本篇主要针对CMOS电平,详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致
2020-12-23 16:06:44
47320 
在“IGBT中的若干PN结”一章中我们提到,IGBT是由BJT(双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)所构成
2023-11-29 14:08:04
548 
闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 14:10:07
2109 
闩锁效应,latch up,是个非常重要的问题。现在的芯片设计都不可避免的要考虑它。我今天就简单地梳理一下LUP的一些问题。
2023-12-01 17:11:44
704 
IGBT,即绝缘栅双极晶体管,是一种高效能的半导体器件,它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的特性。
2024-02-22 14:42:40
397 
工作电压(Vds)为200V,最大漏极电流为30A,饱和内阻RDS=85mΩ,VGS电压驱动范围为±20V,VGS≥6V管子才饱和,工作温度范围-55℃~150℃。 IGBT和场效应管有什么区别
2021-03-15 15:33:54
90kW变频器,当电流达到110A以上时,IGBT在关断的时候,出现这个波形,请问是怎么回事?在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形,当关断的时候还要再开通一下,这样不就很容易上下桥直通了吗?这是怎么回事呢?是米勒效应导致的吗?如何解决呢?
2017-07-24 10:06:32
和CMOS的闩锁效应一个道理。所以需要分别控制两个BJT的Gamma(共发射极电流放大系数),最好的方式就是Vbe短接,这就是为什么IGBT都需要把contact从Emitter延伸到Body里面去
2023-02-08 16:50:03
过电压,而在器件内部产生擎住效应,使IGBT锁定失效。同时,较高的过电压会使IGBT击穿。IGBT由于上述原因进入放大区, 使管子开关损耗增大。 IGBT传统防失效机理:尽量减少主电路的布线电感量
2020-09-29 17:08:58
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关
2021-09-09 07:16:43
IGBT的内部结构及特点:本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
2021-11-16 07:16:01
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?
2021-10-14 09:09:20
,在第二个尖峰达到最大点之后CE电压快速下降至母线电压的一半,因为是上下桥的IGBT各分担一半电压。请问CE的电压波形为什么会有两个尖峰,是由什么造成的,是驱动电压的原因还是什么,如果是驱动电压关断时的原因,那么是关断时的密勒效应影响的吗?
2024-02-25 11:31:12
`我需要通过LC电路产生一个1200A,2.5KHz的脉冲电流,所加电压500V,电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制,初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
IGBT 也称为绝缘栅双极晶体管, 是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件, 它将功率场效应管和电力晶体管的优点集于一身, 既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点, 又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点, 因此应用更加广泛。
2016-06-21 18:23:10
谁能仔细阐述一下igbt是什么吗?
2019-08-22 15:20:53
浅谈FPGA在安全产品中有哪些应用?
2021-05-08 06:36:39
浅谈UWB与WMAN无线电系统的验证
2021-06-02 06:07:49
浅谈三层架构原理
2022-01-16 09:14:46
浅谈低成本智能手机的发展
2021-06-01 06:34:33
浅谈电子三防漆对PCB板的作用有哪些?
2023-04-14 14:36:27
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 22:00 编辑
2009-07-14 22:02:36
,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管 场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体
2020-07-19 07:33:42
/N-buffer结的内建电势时,M点附近的P/N结开始正偏,部分P-emitter开始向N-drift区注入空穴,使其发生电导调制效应,电阻开始降低。RC-IGBT电压开始折回时的阳极电压VAK为VSB
2019-09-26 13:57:29
我买的一块HC6800开发板,下载程序几次后MAX232芯片发烫不能下载程序。查的好像是闩锁效应.有办法解决吗
2013-04-01 21:32:41
场效应管和IGBT是电压驱动器件。三极管特点是能够将电流放大,场效应管特点是噪声小、功耗低、没有二次击穿现象等,IGBT特点是高耐压、导通压降低、开关速度快等;2)三者都可以作为电子开关用,三极管一般
2023-02-13 15:43:28
场效应管和IGBT是电压驱动器件。三极管特点是能够将电流放大,场效应管特点是噪声小、功耗低、没有二次击穿现象等,IGBT特点是高耐压、导通压降低、开关速度快等;2)三者都可以作为电子开关用,三极管一般
2023-02-08 17:22:23
`什么是IGBT?什么是IGBT模块?什么是IGBT模块散热器?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
什么是闩锁效应?闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个
2012-08-01 11:04:10
什么是闩锁效应?闩锁效应是如何产生的?闩锁效应的触发方式有哪几种?
2021-06-17 08:10:49
什么是数码功放?浅谈数码功放
2021-06-07 06:06:15
如何解决CMOS电路中的闩锁效应在现实生活中有什么具体的事例应用没有?
2013-05-29 17:28:36
障碍!MOS管MOS管即MOSFET,中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性,输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。IGBT管IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管,是MOS管
2019-05-02 22:43:32
基耦合大环路负反馈放大器受超强干扰时可能发生的故障,不过,由于各级电路是並联的且均有直流负载,闩锁不会导致电源短路或开路,狭义的闩锁效应,是指CMOS或IGBT这类器件的 可控硅效应,这专题
2015-09-12 12:05:45
场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词,查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容,这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍,进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
通时,下管的电压会以较高的dv/dt上升,IGBT的反向传输电容与输入电容之比增加会增加米勒效应,噪声会从集电极耦合到栅极,此操作会在下管栅极引入电流,会使下管误导通”【1】自己查了一下米勒效应,是说在
2017-12-21 09:01:45
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应?
2019-09-05 03:29:03
IGBT资料包含了以下内容:
IGBT 的基本结构IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效应和安
2007-12-22 10:41:42
251 摘要:研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确
2010-05-11 10:12:02
8 闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,
2010-09-26 17:04:23
83 什么是igbt
IGBT就是大功率绝缘栅型场效应管 ,在大功率电源上或变频器上广泛使用.
2007-12-22 10:38:32
10754 
大功率模块和(可控硅 IGBT GTR 场效应)模块大全
2010-03-05 15:09:14
1554 1.IGBT的基本结构
绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国
2010-05-27 17:29:38
12136 
《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识,内容包括器件的原理、模型、设计、制
2011-11-09 18:03:37
0 2015-06-05 15:32:28
0 一种抑制ESD保护电路闩锁效应的版图研究_柴常春
2017-01-07 16:06:32
0 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有
2017-05-14 11:10:53
34989 
IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效应? IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到15V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的危险。 当上半桥的I
2017-10-26 16:52:46
14 IGBT的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机承受电流大的特点,目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。IGBT已经由第三代发展到第五代
2017-11-14 14:20:20
25 米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合,在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt,这样会引发门极VGE间电压升高而导通,这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17:00
37672 
闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。
2019-05-28 14:57:19
16626 
IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)相结合的产物。
2019-10-07 15:24:00
47919 
闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路。
2021-01-06 17:40:00
11 闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天我们就来聊一聊什么是闩锁效应~
2021-02-09 17:05:00
15268 
PrestoMOS。 采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性 非隔离型栅极驱动器 ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺,实现了高可靠性。产生闩锁效应时,会流过大电流,可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺
2021-08-09 14:30:51
2409 什么是“闩锁效应”?这个词儿对我们来讲可能有点陌生。从构造上来看,单片机由大量的PN结组成。有一个由四重结构“PNPN”组成的部分,其中连接了两个PN结。PNPN的结构是用作功率开关元件的“晶闸管
2021-11-18 10:57:08
3462 
闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件(电流注入或过电压)引起,但一旦触发,即使触发条件不再存在,低阻抗路径仍然存在。这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。
2022-02-10 11:17:39
4 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件,要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注,以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥,并保持很高的可靠性。本文对IGBT
2022-08-06 14:54:53
1999 在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中,所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应,本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05:50
6736 
,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应
2023-02-22 13:59:50
1 本内容包括三极管、场效应管、IGBT基础知识介绍,IGBT的应用等。紫色文字是超链接,点击自动跳转至相关博文。持续更新,原创不易!目录:一、三极管1、三极管驱动继电器计算1)三极管导通、截至的条件
2023-02-23 09:41:02
19 用MOS管?而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。
2023-02-23 09:34:20
0 ,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型:分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效
2023-02-23 16:03:25
4 ,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场
2023-02-23 15:50:05
2 了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!
1、什么是MOS管?
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。
MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅
场效
2023-02-24 10:36:26
6 用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫
2023-05-17 15:11:54
1041 之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念,在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台
2023-05-25 17:24:25
3999 
,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!1、什么是MOS管?场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:51
3005 
单片机闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象,那么导致单片机闩锁效应的因素是什么?单片机开发工程师表示,已知的导致单片机发生闩锁效应的因素有很多个。现总结如下:
2023-07-10 11:21:29
867 摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题,设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:00
0 Transistor)都是半导体器件,用于控制电流和电压。IGBT和MOSFET在功能和结构上非常相似,但它们有一些不同之处。 1. 结构 IGBT是由三极管和场效应管两个半导体器件组成的复合型器件
2023-08-25 14:50:01
3256 HK32MCU应用笔记(七)| 航顺HK32MCU闩锁效应问题研究及预防措施
2023-09-18 10:59:11
929 
整数霍尔效应和分数霍尔效应是再明显不过的磁通量量子化证据。把霍尔器件的边界看作等效回路,而不是应用霍尔器件的电路看作回路。
2023-10-16 13:27:09
270 igbt模块的作用和功能 igbt有电导调制效应吗? IGBT模块是一种封装了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。它的作用是将低电压高电流的控制信号转换成高电压低电流的输出信号,而且
2023-10-19 17:01:22
1318 : IGBT是一种晶体管结构,由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)控制Bipolar双极晶体管的开关动作。IGBT主要由三个部分组成: - N型沟道区:
2023-11-10 14:26:28
1270 场效应管与igbt管区别 怎样区分场效应管与IGBT管 场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)和绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar
2023-11-22 16:51:14
3258 绝缘门极双极型晶体管(IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好、驱动电路简单、饱和压降低、耐压高电流大等优点,因此现今应用相当
2024-02-27 08:25:58
171 
电子发烧友网站提供《具有故障保护功能、闩锁效应抑制和1.8V逻辑的±60V双路2:1多路复用器TMUX7436F数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 10:46:04
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制的无高电压偏置、超出电源电压、220V 1:1、32 通道开关TMUX9832数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:07:16
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的100V、扁平RON、单路8:1和双路4:1多路复用器TMUX810x数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:03:56
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制的220V高压1:1、16通道开关TMUX9616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 10:58:13
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 10:56:00
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的TMUX821x 100V、扁平Ron、1:1、四通道开关数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:16:30
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:12:39
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的±60V故障保护、1:1 (SPST)、4 通道开关TMUX741xF数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:08:22
0 电子发烧友网站提供《具有可调节故障阈值、1.8V逻辑电平和闩锁效应抑制的±60V故障保护、4 通道保护器TMUX7462F数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:41:17
0 电子发烧友网站提供《具有1.8V逻辑电平和闩锁效应抑制的TMUX7219-Q1 44V 2:1 (SPDT)精密开关数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:21:37
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的低RON、1:1 (SPST) 4 通道精密开关TMUX721x数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:20:37
0 电子发烧友网站提供《具有1.8 V逻辑电平和闩锁效应抑制特性的44V 2:1 (SPDT)精密开关TMUX7219数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:51:41
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:49:53
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的44V、低RON、1:1 (SPST)、单通道精密开关TMUX720x数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:46:22
0 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的44V、低RON、2:1、4通道精密开关TMUX7234数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 14:09:50
0 电子发烧友网站提供《具有1.8V逻辑电平和闩锁效应抑制的TMUX720x44V、8:1单通道和4:12通道精密多路复用器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 14:29:21
0
正在加载...
评论