来源 华西证券编辑:智东西内参作者:吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临,以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中,Ga...
2021-08-31 06:32:26
。我们来看看它的开关技术与氮化镓(镓)为基础的解决方案的对比。我们也得到了公司的采取什么规格是重要的应用,如5G 波束指导和意义的集成电荷泵驱动程序。射频开关设计方法的权衡像门罗微电子的其他射频开关产品
2022-06-13 10:34:18
10张PPT了解5G网络优化基础
2021-02-26 06:21:03
5G最佳网络性能,可设置隔离带;5G规模商用部署时,无需设置隔离带。 3 结束语 本文提出了5G组网架构,并总结了2.6GHz频段5G网络建设中BBU建设方案、前传方案、天面配改方案和供电改造方案
2020-12-03 14:03:54
%。5G将会给GaN带来新的市场机遇,主要是基站中GaNPA取代LDMOS。同时由于电磁波频率提升,未来需要布置更多基站,对元器件的需求量也会增加。Yole预计Sub-6GHz时就会使用GaN器件。但是
2019-06-11 04:20:38
2019年中美贸易战打响,全球经济衰退并没有阻挡科技的发展趋势。从全球半导体巨头来看,我国研究调整机构将根据科技、5g、人工智能的发展趋势,汽车、AR应用和云数据中心成为推动2020年半导体增长
2019-12-03 10:10:00
GaN具有体积小功率大的特性,是目前最适合5G时代的PA材料。SiC和GaN等第三代半导体将更能适应未来的应用需求。模拟IC关注电压电流控制、失真率、功耗、可靠性和稳定性,设计者需要考虑各种元器件对模拟
2019-05-06 10:04:10
5G基站建设,配套先行。随着三大运营商2020年5G集采落地,50万5G基站建设已在路上。但由于原4G基站站点新增5G设备后,整站功耗上升,相应的基站电源配套需首先进行升级改造,以保障5G基站
2021-12-28 06:45:15
5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。氮化镓、MMIC、射频 SoC 以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-05 04:20:15
的RAM将不会满足所需,宏旺半导体ICMAX LPDDR4X 8GB满足5G时代手机、平板和超薄笔记本对运行内存的要求, 大容量国内行业领先单颗8GB,可提供每秒34.1GB的数据传输速率,同时最大
2019-08-17 10:10:01
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-31 07:47:23
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。
2019-08-16 07:57:10
对于大规模MIMO系统而言,第4代氮化镓技术和多功能相控阵雷达(MPAR)架构可提升射频性能和装配效率——DavidRyan,MACOM高级业务开发和战略营销经理解说道,向5G移动网络的推进不断加快
2019-08-02 08:28:19
个单独元件组成的组件相比,可以更容易地对电路板进行返工。第4代氮化镓优势就半导体层面而言,第四代硅基氮化镓(Gen4GaN)已经作为LDMOS的明确替代者来服务于针对5G部署的下一代基站,尤其对于
2017-08-03 16:28:14
的组件相比,可以更容易地对电路板进行返工。第4代氮化镓优势就半导体层面而言,第四代硅基氮化镓(Gen4 GaN)已经作为LDMOS的明确替代者来服务于针对5G部署的下一代基站,尤其对于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表,相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多,制造成本更为高昂,可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
天线:MassiveMIMO和新材料将应用5G封测:各大封测厂积极备战5G芯片化合物半导体迎来新机遇电磁屏蔽、导热材料获得新市场空间
2020-12-30 06:01:41
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
数据中心应用服务器电源管理的直接转换。 此外,自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电和5G基站中的高效功率放大器包络线跟踪等应用可从GaN技术的效率和快速切换中受益。 GaN功率器件的传导损耗降低,并
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
`从研发到商业化应用,氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新,其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响,并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
应用的发展历程无疑是一次最具颠覆性的技术革新过程,为射频半导体行业开创了一个新时代。通过与ST达成的协议,MACOM硅基氮化镓技术将获得独特优势,能够满足未来4G LTE和5G无线基站基础设施对于性能
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
已经有不少硅基氮化镓组件被通信客户采用。为了保证供应,MACOM不久前还与ST签署了合作协议。从中可以看出,往后具有更大集成效能的半导体材料应用或将走向历史的中央舞台。5G促使企业加速国内本土化进程目前
2019-01-22 11:22:59
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品,这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多:半导体器件可靠性更高,氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多,即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同,我们可以将成本做到很低,在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代,需要的器件越来越多,价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室测试对象:氮化镓半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
和碳化硅,在室温下电化学刻蚀在某些情况下是成功的。此外,光辅助湿法蚀刻产生类似的速率,与晶体极性无关。 介绍 宽带隙半导体氮化镓、碳化硅和氧化锌对许多新兴应用具有吸引力。例如,AlGaN/GaN高电子
2021-10-14 11:48:31
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
的开路条件下被光蚀刻。 介绍近年来,氮化镓和相关氮化物半导体在蓝绿色发光二极管、激光二极管和高温大功率电子器件中的应用备受关注。蚀刻组成材料的有效工艺的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不寻常的化学
2021-10-13 14:43:35
Canaccord Genuity预计,到2025年,电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50%或更多。本文将探讨氮化镓(GaN)电子器件,也涉及到一点碳化硅(SiC),在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
为何要用GaN技术来实现5G通信?
2020-12-29 07:30:12
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
目前,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,宽禁带,以下简称为:WBG)”以及基于新型材料的电力半导体,其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
行业标准,成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
(SiC)和氮化镓(GaN)是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比,两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流,从而可以提高半导体工作温度。此外,SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓。氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案,或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题,尽管不排除芯片可能存在不适用的领域,但是大部分时候是应用层面的问题,和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
RF 应用来说越来越具有吸引力。迈向5G 之路与GaAs、硅或其他传统半导体材料相比,GaN将在5G 网络应用中大放异彩,如高频和尺寸受限的小型蜂窝。如下图所示,随着标准向5G 演变,无线网络的强化会
2017-07-28 19:38:38
当提到 5G 的承诺 – 小于 1 毫秒的延迟、100 倍的网络能量效率、20 Gbps 的峰值数据速率以及10 Mps/m2 的区域流量容量,提供商们仍大有可为。5G 预定在 2020 年进行商业发布,预计可以提供所有这些显著的优势,包括更“绿色”和高效的通信网络。
2019-07-26 07:56:47
的测试,让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题,泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课,氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。但对于手机而言,氮化镓材料还有很多难题需要解决,例如功耗、散热与成本。 不同工艺比较(数据来源于OKI半导体)射频氮化镓技术是5G的绝配虽然氮化镓用到
2016-08-30 16:39:28
的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓。氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比,氮化
2019-07-05 04:20:06
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢?
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
`根据Yole Developpement指出,氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体企业受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,如果不妥,请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能:Ka频段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
会产生热量。这些发热限制了系统的性能。比如说,当你笔记本电脑的电源变热时,其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量,并且降低了它的效率。由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料,它的发热量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料,因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同,GaN 具有更宽的带隙,这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
2023-03-03 10:14:39718 氮化镓(GaN)被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,今天金誉半导体带大家来简单了解一下,这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12663
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