如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V（BR）DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
2022-08-23 11:14:18
2181 电路上TVS经常损坏的现象和原因有哪些TVS(TransientVoltageSuppressor)是一种用于保护电路免受过电压冲击的元件。几乎所以的电子器件上都会需要有TVS进行电路保护。如果在
2023-08-01 00:03:41834 
造成损坏的原因可能有几个： 1.缺少保护电路。一般来说电路中应适当设置保护电路。以吸收电路中的瞬间高压。浪涌电压。保护关键元件。 2.参数选取不合理。没有余地。效应管的耐压。电流都应该流有
2020-06-30 14:41:49
请较大家，MOS管DS击穿在什么情况易发生，最近一产品在家里面用从来没有坏过！但是拿出去用很容易损坏！条件没什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。所以ESD对MOS管的损坏可能是一，三两种情况，并不一定每次都是第二种情况。上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。如果
2017-06-01 15:59:30
有谁用过IRLML6401，接法如下图，但是mos管不能导通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流
2018-10-31 13:59:26
DS间加电容，测试两种差不多的MOS管，发现MOS里面芯片大的反而冲击电流小，这是为什么，两种级别差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而冲击电流小？，这是什么原因，耐冲击电流与MOS管的DIE大小有关系吗
2018-01-19 09:54:42
的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易
2019-02-14 11:35:54
我们在规划制作电子捕鱼器时，有两种器材是必不可少的，一种是高频机的功率MOS管，首要用在高频电子捕鱼器中，另一种是低频电鱼机中的三极管，首要用于低频捕鱼器中，这两种元器材在运用中究竟有些什么区别呢
2019-05-30 00:34:14
为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主
2011-11-07 15:56:56
电路如图，实测电路上电后，当出现负载短路、过流时，MOS管关断，电源无输出。但是，如果先将负载短路，再给电路上电，则Q2管子会被击穿，有时甚至有炸管的现象。请教各位帮忙分析一下该如何改进
2020-02-16 07:00:00
最近在做一个Mos管驱动产品，发现发烫得厉害，然后参考了其他竞品发现都有增加这么一个二极管，依样增加上去后就不烫了，这就是是什么原因呢？在网上找到了原因，如下：再看MOS管本身DS极间也有个二极管
2021-09-14 07:49:42
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全
2020-10-10 11:21:32
给到MOS管一个脉冲波形后，测试MOS管漏极电压会出现一个drop现象，且这个drop与mos管的导通时间有关，导通时间越久这个drop越大。后面经过各种试验发现，只要将后面的分压电路去掉就不会
2022-04-01 16:01:21
使用ti的tps51621buck控制器，12V输出1V输出，高侧的mos管会出现损坏造成12V对地短路的情况，MOS管高侧选用的CSD16322Q5，参数满足要求，板子放在机箱中，测试MOS管的表面温度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路： 二、器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因
2018-10-29 14:07:49
管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度（或环境温度）上升时，沟道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A
2012-08-09 14:45:18
向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对MOS管起到偏置作用，使之进入饱和区。（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。来源：网络，如侵删
2019-01-08 13:28:49
的直流电机时，悲剧却发生了，而且后果非常严重，MOS管V2、V1的D、S极直接短路，在V7、V6导通时，造成24V直接对地短路，MOS管全部烧毁，而且还可能造成前端的２４V电源模块损坏。分析原因
2018-05-23 18:37:13
一个简单的NPN+P_MOS开关控制，负载是850nm激光二极管，驱动MCU是STC15F2。现在出现mos管容易损坏的情况，本人菜鸟不知道是什么原因造成的，还望各位大神能指点一二
2018-08-29 18:06:20
损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS管击穿的瞬间，灌流电路元件也受到伤害，也应该更换。就像我们有很多高明的维修师傅在修理A3开关电源时；只要发现开关管击穿，就也把前面的2SC3807激励管一起更换一样道理（尽管2SC3807管，用万用表测量是好的）。`
2019-04-11 12:04:23
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 编辑
我在工作中遇到的一个案例，客户端总是烧一个MOS 管的问题。参考附图！为什么总是损坏MOSFETQ8212？同一片主板上用料五颗，请高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶体三极管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流
2018-10-25 14:40:18
，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压
2021-07-05 07:19:31
还是换上原来一样型号的才解决问题。检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路元件的欠佳引起MOS管损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS
2019-02-23 16:23:40
关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。在网上有看到大概两种说法：1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏；2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于
2018-12-21 10:46:27
1.MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致
2018-10-12 16:47:54
当可控硅损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个
2014-02-15 11:59:40
MOSFET的击穿有哪几种？如何处理MOS管小电流发热严重情况？MOS管小电流发热的原因MOS管小电流发热严重怎么解决MOS管为什么可以防止电源反接？
2021-03-29 08:19:48
过热烧毁。四、快恢复二极管规格型号不符。更换新二极管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成二极管管击穿损坏。五、电路板短路，用蒸汽清洁的电路板后，没有晾干，由水造成电路短路故障而造成的。请在用蒸汽清洁后，再用压缩空气吹一遍再检测应该可以避免这种损坏。快恢复二极管规格书下载：
2021-05-13 17:27:00
哪位大神能帮忙分析下这个电路，安装电池的过程中MOS管会有20%的损坏。除开静电的损坏，还有有其他可能没有呢?
2018-09-11 13:36:23
最近做了一个DC/DC 15V的隔离电源。PWM1，PWM2由信号源提供。但是在测试中，出现了一个奇怪的现象。每次测试，在断电的时候。如果先停止信号源的信号，MOS就烧毁。相反，如果先停止15电，则没事。求大神答疑解惑，小生不胜感激！
2013-11-17 15:58:46
`<p> 挖掘mos管被击穿的原因及解决方案 一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上
2018-11-05 14:26:45
MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
。 至于为什么不适用号耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也
2018-12-03 14:43:36
整流二极管的损坏原因整流二极管的检查方法整流二极管的代换
2021-04-02 06:17:32
是什么原因导致了MOS管发热？
2021-06-07 06:21:08
`大家好，我在做一个简单的低端驱动，使用mos管驱动电磁阀，电路及参数如下图，mos管G极信号是0-12V。现在的问题是当mos管打开时，DS两端电压会逐渐上升，至6v左右，下图中黄线为控制信号，紫线为DS电压。请问这种现象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率
2019-03-13 06:00:00
1.MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致
2018-11-28 12:08:27
上面因素。 五、选取耐压BVDSS 在大多数情况下，因为设计的电子系统输入电压是相对固定的，公司选取特定的供应商的一些料号，产品额定电压也是固定的。 数据表中功率MOS管的击穿电压BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
。 MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS管。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源
2018-10-26 14:32:12
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因
2018-11-21 13:52:55
的MOS管，而不会使用以前的三极管。但是性能再优越，也会出现损坏的情况，那作为厂家来说应该怎么检测MOS管是否损坏呢？ 电路中，如何判断MOS管的完好或失效，与单独鉴别MOS好坏不完全相同，电路中完好
2018-12-27 13:49:40
把这些损耗控制在MOS管承受规格之内，MOS管即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。 而开关损耗往往大于导通状态损耗，尤其是PWM没完全打开，处于脉宽调制状态时（对应电动车的起步加速状态），而最高
2019-02-28 10:53:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 编辑
MOS管被击穿的原因及解决方案如下： 第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或
2012-07-14 15:34:14
在我们项目开发和产品量产过程中总是会出现一些 IC 损坏的现象，通常要想找出这些 IC 损坏的根本原因并不总是很容易。有些偶发性的损坏很难被重现，这时的难度就会更大。而且有些时候 IC 的失效表现
2021-03-11 07:41:29
电源开关管损坏的原因分析
2019-05-28 11:27:38
电源开关管损坏的主要原因有以下13种：1．软启动电路失效2．开关管集成电路板反峰吸收电路失效3．正反馈过强4．定时电容失效漏电5．稳压电路中的去耦电容失效6．稳压电路的负反馈开环7．开关管发射极
2011-08-09 11:51:44
9V的电压。更换下方MOS，恢复正常。器件型号，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于问题故障率太大，不能进行生产。请各位大大帮忙看看到底为什么会导致MOS损坏。怎么解决？谢谢`
2019-12-30 10:30:50
电路是这样，输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题，后来几年后也是同样的电路拿出来用，结果烧MOS管。我猜测原因如下，不知道对不对，请各位大神指教。电源上电
2020-04-26 14:17:30
的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率
2021-11-10 07:00:00
刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管的三个管教之间有
2017-12-05 09:32:00
的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管的三个
2017-08-15 21:05:01
的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS
2018-11-27 13:44:26
输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题，后来几年后也是同样的电路拿出来用，结果烧mos管。我猜测原因如下，不知道对不对，请各位大神指教。电源上电的时候
2020-05-20 10:06:20
12V；；；请问各位大佬MOS管的这种损坏属于什么损坏，是什么导致的，感觉GS有2M应该是没事的，这个管子以前遇到的损坏都是GS直接短路了，这个现象不一样
2021-05-25 08:21:12
小弟是电子初学者，经常在设计电路时MOSFET管出现损坏，请问造成MOSFET管损坏有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种
2022-05-14 10:22:39
产品在某一个批次的生产中突然发现20%的DC-DC芯片不通电，并且都表现为下MOS损坏。外围硬件设计，有什么因素可能导致下MOS管损坏呢？如何去分析对比电源IC批次性差异呢？
2023-01-12 17:01:27
摘要：针对冷床传输链逆变器IGBT 频繁损坏的现象，通过对逆变器输出线路、负荷、逆变器容量、电机励磁电流、IGBT 的发热等进行分析，得出IGBT 损坏的原因是励磁电流过大而造
2010-06-28 15:32:51
169
晶闸管损坏原因判别
....当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是
2009-07-28 08:15:261536 如何判别晶闸管损坏原因
....当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后
2010-03-08 09:47:31676 MOS管损毁原因总结
2017-06-19 14:22:3226 一般电容器在电源中损坏会出现什么现象，常用电容器有陶瓷电容器，多层陶瓷电容器，高压电容，安规电容器。小编举例了几种常见的现象，大家可以跟小编去了解一下。 1）电容器内部的短、断路损坏，故障现象是烧坏
2018-06-02 08:51:462049 
在工作电路中，如果晶振损坏会有哪些特征现象呢？晶振损坏分为两大类，一是彻底停振，二是具有不稳定性。
2020-02-20 00:31:1425183 什么是MOS管？它有什么特点？在常见的控制器电路中，MOS管有几个工作状态，而MOS 主要损耗也对应这几个状态，本文就来探讨一下MOS的这些状态的原理。MOS的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在Mos承受规格之内，Mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同Mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。接下来就由小编针对mos管的损坏原因做以下简明介绍。
2022-03-11 11:20:172517 
MOS管有很多种类，也有很多作用，在作为电源或者驱动使用的情况下，发挥的当然是用它的开关作用。但在半导体电子应用过程中，MOS管经常会出现发烫严重的现象，那么是什么原因导致MOS管发烫呢？
2022-08-15 16:14:466455 简 介： 本文对于 MOS 管工作在开关状态下的 Miller 效应的原因与现象进行了分析。巧妙的应用 Miller 效应可以实现电源的缓启动。
2022-09-16 09:09:402010 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。
2023-01-30 10:48:26805 Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为Mos内阻，就是导通电阻。
2023-02-07 09:46:111584 本文详述了配电变压器损坏原因分析及解决方法，包括配变在送电和运行中常见的故障和异常现象、配电变压器损坏原因（尤其是从变压器的声音判断故障）以及配电变压器损坏解决措施。
2023-06-03 10:07:231410 PCB板喷涂三防漆出现缩胶现象是如何引起的呢？三防漆出现缩胶现象原因是什么？什么原因引起三防漆出现缩胶现象呢？
2022-05-06 16:44:451342 
电阻损坏的原因有哪些？ 电阻是电子元器件中最基础、最常见的一种元件，用于控制电路中的电流和电压。但是，电阻也会出现损坏的情况。电阻损坏的原因有以下几点： 1. 过载使用：过载是电阻损坏最常见的原因
2023-08-29 16:46:445000 光耦损坏故障原因有哪些 光耦怎么测好坏？ 光耦（Opto-Coupler）是一种将光电设备和电子设备相互隔离或耦合的器件，它通常由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电二极管或光敏三极管）组成
2023-11-20 16:16:282534 本文详述了配电变压器损坏原因分析及解决方法，包括配变在送电和运行中常见的故障和异常现象、配电变压器损坏原因（尤其是从变压器的声音判断故障）以及配电变压器损坏解决措施。
2023-11-24 17:28:04664 光耦损坏对输出的影响 光耦损坏都有哪些现象 怎样测试光耦元件的好坏？ 光耦是一种用于隔离电路的元件，主要用于将输入信号从一个电路传输到另一个电路，同时实现电路之间的电气隔离。光耦损坏会对输出产生一定
2023-12-25 14:04:50600 Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。然而，在实际应用中，MOS管可能会因为各种原因而损坏。本文将对MOS管损坏的原因进行分析
2023-12-28 16:09:38416 
串联电抗器在运行过程中，时常会出现三大现象，比如损坏、发热、噪音大。下面跟着萨顿斯STS来了解引起串联电抗器损坏发热噪音大的原因有哪些？
2024-01-15 16:24:18180 
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