本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时参考！
2022-07-06 18:10:02
1885 在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 EV、混合动力车和燃料电池车等电动车应用市场。 与Si器件相比，SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的 高效率、小型化和轻量化。 据了解，SiC功率器件的能量损耗只有Si器件的50%，发热量只有Si器件的50%，且有更高的电流密度。在相同功率等级下，SiC功率
2019-07-05 11:56:2833343 特性，能够提高高温环境下功率系统的效率。SiC SBD在常温下显示出优于Si基快速恢复二极管的动态特性:反向恢复时间短，反向恢复电流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd（Vds）呈线性增加，但由于IGBT有上升电压，因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人们当然关注SiC之类的新材料，但是，目前占有极大市场份额和应用领域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
Si整流器与SiC二极管：谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关，需要能够应对不断发展的市场的新型驱动和转换解决方案。由于其优异的热特性，SiC器件在各种应用中代表了优选的解决方案，例如汽车领域的功率驱动电路。SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-04-22 06:20:22
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC（碳化硅）？何谓碳化硅SiC功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si
2018-11-27 16:40:24
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较所谓
2018-11-27 16:38:39
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要
2018-11-29 14:34:32
前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别二极管的正向电压VF无限接近零
2018-11-30 11:52:08
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作为
2018-11-30 11:50:49
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC
2018-11-30 11:51:17
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始
2018-11-29 14:35:50
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
众多电子信息系统的性能。已有文献报道采用SiC 功率器件制作了宽带脉冲功率放大器， 并进行了性能测试和环境试验， 证实了SiC 功率器件可靠性较高、环境适应能力较强等特点。
2019-08-12 06:59:10
常适合功率元器件的半导体材料，具有优异的特性。作为肖特基势垒二极管时，具有卓越的高速性能，可实现Si-SBD无法匹敌的高耐压元器件。从耐压的角度可与Si-FRD一争高下，但其恢复性能更具优势。高速恢复
2018-12-03 15:12:02
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半导体已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性要求很严苛的车载设备上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13
的量产化，并于 2010 年全球首家成功实现了 SiC-MOSFET 的量产。罗姆希望通过本次研讨会，让更多同行了解 SiC 的优点和特性，更好地应用 SiC 功率器件。研讨会的演讲概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
器件的温升
综上，SiC SBD无反向恢复、能并联使用等特性使其在替换Si FRD时具有明显的优势。没有反向恢复，减小反向恢复带来的开关损耗从而提高系统效率，同时避免反向恢复引起的振荡，改善系统
2023-10-07 10:12:26
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
SiC-SBD的特征，下面将介绍一些其典型应用。主要是在电源系统应用中，将成为代替以往的Si二极管，解决当今的重要课题——系统效率提高与小型化的关键元器件之一。＜应用例＞PFC（功率因数改善）电路电机驱动器电路
2018-12-04 10:26:52
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。 在功率器件
2017-07-22 14:12:43
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。3英寸4H-SiC晶圆表中黄色高亮部分是Si与SiC
2018-11-29 14:43:52
甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引入内匹配电路，因此内匹配对发挥GaN功率管性能上的优势，有非常重要的现实意义。 2.SIC碳化硅(SiC)以其优良的物理化学特性和电特性成为制造高温、大功率电子器件
2017-06-16 10:37:22
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品，并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
2 : Si、SiC和GaN的特性优值比较(source：YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目标主要目标WinSiC4AP致力于为高效能、高成本效益的目标应用开发可靠的技术
2019-06-27 04:20:26
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与S
2009-11-19 08:48:432355 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的优势体现在哪些方面？电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越材料
2018-03-20 11:43:024444 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-03-02 09:35:1813799 
随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一，在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 直到最近，功率模块市场仍被硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）把持。需求的转移和对更高性能的关注，使得这些传统模块不太适合大功率应用，这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。
2019-11-08 11:41:5317040 近年来，宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性，其中重要的一条是SiC MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压，来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6 介电击穿场强高10倍、电子饱和速度高2倍、能带隙高3倍和热导率高3倍。 正因如此，SiC功率器件能够提供Si半导体无法达到的革命性性能，特别适合新能源、汽车、5G通信应用中对于高功率密度、高电、高频率、高效率、以及高导热率的应用需求。 随着外延工艺
2020-10-26 10:12:252654 
的 3 倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制，所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC，现在 4inch～6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
2021-04-20 16:43:0957 桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高温与耐高压特性 基于SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品更好的耐高温耐高压特性，其能获得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介电击穿强度大约是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:276631 碳化硅器件正在几个大容量功率应用中取代其现有的硅对应物。随着 SiC 市场份额的持续增长，该行业正在消除大规模商业化的最后一道障碍，包括高于 Si 器件的成本、相对缺乏晶圆平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 极限的功率器件材料。 SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。 用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。 Properties Si 4H-SiC GaAs GaN
2023-02-07 16:23:05496 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102 
的FBSOA。SiC可以用来制造射频和微波功率器件，各种高频整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30346 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581145 
三菱电机将投资Coherent的新SiC业务； 旨在通过与Coherent的纵向合作来发展SiC功率器件业务。 三菱电机集团近日（2023年10月10日）宣布已与Coherent达成协议，将SiC
2023-10-18 19:17:17368 和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107 
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