电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管，也称为BJT，简称为电力晶体管。它与晶闸管不同，具有线性放大特性，但在电力电子应用中却工作在开关状态，从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断，是典型的自关断器件。
2011-01-22 11:57:57
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根据定义，相同晶体管具有相同的W/L和工艺技术常数。在简单电流镜中，两个晶体管具有相同的VGS。
2020-11-20 13:55:3310216 
来源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 本次活动是对11月份学子专区的延续；本次将介绍电流镜，其输出可以不受输入电流变化的影响。因此，使用MOS晶体管从另一个角度来研究
2021-01-24 12:16:382786 
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。
2022-08-01 09:03:571150 
NMOS在工作在饱和区时是一个非线性压控电流源，小信号时可以看成是线性的。
2023-02-16 15:13:461567 
NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。
2023-02-21 17:35:148860 
NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。
2023-04-17 11:58:511767 
“晶体管开关”，是使用晶体管控制电路通断的开关。根据实际应用场景，也称“模拟开关(analog Switch)”或“逻辑开关(Logic Switch)”。它或许是一些电子发烧友们DIY时遇到的第一个电路。本文将展示四种晶体管开关电路，其中2种使用NMOS，2种使有PMOS。
2023-06-12 09:29:002031 
传输门是由外部施加的逻辑电平控制的NMOS和PMOS晶体管组成的双向开关。
2023-08-10 09:02:201943 
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
的种类电压电流双极晶体管集电极发射极间电压 : VCE集电极电流 : IC数字晶体管输出电压 : VO (GND‐OUT间电压)输出电流 : IOMOSFET漏极源极间电压 : VDS漏极电流
2019-04-15 06:20:06
用。基极电压源通过电阻提供基极电流为了使晶体管成为电子开关工作，需要提供一个电压源，并将其通过电阻与基极相连接。如果要使开关导通，基极电压源通过电阻向晶体管的基极提供足够大的电流IB就可以使得晶体管导
2017-03-28 15:54:24
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
的变化。
1、当栅极电压未达到门槛电压时，漏源之间基本处于关断状态，即使漏源之间加上电压漏电流也很小。
2、当栅极电压达到门槛电压时，导电沟道开始出现，场效应管进入线性区，漏源之间电阻开始减小，此时漏源
2024-01-18 16:34:45
工作。所加负向电压越大，在PN结处所形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小;反之，所加负向电压越小，在PN结处所形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。由此通过控制栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的控制。
2016-06-29 18:04:43
示二进制的“0”和“1”。 源极和漏极之间是沟道(Channel)，当没有对栅极(G)施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。可以把
2017-08-03 10:33:03
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
晶体管的 电流放大原理 该怎么解释？
2017-03-12 20:30:29
在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下，晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。 晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。 h 参数
2021-05-13 07:56:25
(sat)，这是集电极-发射极间的饱和电压。这是流过既定的集电极电流时，即晶体管导通时的电压降，因此可通过该值求得导通时的电阻。 MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间
2020-06-09 07:34:33
电流时，即晶体管导通时的电压降，因此可通过该值求得导通时的电阻。MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘，因此不会流过
2018-11-28 14:29:28
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图Z0214是晶体管的h参数等效电路。 关于h参数等效电路，应注意以下几点： （1）电压的参考极性为上正下负，电流的参考正方向是流入为正
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-05-05 00:52:40
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
”现象。这就是因输入信号的幅值太高，晶体管进入饱和区后，对信号失去放大作用，同时对信号产生限幅作用后的结果。由此可得出第一个问题的答案：随着基极电流的增加，晶体管的工作状态将由放大区向饱和区过渡，当
2012-02-13 01:14:04
分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 体管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
，并联晶体管的源极电流仍然存在部分共享路径，这将会对栅极驱动产生影响（见图2）。理想情况下，所有源极电流都将从漏极流至晶体管源极，但不可避免的一种情况是，部分源极电流会从开尔文源极（Kelvin
2021-01-19 16:48:15
原厂供应中低压高压MOSA1SHB（HU2301是PMOS管 HU2302是NMOS管。A1SHB（HU2301）PMOS管。晶体管类型 ： P沟道MOSFET最.大功耗PD ： 1.25W漏源电压
2020-09-21 21:26:22
Finfet技术（3D晶体管）详解
2012-08-19 10:46:17
的比例关系。2）偏置电路 当晶体管用于实际的放大电路时，还需要添加合适的偏置电路。这有几个原因。首先，由于晶体管的BE结（相当于二极管）的非线性，输入电压达到一定水平后必须产生基极电流（对于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
NPN晶体管的b处没有电压输入时，c和e之间没有电流流动，三极管处于截止状态。在图（b）中，当正电压输入到NPN晶体管的b时，e的N区的负电子被b中P区的正电子吸引。 由于发电厂的作用，它们冲向（扩散
2023-02-15 18:13:01
化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT2020产品名称：射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
，电压源耦合到PNP晶体管。这一次，发射极连接到电源电压V抄送通过负载电阻器，RL，限制流过连接到集电极端子的设备的最大电流。基电压VB相对于发射极偏置负，并连接到基极电阻R。B，用于再次限制最大基极
2023-02-03 09:44:48
。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中
2010-08-13 11:36:51
的“0”和“1”。源极和漏极之间是沟道(Channel)，当没有对栅极(G)施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭
2017-09-12 11:10:57
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。（2）夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道
2019-04-04 10:59:27
本设计实例是一个2线式电流调节器（图1），它在性能和器件数目之间达到了很好的平衡。通过使用三个晶体管、三个电阻和一个LED灯，可实现很好的调节效果（在大部分电压范围内准确度好于1%）、较低的工作
2018-09-29 17:15:25
，场效应晶体管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。3、三极管输入阻抗小，场效应晶体管输入阻抗大。4、有些场效应晶体管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。5、场效应晶体管
2019-04-08 13:46:25
区域组成：栅极、源极和漏极。与双极晶体管不同，FET 是电压控制器件。栅极处的电压控制电流从晶体管的源极流向漏极。场效应晶体管具有非常高的输入阻抗，从几兆欧 (MΩ) 到更大的电阻值。
这种高输入阻抗
2023-08-02 12:26:53
：发射极、基极和集电极;场效应晶体管的三极是：源极、栅极、漏极。由于晶体管的三极性，它们也有三种使用方式：接地发射极（也称为公共发射放大器/ CE配置），接地基极（也称为公共基极放大器/CB配置）和接地
2023-02-03 09:36:05
行直流测试，显示结果优良，表明氮化镓在未来透明电子系统中有很大的应用潜力。我们的晶体管栅极—源极距离为1.5μm的，栅极长为2μm，栅极—漏极距离为9.5μm，呈现的最大漏电流为602 mA/mm，最大
2020-11-27 16:30:52
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于实际原因，保持区域大致相同至关重要。 如前所述，实现更多计算能力的一种方法是缩小晶体管的尺寸。但随着晶体管尺寸的减小，漏极和源极之间的距离降低了栅极控制沟道区域电流的能力。正因为如此，平面
2023-02-24 15:25:29
PLC输入分为源型和漏型，什么是源型和漏型，是指传感器的晶体管类型吗？源型NPN和漏型PNP，还是指信号流入流出的方向，源极为流出，射极为流入？再或者是指信号输出的方式，集电极输出和射极输出？电子专业常说的有源指的是什么？什么有源负载，有源电路的。
2024-01-14 00:29:14
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
单极型晶体管也称场效应管，简称FET（FieldEffectTransistor）。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与
2020-06-24 16:00:16
的第一个电路。 本文将展示四种晶体管开关电路，其中2种使用NMOS，2种使有PMOS。 在电路设计过程中，有时需要“独立”控制几个开关的通与断。例如构造某种波形。晶体管开关能够实现一些开关的通与断不会
2016-08-30 01:01:44
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
（1）场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。五、场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极
2011-12-19 16:30:31
耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压
2019-05-08 09:26:37
在开路形态下保管。4、场效应晶体管(包括结型和绝缘栅型)的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换运用。但是有的绝缘栅场效应晶体管在制造商品时已把源极和衬底衔接在一同了，所以这种管子的源极和漏极
2019-03-22 11:43:43
、漏极电流等参数。选用音频功率放大器推挽输出用VMOS大功率场效应晶体管时，要求两管的各项参数要一致（配对），要有一定的功率余量。所选大功率管的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
电路功能与优势数字控制电流源在许多应用中至关重要，如电源管理、电磁阀控制、电机控制、阻抗测量、传感器激励和脉搏血氧仪等。本文介绍三种利用 DAC、运算放大器和 MOSFET 晶体管构建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57
区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图1. 晶体管工作区 这些区域定义为： • 饱和区域。 在这个区域，晶体管将偏置最大基极电流，用于在集电极上实现最大电流，在集电极-发射极处实现最小压降
2023-02-20 16:35:09
1. 场效应晶体管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而场效应晶体管是电压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流
2019-03-29 12:02:16
有一个电流源，其电流大小未知，其变化范围从微安到几十毫安（5V供电），需要设计一个可控电路，或接通后电流源可对电容充电，或断开。试着采用NMOS管实现开关作用，利用NMOS的栅源电压大于阈值电压时漏
2017-05-19 11:44:05
电路怎么设计？我采用NMOS管实现开关作用，完成开关的闭合。但是由于电路中使用的是电流源，当我用OrCAD Capture CIS建立仿真电路时，总是提示电流源的输出管脚错误 ERROR
2017-12-01 16:20:52
我有一个源极跟随器（共漏极）配置的NMOS晶体管，但具有从输出到输入的反馈。它被用作功率级，因为负载的功率很高。如何用运算放大器代替电压源？
2024-03-01 07:26:44
输出电压 : VO (GND‐OUT间电压)输出电流 : IOMOSFET漏极源极间电压 : VDS漏极电流 : ID例：开关双极晶体管2SD2673时的波形(100µs/div)由于随后要计算开关
2019-05-05 09:27:01
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流
2008-08-12 08:39:59
直流电流增益率的关系式GI：数字晶体管的直流电流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2电压关系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
引起的拉应力，限制垂直漏极 - 基板泄漏电流并防止导电Si衬底中的深度击穿路径，在两者之间插入晶格缓冲层（图2）。硅体和晶体管的有源顶侧。 图2.格缓冲区 该缓冲器在确定晶体管的关键可靠性特性中起着
2023-02-27 15:53:50
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时，寄生输出电容完全放电，GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
Transistor, MOSFET）。其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。二、常见的nmos和pmos的原理与区别NMOSNMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-11 06:28:29
限模拟乘法器由6个级联的两输入组合结构单元(Combiner)组成，这种结构已广泛应用于射频电路中，它的NMOS管分别对源漏相接，且通过负载电阻R直接到电源。因它的输入电压可直接控制晶体管电流，因而该乘法器
2019-07-16 07:40:41
，另外就一个就是芯片制程，制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极（Gate）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗
2020-07-07 11:36:10
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
，使场效应晶体管不会失效。就选择场效应晶体管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道场效应晶体管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压
2019-04-02 11:32:36
是沟道区，n+区是漏区。对于p型TFET来说，p+区是漏区，i区是沟道区，n+区是源区。漏极电压用Vd表示，栅极电压用Vs表示，栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
越大,亦即 SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。SIT和一般场效应晶体管(FET)在结构上的主要区别是：①SIT沟道区掺杂浓度低，为1012～1015厘米-3
2010-06-25 20:35:16
的电流-电压特性曲线，即I-V 曲线。晶体管的I-V 特性决定了器件的基本功耗、效率和其他主要性能驱动因素。从本质上来说，I-V 曲线是漏极-源极电流(I) 与漏极-源极电压(V) 之间的关系图，用不
2018-08-04 14:55:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑
高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48:28
高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58:43
（PTAT）的电流，利用这个电流与一个工作在饱和区的二极管连接的NMOS晶体管的阈值电压进行补偿，实现了一个低温漂、高精度的基准电压源的设计。 1 NMOS晶体管的构成 两个工作在弱反型区的NMOS晶体管
2018-11-30 16:38:24
晶体管线性阶梯波发生器电路图
2009-07-01 13:11:05567 
。 本文将展示四种晶体管开关电路，其中2种使用NMOS，2种使用PMOS。 在电路设计过程中，有时需要独立控制几个开关的通与断。例如构造某种波形。晶体管开关能够实现一些开关的通与断不会影响其他开关的通与断，即开关之间相互独立，相互无关。常在人机交互场景之中有着特定
2020-09-03 15:28:3023364 
双极型晶体管的原理 双极型晶体管是一种电流同时控制电子和空穴的导电，是最普及的一种功率晶体管，具有体积小、质量轻、耗电少、寿命长、可靠性高的特点。 双极型晶体管原理： 对于PNP型器件，需要将两组
2021-08-18 17:24:334930 NMOS晶体管是一种电子元件，它是一种半导体晶体管，其中N指的是n型半导体材料，它具有负极性，可以用来控制电流的流动。它的主要功能是在电路中控制电流的流动，以及控制电路的输入和输出信号。
2023-02-11 16:09:0511838 
nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。
2023-02-11 16:41:541979 
PMOS晶体管，也称为P沟道金属氧化物半导体，是一种晶体管形式，其中沟道或栅极区域使用p型掺杂剂。这个晶体管与NMOS晶体管完全相反。这些晶体管包含三个主要端子：源极、栅极和漏极。晶体管的源极端
2023-02-11 16:48:0312266 
将详尽论述NMOS和PMOS的符号区别以及相关的特点。 NMOS代表n型金属氧化物半导体，它是以n型材料为基础的晶体管。相比之下，PMOS代表p型金属氧化物半导体，它是以p型材料为基础的晶体管。这两种类型的晶体管有着不同的电流和导通特性。 首先，我们来看NMOS的符号。
2023-12-18 13:56:221530 晶体管偏置电阻的计算主要是为了确定适当的基极电流以确保晶体管正常工作和线性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
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