是因为驱动电压上限可以到VCC,而关闭电压下限可以到GND?4.基准电路用高精度电阻分压还是用TL431,在什么场合TL431这种标准的基准源时必须的?5.运放跟随、π滤波后ADC
2022-08-19 15:05:19

相应的模块在不用上位机的情况对PLC进行数据采集

请问有没有相应的模块能够在不用上位机的情况对PLC进行数据采集
2015-04-07 18:02:45

耗尽MOSFET的基本概念及主要类型

器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压,源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时,从漏极到源极的电流将减少,直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽MOSFET有两种类型,分别是P沟道和N沟道
2022-09-13 08:00:00

讲接一芯片的最基本的单元MOSFET

达成这样目的的元件。我们在半导体硅里进行两种参杂,如上图上两个小u槽里进行N参杂,其他的地方进行P参杂,这样N参杂与P参杂的界面会形成耗尽层。上下电路电路一,左右连接N极的为电路二。由于
2023-02-14 15:15:13

讲解一N沟道增强MOS场效应管

继续增大时,N区与P衬底中的电子被进一步吸附到栅极的衬底表面,直到电子的浓度大于空穴浓度,原来两个N区中间的P衬底变换为N,并将两侧的N区连通。我们把刚刚能使源-漏两极之间能够导通的电压称为
2023-02-10 15:58:00

讲解一MOSFET的构造

上两个小u里进行N参杂,其他的地方进行P参杂,这样N参杂与P参杂的界面会形成耗尽层。我们用电路连接左N级与右N极(电路一),打开电源,根据我们上节所讲的PN结,电流不能从N极到P级,所以是
2023-02-14 15:19:49

请问一大神有VN05N栅极驱动器的替代品吗?

请问一大神有VN05N栅极驱动器的替代品吗?
2022-12-21 07:08:20

这个功放算推挽输出吗?

如图所示,这个功率放大电路推挽输出吗?图中L6是变压器。如果是推挽输出的话为什么用的放大管是一样的,不应该是一个N一个P吗?帮忙分析
2016-12-14 16:58:35

逆变电路几种拓扑结构,半桥不是推挽的一种吗?半桥和推挽的原理,谁来普及

逆变电路几种拓扑结构,半桥不是推挽的一种吗?半桥和推挽的原理,谁来普及
2022-12-15 18:59:30

闻名遐迩的ASEMI场效应管15N120是什么工作原理

P半导体中(见图b),形成电流以使源极和漏极之间导通。我们也可以想象成两个N半导体之间有一条沟,栅极电压的建立就相当于在它们之间架起了一座桥梁,电桥的大小由栅极电压的大小决定。
2021-12-02 16:30:54

隔离 4 轨推挽式 IGBT 门驱动电源

`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽
2015-03-23 14:35:34

隔离 4 轨推挽式 IGBT 门驱动电源

`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽
2015-04-27 17:31:57

隔离式太阳能栅极驱动参考设计包括BOM及层图

DESAT 检测和米勒钳位保护的增强隔离式 IGBT 栅极驱动器,支持将单极电源电压用于栅极驱动器。此参考设计将基于开环推挽式拓扑的电源用于每个栅极驱动器,从而使 PCB 布线具有灵活性。在
2018-10-19 15:30:07

电子管音频放大器技术基础(十五)-推挽功放中的倒相电路

电子管音频放大器技术基础(十五)-推挽功放中的倒相电路:存推挽功率放大器中,要完成两只功放电了.管的推挽工作,必须在两只功放管的栅极输入幅度相等、相位相反的推动信
2009-12-12 08:30:55228

具有推挽输出结构的三值TTL电路

本文分析了以电阻为负载的传统三也TTL反相器的缺点,借鉴二值TTL推挽输出极结构,设计了三值TTL电路推挽输出级.用SPICE I对设计电路的计算机模拟明,具有推挽输出结椅的三值T
2010-04-30 10:16:4225

哈曼卡顿A250推挽电路

哈曼卡顿A250推挽电路
2007-11-18 22:20:252430

哈曼卡顿citation II推挽电路

哈曼卡顿citation II推挽电路
2007-11-18 22:23:102548

推挽放大电路图三例

推挽放大电路图三例
2007-11-25 12:09:352401

6p3p推挽电路

6p3p推挽电路
2008-03-31 12:48:1121258

6n5p推挽电路

6n5p推挽电路图 6p9p+6n5p推挽电路图 6n5p推挽电路
2008-03-31 12:54:0511973

6p9p推挽电路

6p9p推挽电路
2008-03-31 12:55:208268

推挽开漏

推挽开漏 推挽电路(互补型电路),用兩個參數相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在於電路中,各負責正負半周的波形放
2008-06-30 16:30:132304

FD422推挽电路

FD422推挽电路
2009-01-24 01:02:2110634

自激推挽逆变电路

自激推挽逆变电路
2009-05-06 14:25:234557

推挽型变换器电路

推挽型变换器的电路 图:推挽型变换电路S1和S2轮流导通,将在二次侧产生交
2009-05-12 20:56:061514

推挽型与半桥型变换电路

推挽型与半桥型变换电路 (a)推挽型        &
2009-07-25 08:55:585627

推挽源极跟随器电路

推挽源极跟随器电路
2009-08-08 16:47:211043

4并联推挽源极跟随器电路

4并联推挽源极跟随器电路
2009-08-13 15:42:47689

推挽式单相逆变电路

推挽式单相逆变电路 很简单的单相
2010-03-03 16:05:224036

栅极过压保护电路

IGBT的栅极出现过压的原因: 1.静电聚积在栅极电容上引起过压.
2011-01-29 19:18:352679

推挽电路是什么?推挽式开关电源的优缺点解析

推挽电路是一种放大电路,它按功放输出级放大元件的数量,可以分为单端放大器和推挽放大器。
2017-05-18 14:56:1611736

推挽电路图全集(6n5、6N16B、6N11+6N5、6T1+6N15等推挽电路

分享几款6n5推挽电路图,包括6n5推挽电路图、6n5P推挽电路图、6N16B推挽电路图、6N11+6N5推挽电路图、6T1+6N15推挽电路图等推挽电路图。
2017-11-02 16:02:4624799

推挽放大电路的工作原理及电路图讲解

推挽放大电路推挽放大电路工作原理、A类放大电路、B类放大电路、AB类放大电路、如何降低推挽放大电路的交叉失真。
2023-01-31 13:20:168800

栅极推挽电路为什么不用上P下N

在做信号控制以及驱动时,为了加快控制速度,经常要使用推挽电路推挽电路可以由两种结构组成:分别是上P下N,以及上N下P。其原理图如下所示,
2023-02-02 09:12:13507

一文详解推挽电路

在做信号控制以及驱动时,为了加快控制速度,经常要使用推挽电路推挽电路可以由两种结构组成:分别是上P下N,以及上N下P。 其原理图如下所示。
2023-03-13 14:04:2312451

推挽电路的工作原理

推挽电路是由两个三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
2023-03-14 15:58:179767

一个简单的推挽电路设计

上节介绍了差分电路的中间级,这节给差分电路加上推挽电路(功率输出),如图。
2023-04-25 15:46:441355

改进型推挽电路设计

上节我们给差分电路加入一个简单的推挽电路,如图。
2023-04-25 15:47:37761

推挽电路基础知识介绍

推挽电路,有人也叫图腾柱电路。图腾柱我没理解这个名字是怎么来的,但是“推挽”就比较形象了。
2023-05-16 09:33:015345

推挽电路如何加快控制速度

在做信号控制以及驱动时,为了加快控制速度,经常要使用推挽电路推挽电路可以由两种结构组成:上P下N,上N下P。其原理图分别如下所示。
2023-05-17 09:33:59929

推挽电路原理:“上P下N”及“上N下P”的区别

在做信号控制以及驱动时,为了加快控制速度,经常要使用推挽电路推挽电路可以由两种结构组成:分别是上P下N,以及上N下P。
2023-05-23 18:20:191183

IGBT器件栅极电压波形振荡的原因

IGBT器件栅极电压波形振荡的原因
2023-09-16 08:32:131715

MOSFET栅极电路电压对电流的影响?MOSFET栅极电路电阻的作用?

MOSFET栅极电路电压对电流的影响?MOSFET栅极电路电阻的作用? MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中,栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369

推挽电路的坑,你踩过没?

推挽电路的坑,你踩过没?
2023-11-24 16:25:06498

栅极推挽电路为什么不用上P下N

栅极推挽电路为什么不用上P下N
2023-12-07 16:11:072450

推挽电路放大什么 推挽功率放大器失真的原因

在音频放大器中,推挽电路常用于放大音频信号,并驱动扬声器以产生清晰的声音。推挽电路能够输出较大的电流,适合驱动扬声器等需要较大驱动能力的负载。
2024-02-05 17:31:14682

已全部加载完成