电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>浅谈降低MOSFET损耗和及EMI性能提高

浅谈降低MOSFET损耗和及EMI性能提高

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

电源设计如何减少MOS管的损耗同时提升EMI性能

他方面的损耗,反而会引起更严重的EMI问题,导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能
2017-12-24 08:36:5316901

瑞萨推出第三代车载SJ-MOSFET,同时降低导通电阻和EMI

瑞萨电子开发第三代车载SJ-MOSFET,计划1~2年内开始量产。该器件降低了导通电阻和EMI(电磁噪声)...
2013-05-31 09:22:201467

如何优化PCB设计以最大限度提高超级结MOSFET性能

基于最近的趋势,提高效率成为关键目标,为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比,超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。
2014-04-17 11:24:121348

如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能

本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
2015-09-18 14:33:176213

简化的MOSFET等效电路,看Rds和Rg电阻损耗

简化的MOSFET等效电路MOSFET开通(turn on)过程MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗Di
2017-10-31 15:43:3821570

开关管MOSFET损耗分析及其优化方法

本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
2023-08-17 09:16:301300

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能
2023-09-11 14:55:31347

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

东芝将进一步扩大其MOSFET产品线,通过减少损耗提高设备电源效率,进而帮助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196

MOSFET 和 IGBT的区别

正确的二极管外,设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗EMI需要折中,因为较高的di/dt 会
2018-08-27 20:50:45

MOSFET与IGBT的本质区别

阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗EMI需要折中,因为较高的di/dt会导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通di/dt
2021-06-16 09:21:55

MOSFET功率损耗详细计算

MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39

MOSFET性能受什么影响

提高电源的开关和导通损耗。此外,它还会提高电磁干扰的噪声水平,从而使设计出的产品达不到理想的性能。若要最大限度降低电路板布局带来的影响,设计人员必须确保通过将驱动和MOSFET尽可能地背靠背放置,从而
2019-05-13 14:11:31

MOSFET的高速trrSJ-MOSFET:PrestoMOS

内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列与标准型AN系列相比,trr速度提高至约1/5。同时,反向恢复电流Irr也降低至约1/3。这些特性的提升
2018-11-28 14:27:08

MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?

MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗?
2023-05-16 14:33:51

浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

MOSFET更好的在系统中应用,需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。  接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品  基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低
2023-02-27 16:03:36

降低二极管桥式整流器的导通损耗方案

的SiC,可使用更小的电感器,仍能达到以前相同的电感器纹波电流要求。在OBC系统中使用SiC MOSFET的好处是能够以更高的频率进行开关,功率密度更高,能效更高,EMI性能得到改善以及系统尺寸减小
2022-05-30 10:01:52

降低电机损耗的关键制造技术

电机效率的影响因素降低电机损耗的关键制造技术
2021-01-26 07:49:16

降低碳化硅牵引逆变器的功率损耗和散热

使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。但随着半导体技术的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关,通过降低电阻和开关损耗提高
2022-11-02 12:02:05

降低電源中的EMI

降低電源中的EMI
2021-08-25 17:11:19

降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法

导通电阻,但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降,但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流,开关损耗增加,失去了MOSFET的高速的优点。  以上两种办法
2023-02-27 11:52:38

B1M080120HC 1200V碳化硅MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件损耗更适合应用于高频电路

B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。降低器件损耗,提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42

LED照明电路:利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例

转换器采用R6004END时,开关损耗略有减少,两种因素叠加可使效率提高1%左右。另外,在开关损耗降低的同时,噪声也得以改善。综上所述,通过重新探讨开关MOSFET的特性和栅极电阻,可同时改善效率和噪声,因此,与上一篇、上上篇中提到的二极管相同,MOSFET的特性也需要充分进行探讨和确认。
2022-04-09 13:36:25

OptiMOS 3功率MOSFET系列产品为高能效产品提供更高性能

的基础。MOSFET设计的改进可使电路设计者充分发挥改进器件的性能,比如开关性能提高和其他几个关键参数的改善,可确保转换器能够更高效地运行。某些情况下,还可对设计的电路进行修改。若不采用这些改进
2018-12-07 10:21:41

PQFN封装技术提高性能

关断器件。这会大大延迟关断,从而增加MOSFET的功率损耗降低转换效率。此外,杂散电感可导致电路中出现超过器件电压额定值的电压尖峰,从而导致出现故障。  旨在降低电阻和提升热性能的封装改进还可极大
2018-09-12 15:14:20

【工程师小贴士】通过改变电源频率来降低 EMI 性能

的调制,以引入边带能量,并改变窄带噪声到宽带的发射特征,从而有效地衰减谐波峰值。需要注意的是,总体 EMI 性能并没有降低,只是被重新分布了。利用正弦调制,可控变量的两个变量为调制频率 (fm) 以及您
2017-05-16 16:56:41

【干货】MOSFET开关损耗分析与计算

本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子
2021-01-30 13:20:31

【微信精选】怎样降低MOSFET损耗提高EMI性能

模块电源的开关频率来降低驱动损耗,从而进一步提高轻负载条件下的效率,使得系统在待机工作下,更节能,进一步提高蓄电池供电系统的工作时间,并且还能够降低EMI的辐射问题;2.通过降低、来减少MOSFET
2019-09-25 07:00:00

【微信精选】菜鸟也能轻松选择MOSFET:手把手教你看懂产品数据

就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg),最大限度地减少传导损耗提高开关性能。这样,MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt),甚至可在更高的开关频率下可靠地工作。
2019-09-04 07:00:00

一文解读mosfet与igbt的区别

外,设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗EMI需要折中,因为较高的di/dt 会导致电压尖
2019-03-06 06:30:00

为何使用 SiC MOSFET

。设计挑战然而,SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑,在带来改进的同时,也带来了设计挑战。在诸多挑战中,工程师必须确保:以最优方式驱动 SiC MOSFET,最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36

全SiC功率模块的开关损耗

SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容,有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET,开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30

功率MOSFET的开关损耗:关断损耗

提高开关的速度,从而降低开关损耗,但是过高的开关速度会引起EMI的问题。(2)提高栅极驱动电压也可以提高开关的速度,降低开关损耗。同时,高的栅极驱动电压会增加驱动损耗,特别是轻载的时候,对效率
2017-03-06 15:19:01

功率MOSFET的开关损耗:开通损耗

过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗,以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示,RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻,RG2为功率
2017-02-24 15:05:54

如何提高天线的性能

无论您的系统是用于无线通信、雷达,还是 EMI/EMC 测试,系统的性能水平都是由其中的天线决定的。系统天线的性能决定了系统的整体质量,最终可能会影响整个程序或应用软件的效率。本文介绍了 5 个旨在帮助您提高天线性能的关键要点。
2021-02-24 07:24:14

如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能

开关管MOSFET的功耗分析MOSFET损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51:06

如何使用摆率控制来降低EMI

问题:如何使用摆率控制来降低EMI
2019-03-05 20:59:44

如何使用转换速率控制EMI

MOSFET的驱动电流,减缓该MOSFET的接通时间,同时有助于降低开关节点振铃噪音。注意:减慢高侧MOSFET的关闭时间会增大开关损耗。在低电磁辐射和高侧MOSFET的开关损耗之间选用RHO时,需要
2018-08-31 19:55:41

如何使用集成有源 EMI 滤波器降低 EMI 并缩小电源尺寸

从事低电磁干扰 (EMI) 应用的设计工程师通常面临两大挑战:需要降低设计的 EMI,同时还要缩小解决方案尺寸。用于减轻开关电源产生的传导 EMI 的前端无源滤波可确保符合传导 EMI 标准,但这种
2021-08-31 14:58:42

如何去降低USB 3.x的插入损耗

如何去降低USB 3.x的插入损耗?有大神能解答这个问题吗
2021-07-15 06:26:36

如何在降低TCO的同时提高数据中心性能

对于各种不同的数据中心工作负载,FPGA 可以显著提高性能,最大程度减少附加功耗并降低总体拥有成本 (TCO)。
2019-10-10 07:46:05

如何在不改PCB的情况下降低EMI?

汽车电源设计之不改PCB如何降低EMI
2021-03-18 06:04:50

如何更加深入理解MOSFET开关损耗

如何更加深入理解MOSFET开关损耗?Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响?
2021-04-07 06:01:07

如何测量EMI滤波器插入损耗

如何测量EMI滤波器插入损耗
2014-04-04 10:44:43

如何设计既能降低开关管损耗,且可降低变压器的漏感和尖峰电压的RC电路?

开关电源设计中,我们常常使用到一个电阻串联一个电容构成的RC电路, RC电路性能会直接影响到产品性能和稳定性。如何设计既能降低开关管损耗,且可降低变压器的漏感和尖峰电压的RC电路?
2019-01-10 14:07:18

如何通过驱动高功率LED降低EMI

问题:如何通过驱动高功率LED降低EMI
2019-03-05 14:33:29

封装寄生电感对MOSFET性能的影响

中的寄生源电感。因此,采用SMD封装的MOSFET也能实现快速开关,同时降低开关损耗。适用于4引脚器件的SMD封装名为“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升压转换器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33

射频VMMK器件是怎么通过降低寄生电感和电容提高性能的?

射频VMMK器件是怎么提高性能的?通过降低寄生电感和电容吗?
2019-08-01 08:23:35

开关损耗更低,频率更高,应用设备体积更小的全SiC功率模块

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗
2018-12-04 10:14:32

开关电源中EMI的来源及降低EMI的方法

效率。图8.将启动电阻器添加到LMR23630转换器开关节点的影响。EMI辐射较低,但由于开关损耗较高,因此效率有所降低。图8显示了LMR23630 EVM的EMI辐射扫描。对布局进行更改后,将输入
2019-06-03 00:53:17

怎么改变电源频率来降低EMI性能

  解决问题:怎么改变电源频率来降低EMI性能  解决办法:调制电源开关频率延伸EMI特征  更大调制指数进一步降低峰值EMI性能  文章里的这种方法涉及了对电源开关频率的调制,以引入边带能量,并
2016-01-15 09:57:10

怎么改善功率转换性能

今天的电源设计人员和测试工程师都在努力寻找非常小的渐进改良方案,来提高功率转换效率,或降低设计中的损耗。这要求能够准确评估和测量非常小的性能提高
2019-08-12 06:24:09

改善电路的EMI特性的有效措施

设计角度,讨论如何降低电路 EMI。为提高开关电源的功率密度,电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的 MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积,从而在单位体积内可实现更高的功率
2020-10-10 08:31:31

最佳EMI抑制性能的设计规则有哪些?

将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI提高信号的完整性,本文从IC内部封装入手,分析EMI的来源、IC封装在EMI控制中的作用,那么,最佳EMI抑制性能的设计规则具体有哪些呢?
2019-08-06 07:58:53

模块电源待机损耗在哪?怎样降低待机功耗?

能够正常工作,这个损耗是无法避免的,在IC选型的时候尽量选择工作电流小的。  四、开关管损耗  输入端的MOS管Q1在待机的时候,主要体现的是开关损耗,所以需要降低待机时MOS管的损耗,待机的工作频率
2023-03-20 16:59:01

理解功率MOSFET的Coss产生损耗

功率MOSFET的Coss会产生开关损耗,在正常的硬开关过程中,关断时VDS的电压上升,电流ID对Coss充电,储存能量。在MOSFET开通的过程中,由于VDS具有一定的电压,那么Coss中储能
2017-03-28 11:17:44

电机损耗降低的方法

减小硅钢片的厚度,但薄铁芯片会增加铁芯片数目和电机制造成本。3、采用导磁性能良好的冷轧硅钢片降低磁滞损耗。4、采用高性能铁芯片绝缘涂层。5、热处理及制造技术,铁芯片加工后的剩余应力会严重影响电动机
2018-10-11 10:21:49

英飞凌40V和60V MOSFET

MOSFET的半导体厂商。 此外,集成一个类似肖特基的二极管可提高系统能效,并降低尖峰电压。它采用的是一种单片集成式单元结构,相比常规MOSFET体二极管而言,在很宽的负载范围内具备多种关键优势。一方面
2018-12-06 09:46:29

请问如何改善开关电源电路的EMI特性?

设计角度,讨论如何降低电路EMI。为提高开关电源的功率密度,电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积,从而在单位体积内可实现更高的功率等级
2020-10-21 07:13:24

选择正确的MOSFET

新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg),最大限度地减少传导损耗提高开关性能。这样,MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt),甚至可在更高的开关频率下
2011-08-17 14:18:59

通过优化的功率级布局减少双电池汽车系统中的EMI和功率损耗

MOSFET和去耦电容器的布局布置。目的是在开关换向期间最大程度地减小功率环路寄生电感并降低电压过冲。随之而来的三个优点是:更低的电磁干扰(EMI),更低的开关电压应力和更高的转换效率。48V电池电压变化
2019-09-21 13:25:03

通过集成式有源EMI滤波器降低EMI并缩小电源尺寸的方法

有源EMI滤波技术是一种较新的EMI滤波方法,可减弱电磁干扰,让工程师能够大幅缩小无源滤波器的尺寸、降低成本并提升EMI性能。为了说明有源EMI滤波器在EMI性能提升和空间节省方面的主要优势,在本文
2022-11-04 08:12:50

通过驱动器源极引脚将 开关损耗降低约35%

%。-明白了。最后请你总结一下,谢谢。SiC MOSFET具有超低导通电阻和高速开关的特点,还具有可进一步缩小电路规模、提高相同尺寸的功率、以及因降低损耗提高效率并减少发热量等诸多优点。另一方面,关于
2020-07-01 13:52:06

降压稳压器电路中影响EMI性能和开关损耗的感性和容性寄生元素

噪声的传导回路面积较大,进一步推动辐射发射的产生。在第 3 部分中,我将全面介绍降压稳压器电路中影响 EMI 性能和开关损耗的感性和容性寄生元素。通过了解相关电路寄生效应的影响程度,可以采取适当的措施将
2020-11-03 07:54:52

降压稳压器电路中影响EMI性能和开关损耗的感性和容性寄生元素

在第 3 部分中,我将全面介绍降压稳压器电路中影响 EMI 性能和开关损耗的感性和容性寄生元素。通过了解相关电路寄生效应的影响程度,可以采取适当的措施将影响降至最低并减少总体 EMI 信号。一般来说
2022-11-09 07:38:45

集成高侧MOSFET中的开关损耗分析

图1:开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时,驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分,您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段(图
2022-11-16 08:00:15

高耐压超级结MOSFET的种类与特征

的SJ-MOSFET。通过降低栅极电阻Rg和栅极-漏极间电荷量Qgd,提高了开关性能。通过提高开关速度,可降低开关损耗提高效率。最后列出了这三个系列相关技术信息的链接。这里虽然给出了各系列的特征,但为了进一步
2018-12-03 14:27:05

MOSFET损耗分析与工程近似计算

根据MOSFET的简化模型,分析了导通损耗和开关损耗,通过典型的修正系数,修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗,计算结果表明该电源中
2011-11-14 16:46:22112

MOSFET开关损耗分析

为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:0538

ZVS的实现方案解析和MOSFET损耗分析

MOSFET损耗主要包括如下几个部分:1导通损耗,导通损耗是比较容易理解的,即流过MOSFET的RMS电流在MOSFET的Rdson上的I^2R损耗降低这个损耗也是大家最容易想到的,例如选用更低
2017-11-22 17:26:0225214

浅谈开关电源中EMI来源 电源模块如何降低EMI

本文将介绍开关电源中EMI的来源以及降低EMI的方法或技术。本文还将向您展示电源模块(控制器、高侧和低侧FET及电感器封装为一体)如何帮助降低EMI
2018-10-17 18:08:158065

MOSFET开关管的的损耗分析与计算

MOSFET损耗分析
2019-04-17 06:44:006005

EMI滤波器与插入损耗的具体分析

1.7 EMI滤波器与插入损耗
2019-02-20 06:14:0010996

从设计角度讨论如何降低电路EMI

开关电源小型化设计中,提高开关频率可有效提高电源的功率密度。但随着开关频率提升,电路电磁干扰(EMI)问题使电源工程师面临了更大的挑战。本文以反激式开关拓扑为例,从设计角度,讨论如何降低电路EMI
2019-07-19 16:02:28640

怎样降低PCB的EMI

优秀PCB设计练习降低PCB的EMI有许多方法可以降低PCB设计的EMI基本原理:电源和地平面提供屏蔽顶层和
2019-08-20 09:11:383845

Mosfet损耗的原因有哪些和参数计算公式

Mosfet损耗主要有导通损耗,关断损耗,开关损耗,容性损耗,驱动损耗
2020-01-08 08:00:0011

如何提高EMI性能

降低开关频率也会增加转换器电感、输出电容和输入电容的物理尺寸。同时,需要使用一个大尺寸π滤波器以通过传导辐射测试。随着开关频率降低,滤波器中的电感L和电容C需相应增大。在低压线路满载条件下,电感电流额定值应大于最大输入电流。因此,前端需要使用一个大尺寸电感和多个电容以符合严格的EMI标准。
2020-08-06 10:07:503392

电机效率的影响因素_降低电机损耗的关键制造技术

  超高效电机最重要的是工艺保证程度。电动机效率不断提高的过程是产品不断更新换代的过程,同时也是一个国家电机工业综合水平的标志。   高效电动机的设计要点就是要降低各项损耗提高电动机效率
2020-09-10 10:19:051490

降低电源模块EMI的解决方案

随着电路集成化、模块化,电路分析和设计可以说成是系统的分析和设计,EMI方案研究会对今后的电子产品性能提高有显著影响。电子产品的日益普及,以及对电磁危害的逐渐认识,减小电磁干扰EMI已经成为了目前电子科学界的重要课题。下面分析下如何降低电源模块EMI
2021-03-03 17:21:432581

功率MOSFET的开关损耗分析

功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248

降低EMI的常规方法

图1以降压转换器拓扑为例,说明了不同频带下各个因素的影响。随着设计压力不断提升,通过提高开关频率来降低尺寸和成本,以及通过增大压摆率来提高效率,使EMI问题变得更加严重。因此,有必要采用不影响电源设计、同时具有成本效益且易于集成的EMI缓解技术。
2021-05-01 09:17:004041

AN144-通过静默交换机设计降低EMI提高效率

AN144-通过静默交换机设计降低EMI提高效率
2021-05-07 15:27:556

节省空间,降低EMI

节省空间,降低EMI
2021-05-20 11:42:156

高速PCB损耗性能的影响分析

性能的影响强弱,探讨了如何降低高速PCB的插入损耗,可为高速PCB的选材和加工工艺设计提供参考。 关键词:高速电路板;高速材料;加工工艺;插入损耗;信号完整性 0引言 随着高速互联链路信号传输速率的不断提高,作为器件和信号传输的
2021-11-23 16:39:008973

东芝低尖峰型MOSFET降低EMI的好帮手TPHR7404PU

TPHR7404PU 做电源设计的工程师朋友都知道,MOSFET由于其快速开关,导通电压低等特性,在电源设计中应用的非常广泛。但是使用MOSFET时易出现的尖峰电压会增加EMI(电磁干扰
2021-11-26 15:08:032422

高压MOSFET的原理与性能的详细分析

在功率半导体器件中,MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换,特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域,MOSFET没有竞 争对手,但随着MOS的耐压提高,导通电阻随之
2022-03-11 11:20:173004

降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法

在功率半导体器件中,MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换,特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域,MOSFET没有竞 争对手,但随着MOS的耐压提高,导通电阻随之
2022-03-17 09:35:332873

SiC MOSFET应用中的EMI改善方案分析

寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃时间。这种尖峰会降低设备的设计裕量,并且较长的振铃时间会引入EMI
2022-08-29 15:20:381010

干货 | 如何降低晶体管和变压器损耗提高开关电源效率?

干货 | 如何降低晶体管和变压器损耗提高开关电源效率?
2023-01-05 09:51:42388

浅谈降低电机损耗的关键制造技术

降低定子铜耗的措施,主要包括减小定子电阻、缩短绕组端部长度;减薄绝缘,提高槽满率、增加导线截面积、采用新材料降低电磁线的电阻率等;
2023-01-15 14:34:24968

R课堂 | 使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证 —前言—

关键要点 ・ SiC MOSFET因其在降低功率转换损耗方面的出色表现而备受关注。 ・ 以DC-DC转换器和EV应用为例,介绍使用新一代(第4代)SiC MOSFET所带来的优势–降低损耗
2023-02-15 23:45:05343

学技术 | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率损耗

的传导和开关损耗,本文以给出了使用ST碳化硅MOSFET的主要设计原则,以得到最佳性能。一,如何减少传导损耗:碳化硅MOSFET比超结MOSFET要求更高的G级电压
2022-11-30 15:28:282648

DMC4040SSD可降低MOSFET损耗 确保可靠运行

电子发烧友网站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET损耗 确保可靠运行.pdf》资料免费下载
2023-07-25 16:07:110

性能提升,功耗降低!,这样的MOSFET是你的最爱么?

性能提升,功耗降低!,这样的MOSFET是你的最爱么?
2023-12-04 15:09:36114

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333

变压器有哪些损耗?如何降低变压器的损耗

变压器有哪些损耗?如何降低变压器的损耗? 变压器中存在几种主要的损耗,包括铜损、铁损和额外损耗。下面将详细介绍这些损耗,并提出一些有效降低变压器损耗的方法。 一、铜损 铜损是由于变压器的线圈电阻
2023-11-23 15:04:281377

已全部加载完成