IGBT 功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗，这些损耗以热的形式耗散，使得在 IGBT 功率模块封装结构产生温度梯度。并且结构层不同材料的热膨胀系数( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差较大
2022-09-07 10:06:18
4436 绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12:429922 
在有限的封 装空间内，如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度，已成 为当前功率器件封装设计阶段需要考虑的重要问题之一。本文聚焦于功率器件封装结构
2023-04-18 09:53:235976 
IGBT的结构中绝大部分区域是低掺杂浓度的N型漂移区，其浓度远远低于P型区，当IGBT栅极施加正向电压使得器件开启后
2023-11-28 16:48:01596 
的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化
2012-07-25 09:49:08
IGBT封装新人报道，本人做IGBT封装的，以后和大家多交流了~
2010-04-25 14:24:48
晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGBT
2011-08-17 09:46:21
，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低
2012-07-09 14:14:57
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率
2012-07-09 10:01:42
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率
2012-07-09 11:53:47
大电流。对于 Mosfet来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，因此，很容易实现极短的开关时间。但是，和 Mosfet 有所不同，IGBT器件中少子也参与了导电。所以 IGB 结构虽然使导通压降
2022-09-16 10:21:27
式和平板压接式两种，螺栓式基本已经淘汰。模块式结构多用于将数个器件整合成基本变流电路，例如，整流、逆变模块，具有体积小，安装方便，结构简单等优点，缺点是器件只能单面散热，而且要求底板既要绝缘又要导热性
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。 IGBT数据手册资料 ：集成电路查询网datasheet5
2012-07-11 17:07:52
和CMOS的闩锁效应一个道理。所以需要分别控制两个BJT的Gamma(共发射极电流放大系数)，最好的方式就是Vbe短接，这就是为什么IGBT都需要把contact从Emitter延伸到Body里面去
2023-02-08 16:50:03
IGBT的使用方法IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT并联技术分析胡永宏博士（艾克思科技）通过电力电子器件串联或并联两种基本方法，均可增大电力电子装置的功率等级。采用这两种方法设计的大功变流器，结构相对简单，加之控制策略与小功率变流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
IGBT有哪些封装形式？
2019-08-26 16:22:43
TM 4。EconoPACK TM 4——树立新封装标准EconoPACK TM 4是一个六单元IGBT模块，包含测量温度用的NTC电阻器。该封装基于Econo封装原理［3］，采用了独特的扁平几何结构
2018-12-07 10:23:42
的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此
2021-09-09 08:27:25
简单，通态压降低，且具有较大的安全工作区和短路承受能力。 1 IGBT及其功率模块 1.1 IGBT的结构 IGBT采用沟槽结构，以减小通态压降，改善其频率特性，并采用NPT(Non Punch
2012-06-01 11:04:33
散热器的特性不比N沟IGBT差多少，这非常有利于在应用中采取互补结构，从而扩大其在交流和数字控制技术领域中的应用。 目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、IGBT、IEGT
2012-06-19 11:17:58
IGBT模块的有关保护问题-IGBT模块散热器 对IGBT模块散热器的过流检测保护分两种情况： (1)、驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过流检测器件。对于小容量变频器，一般是把电阻R直接
2012-06-19 11:26:00
的可再生能源，而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件，因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性之一，模块在退化过程中，热性能变化对于半导体模块的整体性
2020-12-10 15:06:03
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关
2021-09-09 07:16:43
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的内部结构是怎样组成的？IGBT的特点有哪些？
2021-10-15 06:01:58
是电压控制型器件，它只有开关特性（通和断两种状态），没有放大特性。由IGBT等效电路可知，它是以晶体管为主导元件，以MOS管为驱动元件的达林顿结构。当栅极电压Uge达到开启电压，IGBT导通，当Uge
2021-01-20 16:16:27
如图所示，现在的问题是IGBT的门极给的是15V驱动电压，Vce=27V,为什么导通之后负载对地的电压只有9.7V，在IGBT上的压降很大，怎么才能解决这个问题
2016-10-16 17:07:46
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2021-09-09 08:29:41
作PN二极管的阴极，而P+还继续做它的FS-IGBT的集电极，它具有增强的电流特性且改变了成本结构，因为不需要共封装反并联二极管了。实验证明，它可以提高饱和电流，降低饱和压降(~12%)。 6、IGBT
2020-08-09 07:53:55
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31:16
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
片发热厉害，分析一下，这个时候只有剩下导通损耗了呀。多次怀疑自己的开通时序问题，但是都没有发现问题，经过长时间的折腾，测试IGBT的特性，发现问题是IGBT的管压降比官方参数高，官方2.0V，实测
2015-03-11 13:15:10
及故障状态反馈电路，为驱动电路的可靠工作提供了保障。其特性为：兼容CMOS/TYL电平；光隔离，故障状态反馈；开关时间最大500ns；“软”IGBT关断；欠饱和检测及欠压锁定保护；过流保护功能；宽工作电压
2012-07-06 16:28:56
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是新一代全控型电力电子器件，具有M08场效应晶体管的电压控制、开关频率高、驱动功率小的优点，又具备大功率双极晶体管的通态压降低、耐高反压及电流额定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
。 绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好
2012-09-09 12:22:07
` 谁知道igbt是电压型还是电流型？`
2019-10-25 15:55:28
功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。 MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上
2022-06-28 10:26:31
通状态特性。IGBT的主要问题是寄生PNPN（晶闸管）结构可能导致器件故障。图1说明了该寄生晶闸管的创建过程。 图1. 直通 （PT） IGBT 的垂直横截面和等效电路模型。图片由意法半导体提供
2023-02-24 15:29:54
，但大多数600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温度系数)特性，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH
2018-08-27 20:50:45
Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温度系数)特性，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (栅射阈值电压) 及机械封装以有限的成效进行并联，以使
2018-09-28 14:14:34
晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广
2022-04-01 11:10:45
Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。 IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路
2020-07-19 07:33:42
【不懂就问】说MOS管是压控型器件，而IGBT是流控型器件导致了他们工作原理和结构的完全不一样那么既然都是可以当作开通关断或者放大作用的管子且门极驱动的话，都要接上电阻来控制开短的快慢，为什么要分电压电流型呢？电路中根据U=IR，只要有回路，压流是共存的，这怎么分得开呢？
2018-07-04 10:10:27
，究竟它是如何办到的？让我们来进一步深入了解。 通过TO-247-4L IGBT封装减少Eon损耗IGBT是主要用作电子开关的三端子功率半导体器件，正如其开发的目的，结合了高效率和快速的开关功能，它在
2020-07-07 08:40:25
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
，是一款绿色环保的电子元器件，可应用于汽车和工业用途的通用变频器等领域。 图1 RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）封装情况和电气原理图RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管
2019-04-09 06:20:10
IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。刚接触那会儿，看到转移特性、输出特性之类的就想溜之大吉，加之网上查询的资料一概笼统简单，只描述特性曲线所表示的关系结果，却并不解释曲线
2019-10-17 10:08:57
`本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件
2015-05-29 10:47:00
的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU” 。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有
2019-07-16 07:30:00
更加优化。（平面栅与沟槽栅技术的区别可以参考文章“平面型与沟槽型IGBT结构浅析”）。纵向结构方面，为了缓解阻断电压与饱和压降之间的矛盾，英家于2000年推出了Field Stop IGBT，目标在于
2021-05-26 10:19:23
和8英寸的平面型和沟槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已进入量产２ ＩＧＢＴ的工作原理ＩＧＢＴ的驱动原理与电力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一种场控器件，其开通和关断由栅射极电压u GE
2021-03-22 19:45:34
进入国家电网系统的企业，打破欧美等国家对我国在这一市场领域的技术垄断，加快了国家智能电网“中国芯”国产化的步伐。IGBT器件作为电压控制型器件，具有容量大、损耗小、易于控制等优点，可使换流器拓扑结构更加
2015-01-30 10:18:37
，最新技术的特点为正面采用沟槽栅结构可进一步减小正向导通时饱和压降值，同时背面采用场截止技术进一步优化器件的开关性能，在提高性能同时可使芯片做的更薄，这种结构特性对高压器件来说是重要的。图3 中科君芯
2014-08-13 09:01:33
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之间的关系，就必须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解，下面我将用最简单易懂的语言来为大家逐一讲解。BJT：双极性晶体管，俗称三极管。内部结构（以PNP型BJT为例
2023-02-10 15:33:01
二极管型防护器件是利用硅PN结正向压降（VF）和反向雪崩击穿电压（VZ）特性制成的，如瞬变电压抑制二极管（TVS）。它有两种形式：一是齐纳型单向雪崩击穿，二是双向的硅压敏电阻。TVS器件在规定
2013-02-25 10:41:28
(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小
2012-06-19 11:36:58
A:TVS 瞬态电压抑制器是在稳压二极管的基础上发展而来的，是一种二极管形式的新型高效能保护器件。B:TVS通常采用二极管式的轴向引线封装结构，TVS的核心单元是芯片，芯片主要材料为半导体硅片或晒片
2021-04-18 18:07:31
和DRAM），40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm，堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。图1 元器件内芯片的堆叠 堆叠元器件（Amkor PoP）典型结构如图2所示： ·底部PSvfBGA
2018-09-07 15:28:20
]的结构如图6所示。 这种结构使IGBT既有MOS FET可以获得较大直流电流的优点，又具有双极型晶体管较大电流处理能力、高阻塞电压的优点。这种器件可以连接在开关电路中，就像NPN型的双极型晶体管
2012-03-31 11:21:58
，它是单个无联系的、具有器件功能特性的管芯，封装在一个管壳内的电子器件，在大功率、高反压、高频高速、射频微波、低噪声、高灵敏度等很多应用场合起着举足轻重与不可替代的关键作用。一些先进的半导体生产工艺
2018-08-29 10:20:50
优化工艺，将PWell拐角——即电场最强处的N型区去掉，达到了既能降低IGBT的VCEsat，又不明显降低IGBT的耐压的目的。（a）SPT IGBT结构示意图（b）SPT+ IGBT结构示意图图
2015-12-24 18:23:36
IGBT-1200A型测试仪可以测试大功率IGBT（双极型晶体管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲线。在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
的导通能量损耗，并在电力电子学的典型模式下扩大开关元件的安全工作区域。使用硅IGBT可以优化器件的成本。这种减少损耗功率的频率相关分量的要求突出了改善IGBT频率特性的必要性，因为正是这种元件限制了
2023-02-22 16:53:33
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
障碍!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。IGBT管IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
研制成功1kA /2.5kV平板型IGBT，由于集电、发射结采用了与GTO类似的平板压接结构，采用更高效的芯片两端散热方式。特别有意义的是，避免了大电流IGBT 模块内部大量的电极引出线，提高了可靠性
2019-03-03 07:00:00
二极管；过流器件则以PPTC元件自恢复保险丝为主，下面由我们优恩半导体来讲讲开关型过压器件陶瓷气体放电管的生产工艺，其生产流程主要包括以下关键步骤：原材料清洁—画碳线—涂覆—封装—烧结—早期失效分拣
2017-07-28 11:11:38
期间需要较厚的衬底来维持电场，如图1（a）所示。-n-衬底的厚度是决定IGBT中饱和压降的主要因素。 传统NPT IGBT的“n-”漂移层和“p+”集电极之间的“n”型掺杂场截止层（如图1（b）所示
2018-09-30 16:10:52
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
保护，可有效地使电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲的损坏。本文对TVS管的结构与特性进行了介绍： TVS管是在稳压二极管的基础上发展而来的，是一种二极管形式的新型高效能保护器件。 TVS管通常
2018-11-05 14:21:17
，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低
2019-03-05 06:00:00
本文由IGBT技术专家特约编写，仅供同行交流参考。 IGBT的结构与工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件
2012-03-23 11:13:52
的结果 杂散电感与电流变化率的结合影响着器件的开通和关断电压特性，可以表示为ΔV=L*di/dt。因此，如果器件关断时电感Lσ较大，电压尖峰就会升高。关断行为对栅极电阻很不敏感。这是沟槽场截止IGBT
2018-12-07 10:16:11
），到现在的超结IGBT（SJ-IGBT），新结构层出不穷，并且正在向功率器件集成化和智能功率模块方向发展。今天我们来聊一聊一种具有双向阻断能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
防雷过压器件分为钳位型过压器件和开关型过压器件，开关型过压器件就是我们熟知的防雷器件:陶瓷气体放电管、半导体放电管和玻璃放电管；钳位型过压器件有瞬态抑制二极管、压敏电阻、贴片压敏电阻和ESD静电
2016-12-26 11:25:21
IGBT（绝缘栅双极晶体管）生产和封装技术的革命性发展，拓宽了这种主力电源开关技术的应用范围。IGBT的基本概念是双极性（高电流密度）的开关器件，以及如MOSFET器件上的高阻抗栅极。尽管人们早在
2018-12-03 13:47:00
功率执行器件，需求量不断增加。基于这个目的出发，我们中国北车进行国产的高压大功率IGBT模块封装已满足国内的需求，在高铁和动车上主要用的IGBT是650伏600安培的，目前我们公司可以封装650伏600安培
2012-09-17 19:22:20
在一些要求高可靠性的应用场合，希望功率半导体器件可以稳定运行30年以上。为了达到这个目标，三菱电机开发了X系列高压IGBT模块，特别注重了可靠性方面的设计，并在实际的环境条件下进行了验证，结果显示失效率可以得到明显降低。本文着介绍在IGBT数据手册上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT的结构和工作原理
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅
2010-03-04 15:55:315186 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
绝缘栅双极晶体
2010-03-05 15:53:4510640 对于压接式IGBT器件，封装结构引起的寄生参数不一致将导致开通瞬态过程中并联IGBT芯片的电流分布不一致，使部分芯片在开关瞬态过程中的电流过冲太大，从而降低了开通性能。采用寄生参数提取、电路建模
2018-01-07 11:04:08
7 本文档的主要内容详细介绍的是IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明包括了：IGBT 的基本结构，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效应和安全工作区，IGBT 的驱动与保护技术，集成
2020-09-10 08:00:0019 IGBT是电压控制型器件，它只有开关特性（通和断两种状态），没有放大特性。由IGBT等效电路可知，它是以晶体管为主导元件，以MOS管为驱动元件的达林顿结构。
2020-11-21 10:17:0037937 的壳温，而IGBT器件由于封装尺寸远大于芯片尺寸，所以壳温不易准确测量，测量过程中引入的误差较多，最终无法得到器件真正的热阻值。
2021-04-29 09:15:084006 
IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动
2023-02-17 16:40:23915 为了更好了解IGBT，下面我们再来看看它的内部结构：一般，IGBT 有三个端子：集电极、发射极和栅极，他们都是附有金属层。但是，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。IGBT结构其实就相当于是一个四层半导体的器件。四层器件是通过组合 PNP 和 NPN 晶体管来实现的，它们构成了 P-N-P-N 排列。
2023-02-22 15:58:183058 
IGBT绝缘栅双极型晶体管一简介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432105 
单元，IGBT模块得到越来越广泛的应用。IGBT器件封装形式主要有焊接式和压接式两种，其中焊接式发展成熟，应用广泛。IGBT模块的封装结构比较复杂，是由多种材料组合
2023-05-18 10:11:522952 
IGBT : 是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。 编辑：黄飞
2023-07-07 09:36:321089 
摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。
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