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电子发烧友网>模拟技术>高电压平台和SiC碳化硅功率开关的核心

高电压平台和SiC碳化硅功率开关的核心

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7.1.1阻断电压7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.5总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-02-07 16:12:08568

7.1.2 单极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.1.2单极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.1.1阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长
2022-02-07 15:01:28396

碳化硅功率器件的基本原理、特点和优势

碳化硅SiC功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319

碳化硅功率器件封装的关键技术有哪些呢?

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。
2023-08-03 14:34:59347

碳化硅SiC功率器件,全球市场总体规模,前三十大厂商排名及市场份额

本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:451806

第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件的应用

SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。 在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342

碳化硅功率器件的封装—三大主流技术

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。
2023-09-27 10:08:55300

碳化硅的5大优势

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件的原理和应用

随着科技的快速发展,碳化硅SiC功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20360

小米汽车发布会:自研小米800V碳化硅压平台

小米自研小米800V碳化硅压平台:871V
2023-12-28 14:19:11272

碳化硅功率器件的优势应及发展趋势

随着科技的不断进步,碳化硅SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管(SiC Diode)、碳化硅晶体管(SiC Transistor)等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性,可以在更高的温度和电压下工作,实现更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125

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