电子发烧友App
近年来碳化硅材料应用于电子设备技术有了长足的发展，碳化硅材料比通用硅有更突出的优点，这主要归功于碳化硅材料比通用的材料有更高的电场击穿电压、更快的电荷移动速度和更宽的能带间隙，且碳化硅材料导热能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点，使得在PFC电路（功率因数校正）上的MOSFET开通损耗减少，效率得到进一步的提升。
PFC电路
基本半导体碳化硅功率器件凭借其优良的性能，常用于大功率元器件中，其碳化硅的宽禁带 (3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D06065KS的重复（非重复）峰值反向电压为650V，工作结温范围是-55℃-175℃，完全满足PFC的电路环境。
在大功率PFC电路中，二极管可能需要并联使用以扩大容量，器件的电流均匀分配问题需要考虑，二极管的前向电压和导通电阻的特性是关键。B1D06065KS所特有的正温度系数的特性能保证器件并联时的均流要求。
假设由于某些原因，两个二极管出现电流不均匀的状态，其中一个二极管分配的电流较大，则它的导通电阻、正向压降就相应的增大，阻碍电流的进一步增大，从而促进电流的再一次分配最后达到电流平衡状态。
碳化硅肖特基二极管B1D06065KS提供内绝缘TO-220封装封装，是在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热，该工艺可以简化生产步骤，提高生产质量和整机的长期可靠性，可有效解决产业界痛点的绝缘和导热问题。内绝缘 TO-220 封装外形跟普通铁封TO-220产品基本一致，但其背面散热器不再是二极管的阴极，属于悬浮电位，具有优越的性能和极高的工作效率。
审核编辑：刘清
碳化硅肖特基二极管B1D06065KS在PFC电路中的应用有哪些？
- MOSFET(209665)
- PFC(104485)
- 肖特基二极管(34330)
- 碳化硅(47293)
相关推荐
1200V/10A碳化硅肖特基二极管
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
600V碳化硅二极管SIC SBD选型
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型
电压或高温条件的器件非常有利。在高频、高温、高功率及恶劣环境下，仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。 碳化硅二极管广泛应用于开关电源、功率因素校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半导体碳化硅肖特基二极管
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
二极管常见问题15答。申请加精。绝对有用。
的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受冲击电流小，可靠性不高等缺点。但是目前已有很大
2012-07-15 15:28:24
在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性，在持续使用内部体二极管的连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）设计，例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
碳化硅二极管选型表
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二极管技术演进解析
），P阱与N-形成的PiN会投入工作，减小浪涌时刻VF的增长，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 图（4）二极管正向与电流密度关系图 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管均采用JBS结构。 05
2023-02-28 16:55:45
碳化硅肖特基二极管的基本特征分析
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
碳化硅半导体器件有哪些？
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
碳化硅混合分立器件 IGBT
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00:47
肖特基二极管不同封装的功能有哪些？
的。肖特基二极管是属于一种低功耗、超高速、反向恢复时间短的二极管，所以肖特基二极管的用途有很多种，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，在通信电路中作整流二极管、小信号检波二极管等使用。一般
2021-07-09 11:45:01
肖特基二极管应用的电路
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
肖特基二极管特点是什么？有哪些常用型号？
1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管
2021-06-30 16:48:53
肖特基二极管的优势有哪些？
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二极管的优缺点有哪些？
）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
肖特基二极管的应用电路是怎样的？
肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用，是典型的肖特基二极管一种应用电路。 肖特基二极管在电路中，主要利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而
2021-03-15 14:44:01
肖特基二极管的目前趋势
，大多数硅用于高达250V的电压，而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压，工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1
2017-04-19 16:33:24
Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二极管 附上同系列选型参数表
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，极低反向电流 ，无反向恢复电流 ，低电容电荷， 提高效率，降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二极管 新能源电动汽车解决方案
小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
Si与SiC肖特基二极管应用对比优势
电阻率。 碳化硅肖特基二极管的两种内部结构和电路符号如图1所示，在高掺杂N+阴极电极和低掺杂N-外延层之间插入了一个N型掺杂层。这一层叫作电场终止层，主要用器件在阻断状态下承受电场。这使得外延层可以
2019-01-02 13:57:40
【好文分享】PFC旁路二极管的作用，不看不知道！
能对升压二极管起保护作用。我的观点是：1：PFC续流二极管碳化硅的应用.2：雷击浪涌实验而需要加旁路二极管。具体原因我在附件里面已经描述了。
2021-01-28 14:10:17
了解功率二极管，这15个知识点你必须知道
的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降
2017-05-22 14:07:53
介绍二极管的反向恢复时间和碳化硅二极管
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不
2023-02-15 14:24:47
关于功率二极管的一些疑问大扫盲
最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压
2014-04-26 13:42:10
关于功率二极管的一些问题，你知道吗？
：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受冲击电流
2016-11-14 20:04:40
创能动力推出碳化硅二极管ACD06PS065G
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
功率模块中的完整碳化硅性能怎么样？
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管，也是一个不错的选择，与纯硅解决方案相比，可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解
》 Gen3 02 电源效率对比 碳化硅肖特基二极管应用在1500W电源的PFC电路中（位置如下图）。 测试条件： 输入电压 100V、220V 输出电压 48V 输出电流30A 图（3
2023-02-28 17:13:35
如何区分硅二极管和锗二极管？
）SiC器件可以减少功率器件的体积和电路损耗。4.3 碳化硅肖特基二极管的应用SiC肖特基二极管可广泛应用于开关电源、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏逆变器等中高功率领域，可显著降低
2023-02-07 15:59:32
揭开肖特基二极管目前的发展趋势
二极管都一样。例如，大多数硅用于高达250V的电压，而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压，工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远
2018-10-19 15:25:32
用于PFC的碳化硅MOSFET介绍
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
部分关于功率二极管相关知识
：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与 硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受
2020-09-18 17:00:12
C3D03060F分立碳化硅肖特基二极管
C3D03060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 12:10:17
C3D03060A分立碳化硅肖特基二极管
C3D03060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 12:16:00
C3D04060E分立碳化硅肖特基二极管
C3D04060E为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 12:23:31
C3D04060F分立碳化硅肖特基二极管
C3D04060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A分立碳化硅肖特基二极管
C3D04060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 15:55:46
C3D06060G分立碳化硅肖特基二极管
C3D06060G为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:04:58
C3D06060F分立碳化硅肖特基二极管
C3D06060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:12:24
C3D06060A分立碳化硅肖特基二极管
C3D06060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:18:33
C3D08060G分立碳化硅肖特基二极管
C3D08060G为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:25:05
C3D08060A分立碳化硅肖特基二极管
C3D08060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A分立碳化硅肖特基二极管
C3D10060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D分立碳化硅肖特基二极管
C3D16060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D分立碳化硅肖特基二极管
C3D20060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065Q分立碳化硅肖特基二极管
C6D06065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 19:27:15
C6D06065G分立碳化硅肖特基二极管
C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E分立碳化硅肖特基二极管
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
C3D06065A分立碳化硅肖特基二极管
C3D06065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能
2022-05-29 19:57:02
C6D06065E分立碳化硅肖特基二极管
C6D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能
2022-05-29 20:05:08
C6D06065A分立碳化硅肖特基二极管
C6D06065A为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能
2022-05-29 20:09:11
C3D06065I分立碳化硅肖特基二极管
C3D06065I为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能
2022-05-29 20:28:03
C4D02120E分立碳化硅肖特基二极管
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A分立碳化硅肖特基二极管
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E分立碳化硅肖特基二极管
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A分立碳化硅肖特基二极管
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E分立碳化硅肖特基二极管
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A分立碳化硅肖特基二极管
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A分立碳化硅肖特基二极管
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H分立碳化硅肖特基二极管
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E分立碳化硅肖特基二极管
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D分立碳化硅肖特基二极管
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A分立碳化硅肖特基二极管
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H分立碳化硅肖特基二极管
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D分立碳化硅肖特基二极管
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A分立碳化硅肖特基二极管
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A分立碳化硅肖特基二极管
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D分立碳化硅肖特基二极管
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H分立碳化硅肖特基二极管
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D分立碳化硅肖特基二极管
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A分立碳化硅肖特基二极管
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G分立碳化硅肖特基二极管
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H分立碳化硅肖特基二极管
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D分立碳化硅肖特基二极管
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H分立碳化硅肖特基二极管
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D分立碳化硅肖特基二极管
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:46:36
CPW3-0600-S002B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW3-0600-S002B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二极管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 11:50:51
CPW3-0600-S003B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW3-0600-S003B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二极管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 16:59:38
CPW3-0600-S004B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW3-0600-S004B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二极管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:04:50
CPW2-0600-S006B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW2-0600-S006B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二极管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:13:08
CPW2-0600-S008B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW2-0600-S008B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二极管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:20:01
CPW2-0600-S010B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW2-0600-S010B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二极管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:26:29
CPW2-0650-S008B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW2-0650-S008B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有
2022-06-07 17:37:39
CPW2-0650-S012B裸片碳化硅肖特基二极管
CPW2-0650-S012B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有
2022-06-07 18:08:01
碳化硅肖特基二极管的优点及应用
碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:05
6028
6028SiC碳化硅二极管、SiC碳化硅肖特基势垒二极管常用规格介绍
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:241680
1680
碳化硅肖特基二极管B1D06065KS在PFC电路中的应用
能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点，使得在PFC电路（功率因数校正）上的MOSFET开通损耗减少，效率得到进一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384
384
碳化硅肖特基二极管的原理及应用
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34802
802
国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管B1D20065K替代IDH20G65C5应用于PFC电路
替换为碳化硅肖特基二极管，可以减小损耗，减小了对周围电路的电磁干扰，提高电源的可靠性，满足严格的电源能效认证要求。 一般来说，我们都希望在单相PFC
2022-07-25 13:47:17
工商网监
评论