半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂，在器件中，电阻率会影响电容、串联电阻和阈值电压。霍尔电压测量用来推导半导体类型（n还是p）、自由载流子密度和迁移率。
2020-01-15 11:18:39
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半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，因为杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英国还专程看了华为英国公司的石墨烯研究，搞得国内好多石墨烯材料的股票大涨，连石墨烯内裤都跟着炒作起来了~~小编也顺应潮流聊聊半导体材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
无严格要求的特点。因此，目前检测半导体材料电阻率，尤其对于薄膜样品来说，四探针是较常用的方法。 四探针技术要求使用四根探针等间距的接触到材料表面。在外边两根探针之间输出电流的同时，测试中间两根探针的电压差。最后，电阻率通过样品的几何参数，输出电流源和测到的电压值来计算得出。
2021-01-13 07:20:44
有这些材料中，电流的流动可以与材料的导电性直接相关，导电性是电阻率的倒数。电阻率是材料的一种特性，它与温度有关。半导体电阻率的温度依赖性对其在电子学中的应用起着重要的作用。在本文中，我们将探究其中的原因
2022-02-25 09:55:01
流测压的过程,需要设备能输出电流并且测试电压2电阻率及电子移率通常范围较,需要电流电压范围都很大的设备3电流源和电压表精度要高,保证测试的准确性测试设备： Series 2600B SMU光电
2020-05-09 15:22:12
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
和气体敏感膜。金电极连接气敏材料的两端，使其等效为一个阻值随外部待测气体浓度变化的电阻。由于金属氧化物有很高的热稳定性，而且这种传感器仅在半导体表面层产生可逆氧化还原反应，半导体内部化学结构不变
2012-08-29 15:40:48
在这里我们通过半导体与其他材料的主要区别来了解半导体的本性： 在室温下，半导体的电导率处在103~10-9西[门子]/厘米之间，其中西[门子]/厘米为电导率的单位，电导率与电阻率互为倒数。一般金属
2018-03-29 09:04:21
导电聚合物材料的电学特性是通过掺杂来控制其电阻率来改变的。因此精确测量导电聚合物的电阻率具有重要意义。半导体工业中普遍使用四探针测量仪测量无机半导体材料的电阻率。而导电聚合物属于有机半导体材料，导电
2019-07-05 08:28:34
表明，金属材料电阻的相对变化与其线应变成正比。这就是金属材料的应变电阻效应。（2）半导体材料的应变电阻效应。对半导体材料施加应力时，除了产生形变外，材料的电阻率也要发生变化，这种现象称为压阻效应。很早
2008-06-04 11:02:18
到周围土壤中的一种方法。如果您正在进行电阻测量，那么您正在测试特定的安装地面。电阻率是土壤的独立电性质。如果您正在进行电阻率测量，那么您正在测试土壤本身。电阻率为我们提供了一种量化材料差异和导电
2018-10-25 09:56:57
近似地测量表面电阻,测得的表面电阻值主要反映被测试样表面污染的程度.所以,表面电阻率不是表面材料本身特性的参数,而是一个有关材料表面污染特性的参数.当表面电阻较高时,它常随时间以不规则的方式变化.测量表面电阻
2020-09-14 15:29:02
电阻率与霍尔电压的测量PV电池材料的电阻率可以采用四针探测的方式3，通过加载电流源并测量电压进行测量，其中可以采用四点共线探测技术或者范德堡方法。 在使用四点共线探测技术进行测量时，其中两个探针用于
2011-07-05 17:41:37
电阻率测量/控制型仪表，采用MCU微控制器完成信号采集处理、自动温度补偿，电阻率低限报警；卫生级316L不锈钢电极，外型轻巧，价位适中，仪表长期运行稳定、准确、可靠。
2019-09-20 09:11:19
表面电阻/表面电阻率, 体积电阻/体积电阻率, 点对点电阻, 接地电阻的测量静电耗散材料电阻和电阻率的测量表面电阻/表面电阻率, 体积电阻/体积电阻率, 点对点电阻, 接地电阻的测量l 表面电阻
2008-09-03 17:12:52
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
进行高电阻测量测量高阻和绝缘材料电阻率高阻低电流测量体电阻率和表面电阻率惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量用6线电阻测量技术获得更准确的电阻测量碳纳米管半导体纳米线碳纳米管 FET纳米传感器
2021-11-16 15:59:56
0.000001 至 0.1% 的掺杂剂即可使半导体材料达到有用的电阻率范围。半导体的这种特性允许在材料中创建具有非常精确电阻率值的区域。文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:38:40
和复合同时存在并到达动态均衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯洁半导体的电阻率较大，实践应用不多。
2020-03-26 15:40:25
源表不像源-测量单元那样具有极高输入电阻测量能力。数字源表由于其内置了源功能，所以可以用来生成一组电流－电压（I-V）特性曲线，这对于半导体器件和材料的测试是非常有用的。当电源时可作为可编程电压源或可
2022-04-08 16:33:47
合物的电阻率，硬度，化学性能，机械强度和电阻率。（2）接触形式：点接触，线接触，面接触。（3）接触表面条件：当接触表面形成氧化膜（除了银）时，该氧化膜具有比金属本身大得多的电阻。（4）接触压力。（5
2021-01-19 13:58:59
的输入阻抗大约为1014Ω。而且，电流源的输出电阻必须比未知电阻大得多，才能使测量为线性。样品两端的电压决定于样品的电阻，因此在使用恒流法时，难于考虑电压系数的问题。如果关心电压系数，最好使用恒压法。静电计电压表和分离的电流源可以在采用四点探头法或van der Pauw法测量半导体材料的高电阻率时使用。
2011-08-09 14:22:29
测量高阻低电流测量体电阻率和表面电阻率惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量用6线电阻测量技术获得更准确的电阻测量碳纳米管半导体纳米线碳纳米管 FET纳米传感器和阵列单电子晶体管分子电子有机
2021-11-11 10:35:10
测量高阻低电流测量体电阻率和表面电阻率惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量用6线电阻测量技术获得更准确的电阻测量碳纳米管半导体纳米线碳纳米管 FET纳米传感器和阵列单电子晶体管分子电子有机
2021-12-08 15:35:04
低电流测量 体电阻率和表面电阻率 对惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量 测量高阻和绝缘材料电阻率 高阻低电流测量 体电阻率和表面电阻率 惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量 用6线电阻
2020-08-12 15:08:14
研究方向的热点。在半导体材料的研究中，电阻率、载流子密度和迁移率是测试的关键参数。二·测试难点1、宽禁带材料的带隙较大，击穿电场较高。超禁带材料击穿电场更高。因此需要上千伏高压源表进行测试。2、功率
2022-01-23 14:15:50
收购吉时利KEITHLEY6517B高阻表应用领域：薄膜材料高阻低电流测量体电阻率和表面电阻率对惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量测量高阻和绝缘材料电阻率高阻低电流测量体电阻率和表面电阻率
2018-11-09 11:28:25
过程(充电－测量－放电)，控制一系列的电阻测量。Agilent4338B低电阻测试仪主要技术指标：●测量参数：R(直流电阻)、I(直流电流)、ps(表面电阻率)，pv(体电阻率)。●测量范围：电阻1*103
2021-03-05 10:40:06
功能，最大输出电压达300V，最小测试电流100pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。S系列源表应用l
2019-12-26 16:27:42
华天电力专业生产接地电阻测试仪，专注电力行业十五年。接地电极的电阻与其放置和驱动的土壤的电阻率有关，因此土壤电阻率计算和测量是设计接地装置时的一个关键方面。
2018-10-24 10:26:55
ES3010E接地电阻土壤电阻率测试仪（简易型）可以使用2、3、4线法测量接地电阻、土壤电阻率、接地电压测量等功能。接地电阻量程可达：0.00Ω～30.00KΩ，土壤电阻率量程可达：0.00ΩM
2015-12-12 11:27:52
基于付利叶变换形成的复电阻率程序，可针对野外和实验室多频激电测量，也可用于谐波可控源音频大地电磁、频域电磁、磁电阻率(MMR)以及其它利用磁场探头的方法。这是一个改进增强型程序，除付利叶变换
2011-03-04 22:00:42
一系列的电阻测量。Agilent4338B低电阻测试仪主要技术指标： 测量参数：R(直流电阻)、I(直流电流)、ps(表面电阻率)，pv(体电阻率)。测量范围：电阻1*103Ω至 1.6x1016
2021-11-03 14:48:44
测量范德堡法电阻率
2020-12-08 06:23:42
本文详细介绍了如何使用这些测试夹具来进行表面电阻率和体电阻率的测量，以及测量电阻率时使用的变换极性和变换电压的技术。
2021-04-14 06:16:27
请问导电材料电阻率有哪几种经典的测量方式？
2021-04-12 07:01:37
加入，而电压降则在两个内部的探针之间测量。表面电阻率的计算公式为：其中：σ=以欧姆/□ 为单位的表面电阻率，V=电压表测得的电压，I=电流源电流。注意，表面电阻率的单位表达为欧姆，以区别于测量出的电阻
2017-08-10 09:12:54
值。 R=1/G， 其中G为物体电导，导体的电游艇阻越小，电导就越大，数值上等于电阻的倒数。单位是西门子，简称西，符号s。 常见导体的电阻率 材料 20℃时的电阻率 （&micro
2010-03-16 15:54:40
在工程中，测量大地电阻率常用的方法是四极法测量电阻率，也称温纳法。这种方法的设计实现较为复杂，抗干扰也不强。还有一种方法就是采用电桥法测量，听说业内有人搞成功过，不知道这种设计是怎么实现的，特想大家请教一下，探讨一下。
2018-03-16 10:03:17
在许多的预防性试验中都需要测量材料的电阻参数，然而常常有电阻及电阻率测量不准的情况出现，今天中试控股帮您分析什么影响了电阻（率）测量的准确性。一、测试电压介质材料的电阻(率)值一般不能在很宽的电压
2021-08-12 15:28:26
电阻率的计算公式
2021-03-17 07:51:25
三极法测量土壤电阻率四极法测量土壤电阻率及注意事项
2021-02-24 08:49:59
, CdTe 等；3、低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等。 四、系统原理：霍尔效应测试系统主要是对霍尔器件的 I-V 测量，再根据其他相关参数来计算出对应的值。电阻率：范德
2020-06-08 17:04:49
密度和迁移率。为确定半导体范德堡法电阻率和霍尔电压，进行电气测量时需要一个电流源和一个电压表。为自动进行测量，一般会使用一个可编程开关，把电流源和电压表切换到样本的所有侧。4200A-SCS参数
2020-02-11 11:01:19
，有如下反应：42 （2） 上式表明，被氧俘获的电子释放出来，这样半导体表面载流子浓度上升，从而半导体表面电阻率减小。三、氧化物半导体甲烷传感器的研究进展 尽管甲烷是分子结构最简单的一种碳氢
2018-10-24 14:21:10
）沉积厚度约为数个趋肤深度的良导体层（比如镀金、镀银）。这一原理也同样应用在改善微波无源器件的无源互调性能方面：低互调器件通常采用镀银表面。
2019-06-24 06:58:24
电导率与电阻率有何关系？怎样去计算电导率？
2021-10-11 06:46:08
`东莞市雅杰电子材料有限公司生产的电磁屏蔽密封衬垫，抗电磁干扰屏蔽密封条在使用频率20MHZ-10GHZ时，屏蔽效能﹥80dB (MIL-G-83528)、表面电阻率低，﹤0.05欧姆/平方，使得
2018-09-04 11:48:55
，是众多高校实验室的大多选择。南京大学薄膜晶体管和半导体材料测试采用的是2612B和2636B双源表的结合，多路的SMU测试和fA量级的电流分辨率，通过2612B源表来，来回读低至fA量级的电流分辨率
2020-02-07 15:40:19
半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
介绍了一种12 GHz附近的高温超导薄膜微波表面电阻Rs测试系统。该系统采用低损耗高介电常数的蓝宝石，构成工作在TE011+δ谐振模式的介质谐振器，在77 K时，利用测量介质谐振器的Q
2009-05-26 20:49:40
6 熔铝电阻率的测量基于电涡流原理,设计了传感器的结构和标定方法。为了简化测量熔铝电阻率的硬件电路,在信号处理电容中采用了LVDT 专用芯片AD598 硬软件结合消除了温度影响,在熔
2009-06-27 09:10:4119 熔铝电阻率的测量基于电涡流原理,设计了传感器的结构和标定方法。为了简化测量熔铝电阻率的硬件电路,在信号处理电容中采用了LVDT 专用芯片AD598 硬软件结合消除了温度影响,在熔
2009-06-29 10:02:5610 简介RST-800表面电阻测量仪是一款可靠且易于使用的电阻测试仪，根据行业标准（如ANSI/ESD 测试方法S4.1、S7.1和 STM11.11）测试静电消散表面的电阻率和电阻，无论是
2023-01-13 11:55:52
（直流电流）、ps（表面电阻率），pv（体电阻率）。· 测量范围：电阻1*103Ω 至 1x1015Ω；电流1pA至100uA。· 测量速度：
2023-03-01 14:48:32
一、概述HM5007A全自动绝缘油介质损耗及电阻率测试仪依据GB/T5654-2007《液体绝缘材料相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量》设计制造。用于绝缘油等液体绝缘介质的介质
2023-07-26 09:26:02
摘要：为了适应半导体生产工艺发展的要求，我们开发了一种利用改进的Rymaszewski法进行四探针硅片电阻率测量的单片机电路。它主要包括恒流源和电压测量电路两部分。它不仅可以
2010-04-30 09:05:1334 QJ36B-2A型数字直流电桥也称为导体电阻材料电阻率智能测试仪,该仪器是高精密、智能化综合电阻测量实验组合装置，它主是为产品质量
2024-03-03 15:34:09
静电耗散材料电阻和电阻率的测量
表面电阻/表面电阻率, 体积电阻/体积电阻率, 点对点电阻, 接地电阻的测量
l 表面电阻, 体积电阻, 点对点电阻, 接地电
2010-08-29 16:18:5824 静电耗散材料电阻和电阻率的测量表面电阻/表面电阻率, 体积电阻/体积电阻率, 点对点电阻, 接地电阻的测量l 表面电阻, 体积电阻, 点对点
2008-09-03 17:13:262985 
半导体材料的工艺流程
导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和
2010-03-04 10:45:252352 半导体材料的特性
半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之
2010-03-04 10:50:381151 几种金属导体在20℃时的电阻率对照表。
2011-04-22 17:16:5815060 什么是表面电阻率呢，表面电阻率是平行于通过材料表面上电流方向的电位梯度与表面单位宽度上的电流之比，用欧姆表示。
2011-04-24 09:09:283955 半导体材料 是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电阻率在10（U-3）~10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的
2011-11-01 17:35:1691 导电聚合物材料的电学特性是通过掺杂来控制其电阻率来改变的。因此精确测量导电聚合物的电阻率具有重要意义。半导体工业中普遍使用四探针测量仪测量无机半导体材料的电阻率。而导电聚合物属于有机半导体材料，导电机理不同，且电阻率区间跨度较大(为10-3～1010Ω·cm)。
2017-11-25 09:51:051634 
半绝缘半导体包含了第二代和第三代半导体，它们在微波、光电子、新能源及微电子领域有着广泛的应用，电阻率一般在10jn．cnl_1012n．crri之间。要研究此类新材料的电阻率分布状况已无法用现有
2018-02-10 11:06:170 半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。以下对半导体材料发展前景分析。
2019-03-29 15:26:4213592 半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
2020-08-03 16:47:302789 电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况，需要测试材料的电阻率。 四探针法是目前测试半导体材料电阻率的常用方法，因为此法设备简单、操作方便、测量精度高且对样品形状
2020-10-19 09:53:333651 
、粉体或液体）的体积电阻率和表面电阻率或电导率，完全符合国家标准GB1410－2006固体电工绝缘材料绝缘电阻、体积电阻系数和表面电阻试验方法，ASTM D257 绝缘材料的直流电阻或电导试验方法等标准要求。 电导率和电阻率之间和关系？
2021-01-14 10:44:532281 
8009电阻率测试盒是用于测量体电阻率和表面电阻率（方块电阻）、且带保护的测试夹具。它具有优良的静电屏蔽性能和耐受1100V高压的绝缘电阻。8009电阻率测试夹具用于6517A静电计、6487皮安表和6517B静电计/高阻表：只要打开8009的盖子，就会自动关闭配套仪器的输出电压。
2021-02-17 09:03:002488 德国高美测仪ESD静电防护表面电阻测试仪METRISO 3000或者METRISO B530，可选配符合IEC61340-2-3标准迷你测试表笔；用于小型包装带和卷轴的点对点表面电阻测量。(适用于测试具有不规则形状表面的物品)。两针头的表笔可用于硬质材料测量；多针头的表笔可用于软质材料测量。
2022-01-17 14:14:43601 
小型包装带和卷轴的ESD静电防护表面电阻测量方法 小型包装带和卷轴的ESD静电防护表面电阻测量方法:ESD静电防护表面电阻测试仪METRISO 3000 根据IEC 61340-2-3-2016
2022-01-26 17:36:17539 
橡胶、塑料、电木等，作为绝缘材料，在我们的电子和电力产品设计时必不可少。但不知您想过没有，您选择的材料的电阻性能到底怎么样，在各种工作场景或温度情况下，其电阻或电阻率有多大，是否能满足产品的设计要求
2022-02-18 17:13:042305 
四探针法通常用来测量半导体的电阻率。四探针法测量电阻率有个非常大的优点，它不需要较准；有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。 与四探针法相比，传统的二探针法更方便些，因为它只需要操作两个探针
2022-05-27 15:01:055441 
KickStart高电阻率应用控制着执行所需测量的静电计和测试夹具，进行ASTM-D-257标准电阻率测量。它可以以高达1000V电压测试材料，确定高达1018 Ω-cm的电阻率，分析电流随时间变化
2022-08-09 16:42:32935 
ITECH艾德克斯于今日正式推出旗下图形化系列的高精密源测量单元---IT2800系列，简称源表或SMU。
2022-08-17 14:24:41528 半导体材料wafer、光伏硅片的电阻率非接触式测量、霍尔迁移率测试仪
2023-06-15 14:12:101041 
硅钢片表面电阻测试仪TS1700是一套专用于测量电工钢片涂层绝缘电阻性能的设备，主要由测试装置(10根触头及金属杆 / 导电橡胶触头、钻头、电动缸、样品托盘等)、测控台、系统验证标准器，计算机及测试
2023-02-13 14:56:39844 
重锤式表面电阻测试仪是一种用于测量材料表面电阻的仪器。它采用了重锤敲击和测量电流的方式进行测试。 工作原理： 重锤式表面电阻测试仪通过将一个金属锤头敲击在待测物体表面，产生一个封闭电路。测量仪器通过
2023-08-07 09:45:15605 
什么是半导体材料的压阻效应？ 半导体材料是现代电子技术的关键材料之一。它们具有独特的电学性能，包括可调的电阻率和压阻效应。压阻效应是指半导体材料在受到外力或应力作用时导电性能的变化。在本文中，我们
2023-09-19 15:56:551585 ，也就是说，这些元素增加了本征半导体材料电导率。该掺杂材料表现出的两个独特之处是固态电子学的基础。这两个属性是:1。通过掺杂的多少、掺杂元素的种类等方面，可以精确控制材料的电阻率；2. 电子和空穴导电的能力。
2023-11-13 09:36:22973 
，对其均匀性的控制和准确的测量直接关系将来能否制造出性能更优功率器件。 不同于使用万用表测量常规导体电阻，半导体硅单晶电阻率以及微电子领域的其他金属薄膜电阻率的测量属于微区薄层电阻测试，需要利用微小信号供电以及
2024-01-08 17:30:41155 
半导体材料是指在温度较低且电流较小的条件下，电阻率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体材料在电子器件中具有广泛的应用，如集成电路、太阳能电池、发光二极管等。其中，硅和二氧化硅是半导体材料中最常见的两种
2024-01-17 15:25:12509
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