晶体管的输出特性曲线中有四个区:饱和区,线性区,截止区和雪崩区.晶体管在前三个区的工作状态在许多电路中
2010-11-13 17:16:38
1463 
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 本文探讨了在SiC MOSFET应用中需要考虑的可能致使功率器件处于雪崩状态的工作条件。
2020-08-10 17:11:001712 
本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合
2020-12-21 14:25:457583 
MOSFET-MOS管特性参数的理解
2022-12-09 09:12:371868 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
2023-04-15 17:31:58955 
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24502 
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。
2023-12-04 16:00:48549 
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48:081123 
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16:35487 
` 本帖最后由 qw715615362 于 2012-9-12 11:35 编辑
是你深刻理解MOSFET的特性及各种参数`
2012-09-12 11:32:13
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电
2019-04-10 06:20:15
本身的温度（功耗、热阻、Tc）。ZthJC同时也考虑了Cth无功功率带来的温度影响。这个参数通常用来计算由瞬态功耗带来的温度累加。5. 典型输出特性MOSFET的典型输出特性描绘了漏极电流Id在常温下
2018-07-12 11:34:11
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA曲线），而其
2018-09-05 15:37:26
最后，我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合开关参数，并且检查它们对于总体
2018-09-05 09:59:06
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管？由哪几部分组成？MOSFET的主要参数是什么？如何选型？
2022-02-23 06:57:53
MOSFET的失效机理至此，我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超过MOSFET规格书中的绝对最大
2022-07-26 18:06:41
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・开关特性受测量条件和测量电路的影响较大，因此一般确认提供条件。・开关特性几乎不受温度变化的影响。＜ 相关产品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41:04
和这些开关特性参数有关。QG影响驱动损耗，这一部分损耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驱动IC中。QG越大，驱动损耗越大。基于RDSON选取了功率MOSFET的型号后，这些开关特性参数都可以
2017-11-15 08:14:38
` 谁来阐述一下mosfet选型什么参数优先考虑？`
2019-10-29 16:30:15
最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压
2020-07-23 07:23:18
第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际
2019-08-20 07:00:00
OceanBase具有哪些特性参数？
2021-09-26 07:00:51
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间（trr）。trr是二极管开关特性相关的重要参数这一点在SiC肖特基势垒二极管一文中也已说明过。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
;  MOSFET的规格书中，通常会给出MOSFET的特性参数，如输出曲线、输出电压、通态电阻RDS(ON)、栅极阀值电压VGS(TH)等。在选择MOSFET时，需要根据电路
2010-08-10 11:46:47
MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！纯手工画图解析，这资料还是可以的回帖直接下载原文档 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
本文先对mos失效的原因总结以下六点，然后对1,2重点进行分析：1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致
2018-08-15 17:06:21
第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际
2019-11-15 07:00:00
的MOSFET以满足特定应用的性能需求对客户是最重要的。每个功率MOSFET数据表包含相同的关键部分和器件参数，以便为客户提供详细信息，关于最大工作临界值、典型性能特性，和用于线路板布局的封装信息。这些部分
2018-10-18 09:13:03
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
在功率MOSFET的数据表中，列出了开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间，作者经常和许多研发的工程师保持技术的交流，在交流的过程中，发现有些工程师用这些参数来评估功率MOSFET的开关损耗
2016-12-16 16:53:16
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44:39
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
特性参数有关。QG影响驱动损耗，这一部分损耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驱动IC中。QG越大，驱动损耗越大。基于RDSON选取了功率MOSFET的型号后，这些开关特性参数都可以在数据表中
2019-04-04 06:30:00
几种呼吸灯的电路呼吸特性和时间参数
2021-02-25 06:39:29
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？
设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41:55
混合SET/MOSFET 结构与特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合结构的传输特性去设计数值比较器？
2021-04-13 07:12:01
揭秘tvs管的特性及应用参数 一、TVS管的特性曲线 TVS管的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS管
2018-11-19 15:23:22
无刷电机有哪些参数？无刷电机的特性是什么？
2021-06-26 07:25:55
了事实，从那时起，数据表中就有了SOAR 特性。 标准功率 MOSFET 的测试结果证明它们会遭受二次击穿。破坏的危险随着dv/dt的增加而增加。 这种防雪崩性是SiMOSFET最重要的优点之一，迄今为止
2023-02-20 16:40:52
` 1、TVS管的特性曲线 TVS管的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。 在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS管的电流，由原来的反向
2018-11-02 11:45:43
一、TVS管的特性曲线 TVS管的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS管的电流，由原来的反向漏电流ID上升
2018-11-06 10:29:47
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39:27
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA曲线），而其
2015-11-19 15:46:13
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
图取自NXP / Nexperia发布的本应用笔记。结论本文回顾了在器件选择中起着重要作用的低频MOSFET特性。在下一篇文章中，我们将研究动态参数，由于它经常使用FET代替线性控制器作为开关模式控制器（例如，在开关稳压器，LED调光器，音频放大器中使用），因此动态参数在当今尤为重要。
2019-10-25 09:40:30
`·随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将
2011-08-17 14:18:59
硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究
摘 要 利用计数统计测量的方法,对工作在击穿状态下的硅雪崩光电二极管(APD)光子辐射的暂态特性以及计数统计特
2009-11-11 16:59:22
20
功率MOSFET雪崩击穿问题分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
2009-07-06 13:49:385513 
雪崩二极管,雪崩二极管是什么意思
雪崩二极管
PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。
2010-02-27 11:34:374634 雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思
在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49:253288 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:135531 
下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量 一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数： 1 极限参数： ID ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID
2011-03-15 15:20:4089 主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量
2011-04-07 16:47:42159 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有
2011-09-02 10:49:142039 
2014-12-13 14:40:4514 功率MOS场效应晶体管技术讲座_功率MOSFET特性参数的理解。
2016-03-24 17:59:0847 本文详细的对MOSFET的每个特性参数进行分析
2018-03-01 09:14:544661 
理解MOSFET数据手册中的雪崩能量等级
2018-08-16 01:54:003493 UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
2019-05-14 15:08:209308 本文首先介绍了雪崩光电二极管的概念和主要特性然后简单分析了工作原理最后介绍雪崩光电二极管的应用和结构。
2019-08-01 10:10:1011814 本文档的主要内容详细介绍的是如何理解功率MOSFET规格书之雪崩特性和体二极管参数的详细资料说明。
2020-03-07 08:00:0019 电路应用需求来选择功率器件。在选择器件的时候，除去封装形式的要求外，主要用来衡量器件特性的就是器件的电参数。本文将着重介绍功率VDMOSFET器件常用的静态及动态电参数的测试定义，条件制定和规范，以及如何通过这些电特性参数值去了解器件的
2020-03-07 08:00:0021 早在80年代中期，功率MOSFET制造商就开始宣称一个新的突出特点：雪崩的坚固性。突然间，新的设备家族进化了，所有这些都有了“新”的特性。实现起来相当简单：垂直MOSFET结构有一个不可消除的整体
2020-06-08 08:00:005 本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估 SiC MOSFET 的鲁棒性。MOSFET 功率变换器，特别是电动汽车驱动电机功率变换器，需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误，就会致使变换器功率开关管在雪崩条件下工作。
2020-08-09 10:33:001724 
电子发烧友网为你提供图文分析MOSFET的每个特性参数资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-05 08:47:4518 本文对MOSFET用图片进行了最详细的讲解，希望对读者你学习MOSFET时有帮助。
2021-04-26 10:38:104225 
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA曲线），而其
2021-11-24 11:22:314299 
解析三元材料电池特性
2022-01-11 18:17:4528 Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值 RC 热阻模型的使用 基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设
2022-04-07 11:40:220 雪崩电流IAS和IAR :下图ID峰值 单次雪崩能量EAS：一次性雪崩期间所能承受的能量， 以Tch<=150℃ 为极限 重复雪崩能量EAR：所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量， 以Tch<=150℃ 为极限
2022-05-09 11:18:401 功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10:3924 MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54:471705 看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值
2022-11-03 08:04:454 该功率MOSFET采用SAMWIN的先进技术生产。该技术使得功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是优异的雪崩特性。
2022-11-24 16:59:012 前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。
2023-02-09 10:19:242519 
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273
2023-02-09 19:23:422 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30:071298 
新一代的超结结构的功率MOSFET中有一些在关断的过程中沟道具有提前关断的特性，因此，它们的关断的特性不受栅极驱动电阻的控制，但是，并不是所有的超结结构的功率MOSFET都具有这样的特性，和它们内部结构、单元尺寸以及电压额定等多个因素相关。
2023-02-16 10:39:36581 
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451135 
以上就是MOSFET的漏-源极处于正偏置状态基本工作原理，还有必要关注MOSFET在通态时的特性，会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。
2023-06-03 11:22:09836 
MOSFET数据手册常见参数解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
2023-06-19 09:53:14759 
功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53295 
【科普小贴士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47426 
什么是雪崩击穿？单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同？雪崩击穿失效机理是什么？ 雪崩击穿是指在电力系统中，由于过电压等原因导致绝缘击穿，进而引发设备失效的一种故障现象。在电力系统中，绝缘是保证设备正常运行
2023-11-24 14:15:36820 何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？ PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时，PN结将发生击穿现象，电流迅速增大，导致结电压快速降低。击穿是指在正向或反向电压
2023-11-24 14:20:271224 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
EAS 表示单脉冲雪崩击穿能量，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩 击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
2023-12-11 14:34:33415 
MOSFET在雪崩效应发生时能够承受的电流和电压能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。参数：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）
2024-01-26 09:30:42222
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