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基于氮化镓器件的集成化技术详解
- SiC(61351)
- 氮化镓(114708)
- GaN(67132)
- 寄生电感(14443)
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Smartpa应用的需求，对于立体声双box的需求以及对天线、中壳等高度集成化需求等等，所有这些需求对Box的设计方案提出了更高的专业要求。 一个好的Box设计必然会对智能手机带来更好的音频性能以及更好的可靠性，而集成化的Box设计方
2018-06-05 09:32:27
4406
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集成化信息化信号采集处理系统有哪些
信息化信号采集处理系统的基本概念、组成、应用和发展趋势进行详细阐述。 基本概念 集成化信息化信号采集处理系统是一种基于计算机技术、通信技术、传感器技术等多种技术的综合应用系统。它通过将各种传感器、信号处理设备
2023-12-14 11:19:17361
3612009汽车电子智能化集成化应用技术研讨会暨采购配对会
和技术应用水平，以及加强汽车节能低耗建设和保障安全系数等综合指标的完美结合，需要中外汽车整车企业，电子技术及零部件供应商和元器件开发精英的大力支持和积极应对。 盖世继“汽车底盘电子化、集成化应用技术
2009-08-19 11:40:42
氮化镓: 历史与未来
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓技术在半导体行业中处于什么位置？
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化镓技术推动电源管理不断革新
的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
氮化镓GaN 来到我们身边竟如此的快
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
氮化镓GaN技术促进电源管理的发展
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
氮化镓GaN技术助力电源管理革新
结构可以使用双栅结构控制电流。用于电机驱动的矩阵转换器可以通过利用双向设备潜在地减少开关的数量。此外，氮化镓器件可以在比硅器件更高的温度下工作，这使其成为许多热门应用(如集成电机驱动)的有吸引力的选择
2018-11-20 10:56:25
氮化镓一瓦已经不足一元，并且顺丰包邮？联想发动氮化镓价格战伊始。
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
氮化镓充电器
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率芯片如何在高频下实现更高的效率？
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化镓功率芯片的优势
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓发展评估
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化镓激光器的技术难点和发展过程
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化镓的卓越表现：推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化镓芯片未来会取代硅芯片吗？
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
集成氮化镓直驱的高频准谐振模式反激控制器
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
ETA80G25氮化镓合封芯片支持90-264V输入，支持27W功率输出
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰，并充分简化了氮化镓器件的应用门槛，像传统集成MOS的控制器一样应用，得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白，推出
2021-11-28 11:16:55
IFWS 2018：氮化镓功率电子器件技术分会在深圳召开
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场和应用
赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化镓产品的替代技术。我们期待这项合作让这些GaN创新在硅供应链内结出硕果，最终服务于要求最高的客户和应用。”意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化镓器件成本优势
可以做得更大，成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件，与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛，在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
MACOM：适用于5G的半导体材料硅基氮化镓（GaN）
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试
系列光隔离探头现场条件因该氮化镓快充PCBA设计密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最优方案的同轴延长线连接（通常推荐采用MCX母座连接，可最大限度减少引线误差）。现场连接图如下：▲图1：接线
2023-01-12 09:54:23
SGN2729-250H-R氮化镓晶体管
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化镓晶体管
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓发展技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
【技术干货】氮化镓IC如何改变电动汽车市场
Canaccord Genuity预计，到2025年，电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50％或更多。本文将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
为什么氮化镓(GaN)很重要？
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
为什么氮化镓比硅更好？
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
什么是氮化镓技术
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化镓功率芯片？
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化镓功率芯片？
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化镓（GaN）？
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化镓（GaN）？
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻碍氮化镓器件的发展
带宽更高，这一点很重要，载波聚合技术的使用以及准备使用更高频率的载波都是为了得到更大的带宽。[color=rgb(51, 51, 51) !important]与硅或者其他器件相比，氮化镓速度更快
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
分光光度计系统集成化设计及研究
对分光光度计系统集成化进行了研究。提出了基于CE.NET的新型紫外/可见分光光度计的硬件系统设计及软件系统实现，该系统硬件由单色器、探测器、以及通过串口连接的单片机和基于PC\104总线的单板计算机
2011-03-07 14:26:44
如何完整地设计一个高效氮化镓电源？
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何实现小米氮化镓充电器
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驱动器优化氮化镓性能
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
实现更小、更轻、更平稳的电机驱动器的氮化镓器件
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术介绍
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
有关氮化镓半导体的常见错误观念
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
汽车底盘电子化、集成化应用技术研讨会暨采购配对会
2009汽车底盘电子化、集成化应用技术研讨会暨采购配对会（8月，上海）时间： 2009年8月27-28日 地点： 上海汽车会展中心(嘉定安亭镇博园路7575号)会议背景 ： 如今汽车底盘控制技术正向
2009-07-23 09:31:04
汽车电子智能化集成化技术研讨会暨采购配对会10月30日举行
主题Ⅱ、车载导航系统的现状和趋势 茶歇、展示区参观和自由交流 主题Ⅲ、汽车电子部件的小型化——元器件功能集成化应用 主题Ⅳ、车身电子遥控系统的智能化与集成化
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请问candence Spice能做氮化镓器件建模吗？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
谁发明了氮化镓功率芯片？
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
迄今为止最坚固耐用的晶体管—氮化镓器件
了当时功率半导体界的一项大胆技术：氮化镓（GaN）。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景，他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
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采用SOC方案来实现电路开发集成化
目前电路开发集成化是个趋势，采用SOC方案来开发可以省掉不少开发难度，但也存在一些问题，比如使用过程中系统跑飞死机的情况，如果板子没有额外的MCU，则需要由看门狗复位IC来监控系统是否跑飞死机。笔者
2022-02-11 06:23:28
高压氮化镓的未来分析
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高压氮化镓的未来是怎么样的
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
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通过对带温压补偿的集成化涡街传感器构造原理、性能特点等方面的分析, 阐述了一种流量计量新产品的构造思路, 在涡街传感器中集成压力和温度传感器, 让它们三者合为一体。这
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420行业关注丨威迈斯IPO上市推动集成化发展
该如何应对？据了解，新能源汽车核心零部件的集成化能够在产品生产、整车制造以及售后、整车性能等多个方面带来较多明显的技术优势，具体如下：一是核心零部件的集成化，通过复用部
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