约2 mm的8英寸碳化硅晶片。 Hobby点评：今年一月，国内烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，而仅仅几个月后，国产碳化硅衬底就再传来了好消息。碳化硅器件的成本中，衬底占比超过40%，所以碳化硅衬底尺寸提高，单位衬底上制造出
2022-05-07 00:55:00
3759 。同时，2019年北京通美也成为全球第四大的砷化镓衬底供应商，砷化镓衬底销量突破175万片。 成立于1998年的北京通美，目前主要产品为磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底、PBN坩埚、高纯金属及化合物等，应用于5G通信、数据中心、新一代显示
2022-07-15 08:10:005153 Valley的SiC晶圆厂，并开始投产8英寸SiC衬底。又在今年1月份与采埃孚合作，斥资超20亿欧元在德国萨尔州建厂。 在国际大厂布局的同时，国产碳化硅厂商也在加速追赶，争抢当下最火热的汽车、储能等市场。2022年国内已有不少SiC扩产项目启动、竣工，进入2023年，碳化硅产业链在投
2023-02-21 16:32:213622 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）“碳化硅行业得衬底者得天下”，衬底作为SiC产业链中成本占比最大的部分，自然是各家必争之地。在下游需求带动下，SiC衬底正在从6英寸开始向8英寸推进，更大的衬底尺寸
2022-11-23 09:22:561614 在SiC衬底上生成MOS电容器的结构，这项专利后来被视为促成SiC MOSFET诞生的关键。 不过，由于衬底良率、制造工艺等问题，直到2011年SiC MOSFET才正式实现商业化，彼时的Cree推出
2023-03-18 00:07:003104 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年以来国内的SiC产业进展神速，除了上游厂商陆续放出8英寸衬底的进展之外，还有多家衬底厂商与海外半导体巨头签下供应协议。上个月，国内SiC衬底龙头天岳先进展示了一种
2023-07-12 09:00:19829 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:002639 
为主，中下游的激光设备及激光加工服务等占据了八成的激光市场空间。目前，中国是全球最大的工业加工激光设备需求市场。据《2019中国激光产业发展报告》显示，2018年中国激光设备销售收入突破605亿元
2020-03-30 09:50:17
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
效率，并实现了全球节能。事实上，有人估计的IGBT帮助阻止750000亿磅的CO 2排放量在过去25年。 就像二十世纪八十年代的IGBT革命一样，今天宽带隙半导体碳化硅（SiC）再次显示出为电力
2023-02-27 13:48:12
程度的小电流，所以与Si-FRD相比，能够明显地减少损耗。而且，该瞬态电流基本上不随温度和正向电流而变化，所以不管何种环境下，都能够稳定地实现快速恢复。另外，还可以降低由恢复电流引起的噪音，达到降噪的效果。SiC半导体SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
进行介绍。SiC功率元器件的开发背景之前谈到，通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是为了促进解决全球
2018-11-29 14:35:23
，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
不具备足够的坚固性。当前对大功率、高温器件封装技术的大量需求引起了对这一领域的研发热潮。 SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上
2018-09-11 16:12:04
实现“充电5分钟，续航超200公里。”极氪智能旗下威睿电动汽车技术有限公司正式发布了600kW超充技术，并已实现量产，据称可实现充电5分钟续航里程增加300公里。哪吒汽车发布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
Sic mesfet工艺技术研究与器件研究针对ＳｉＣ 衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化
2009-10-06 09:48:48
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材时，激光直接成型技术优势更明显，不用与材料接触，就能进行光蚀，因此更可靠，不会对基材产生损害。激光直接大面积剥离铜层不伤基底材料（软基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:25:29
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材时，激光直接成型技术优势更明显，不用与材料接触，就能进行光蚀，因此更可靠，不会对基材产生损害。激光直接大面积剥离铜层不伤基底材料（软基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:27:15
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材时，激光直接成型技术优势更明显，不用与材料接触，就能进行光蚀，因此更可靠，不会对基材产生损害。激光直接大面积剥离铜层不伤基底材料（软基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:26:43
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
项目名称：风电伺服驱动控制器SiC器件试用试用计划：申请理由本人在工业控制领域有十余年的产品开发经验，目前正在从事风电机组变桨控制系统伺服驱动器的开发，是一个国产化项目，也是SiC器件应用的领域
2020-04-24 18:03:59
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
TG传输门电路中。当C端接+5，C非端接0时。源极和衬底没有连在一起，为什么当输入信号改变时，其导通程度怎么还会改变？导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗？而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊！而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变？为什么?求详细解释！谢谢！
2012-03-29 22:51:18
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进
2018-11-29 14:33:47
功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。何谓全SiC功率模块ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
,耦合器,合成实验,突破,成功率【DOI】：CNKI:SUN:QJGY.0.2010-02-006【正文快照】：2010年1月16日,中国兵器装备研究院大功率激光实验室成功完成了7路光纤激光组束合成实验,在
2010-04-22 11:37:22
激光测距原理是什么？如何实现激光脉冲测距雷达系统？
2021-04-29 06:14:35
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路
2012-01-12 10:47:00
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
的发展中，Si功率器件已趋其发展的材料极限，难以满足当今社会对于高 频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC为代表的 第三代半导体材料凭借其优异属性，将成为突破口，正在迅速
2017-07-22 14:12:43
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
随着国家对节能减排的日益重视，成都LED灯市场的逐步启动，飞利浦、富士康等大公司涉足LED灯行业，LED概念股普涨，使得LED技术成为大众热点，下面简要概述LED衬底技术。上图为LED封装结构示意图
2012-03-15 10:20:43
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
SJ6000国产激光干涉仪配备的EC20环境补偿单元，由环境补偿主机（内置湿度传感器和气压传感器）、空气温度传感器和3个材料温度传感器组成，可实现对空气温度、湿度、大气压力和材料温度的实时高精度检测
2023-05-16 16:40:56
激光跟踪仪是建立在激光和自动控制技术基础上的一种高精度三维测量系统，主要用于大尺寸空间坐标测量领域。它集中了激光干涉测距、角度测量等先进技术，基于球坐标法测量原理，通过测角、测距实现三维坐标的精密
2023-06-15 10:29:00
。广泛应用于数控机床、激光打标/切割、三坐标、影像仪、精密测量、自动化、机器人、3D打印等领域。中图国产激光干涉仪sj6000结合不同的光学镜组，可实现线性测长、角度、直
2023-09-28 09:12:11
GTS国产激光跟踪仪集激光干涉测距技术、光电检测技术、精密机械技术、计算机及控制技术、现代数值计算理论于一体，是同时具高精度（μm级）、大工作空间（百米级）的高性能光电测量仪器，主要用于百米
2023-10-11 16:44:24
国产机床激光干涉仪sj6000除了环境适应能力好，还可以进行动态高速测量，选配相应的功能模块元件后还可以测量振动幅度、平面度、线速度、角速度等。产品简介国产机床激光干涉仪sj6000具有测量精度高
2024-01-11 09:12:25
蓝宝石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED衬底材料的选用比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用
2009-11-17 09:39:204932 同益激光重磅推出5000W 1064nm激光器
2010年5月27-30日，同益激光与合作伙伴如冈自动化控制技术（上海）有限公司将参加亚洲最大
2010-04-14 09:27:40824 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学
2010-06-07 11:27:281388 
随着国产衬底的生产工艺和控制能力的不断提升，国产衬底的应用也越来越广。作者就国产衬底在双极型集成电路制造中普遍关心的问题做了全面的评估，包括物理参数、电参数、圆片合格率，以及大规模生产的工程能力指数。评估结果说明国产衬底在品质上已经完全能够媲美进口衬底，满足大规模生产的需求。
2018-04-22 09:53:4910142 、机械应力和热预算等方面都有独特的要求，因此确定合适的剥离技术比较困难。这里只是枚举了几个例子，实际情况更为复杂。我们将在本文中重点讨论激光剥离（laser debonding）：如抗高温更兼容的材料可应用于哪些情况，激光剥离的特性适于哪些应用等。
2018-07-10 09:27:008066 大族显视与半导体从2013年便开始对激光剥离（Laser Lift Off，简称LLO）技术进行研发及技术储备，针对GaN基Micro LED和垂直结构LED晶圆蓝宝石衬底的剥离，成功研发并推出全自动LLO激光剥离设备。
2019-05-07 10:21:2813090 LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料，其决定了半导体照明技术的发展路线。目前，能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最广泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 高功率激光器国产化加快 发展瓶颈亟待突破 高功率激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、性能稳定、可靠性高和寿命长等特点。目前低功率激光器和中功率激光器正在逐步实现国产化,高功率激光器国产
2019-12-02 23:09:00391 全球SiC的产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势。美国的科锐、德国的英飞凌、日本的罗姆这三家公司占据了全球SiC市场约70%的份额，其中科锐、罗姆实现了从SiC衬底、外延、设计、器件及模块制造的全产业链布局。
2020-09-26 10:14:562013 全球新一轮动力电池产能扩充释放巨大的锂电材料、设备市场需求空间，国产锂电设备迎来新的发展机遇和挑战。 在锐科激光冠名的智能制造升级专场，锐科激光副董事长闫大鹏作了“国产光纤激光器的现状及未来”的主题
2020-12-23 17:54:423118 同时，伴随着我国产业制造升级，芯片和半导体产业把握住需求和供给的矛与盾，在外部环境和内部大循环的推动下，正在实现国产化突破。
2021-01-19 15:30:143380 日本关西学院大学和丰田通商于3月1日宣布，他们已开发出“动态AGE-ing”技术，这是一种表面纳米控制工艺技术，可以消除使SiC衬底上的半导体性能变差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 来探讨一下碳化硅衬底的国产化进程。 ◆ 碳化硅衬底类型 碳化硅分为立方相（闪锌矿结构）、六方相（纤锌矿结构）和菱方相3大类共 260多种结构，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商业价值。另碳化硅根据电学性能的不同主要可分
2021-07-29 11:01:184375 在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 退火后对结特性的剥离和清洁对于实现预期和一致的器件性能至关重要，发现光致抗蚀剂剥离和清洗会导致:结蚀刻、掺杂剂漂白和结氧化，植入条件可以增强这些效应，令人惊讶的是，剥离和清洁也会影响掺杂剂分布，并且
2022-05-06 15:55:47349 
具有高k栅极电介质的锗和绝缘体上锗(GeOI)MOSFET由于锗比硅具有更好的载流子传输特性，最近受到了先进技术节点的关注。对于Ge或GeOI CMOS，必须确定Ge专用的抗蚀剂剥离工艺，因为
2022-05-25 16:43:16319 
作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司，在SiC功率器件领域，比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:571216 在图案化的抗蚀剂上溅射或蒸发金属，然后剥离金属，传统上用于在砷化镓晶片处理中定义互连，在剥离工艺中，首先在衬底上沉积并图案化诸如光致抗蚀剂的牺牲材料，然后将金属沉积在顶部，随后通过暴露于溶剂浸泡
2022-06-27 17:21:55807 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）“碳化硅行业得衬底者得天下”，衬底作为SiC产业链中成本占比最大的部分，自然是各家必争之地。在下游需求带动下，SiC衬底正在从6英寸开始向8英寸推进，更大的衬底尺寸
2022-11-23 07:20:031487 近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中。
2022-12-02 11:43:46473 使用物理气相传输法（PVT）制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨 X-射线衍射
2022-12-20 11:35:501698 使用 SiC 实现更快的 EV 充电
2022-12-29 10:02:50493 本实验通过以自主研发的由c轴偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC衬底作为籽晶和扩径生长的起始点，采用物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法进行扩径生长获得直径放大的SiC单晶。
2023-01-17 14:10:101194 经过在SiC赛道长达十年甚至更久的技术及硬件积累，上述这些SiC芯片供应商们由于特定的历史条件，大多是IDM模式，而且如今包括ST、安森美、罗姆等多家厂商还通过投资或购买SiC衬底产业链逐渐实现更上游的自我供给。
2023-02-08 14:03:281127 硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底，它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度，从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:081130 SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底，因为它具有合理的热导率（60W/m-K）和低热膨胀系数（2.7ppm/℃），与SiC的热膨胀系数 （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573194 根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，目前全球已有超14家企业在8吋碳化硅衬底方面实现突破，而Wolfspeed已于去年实现生产。谢明凯指出，在8吋方面，盛新材料与Wolfspeed的距离只有一年之遥。
2023-03-17 10:55:07904 解决方案的领先供应商，今宣布首次获得Ultra C SiC 碳化硅衬底清洗设备的采购订单。该平台还可配置盛美上海自主研发的空间交变相位移（SAPS）清洗技术，在不损伤器件的前提下实现更全面的清洗。该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商，
2023-03-28 17:17:11336 重磅突破:凤凰动力高速AGV舵轮,较传统AGV舵轮5倍速度提升,意味着客户提升5倍运转效率,明智之选凤凰动力真给力
2023-04-12 15:15:38548 
以砂浆线切割为例，多达40%的碳化硅晶锭以粉尘的形式浪费掉，而且切割线的高速行走过程还会造成20~50μm的粗糙起伏与表面/亚表面结构损伤，据分析，碳化硅多线切割技术的总材料损耗量高达30%~50%。
2023-05-24 17:03:181488 
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092828 
研究机构TECHCET日前预测，尽管全球经济普遍放缓，但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。
2023-06-08 10:12:34436 
SiC薄膜生长方法有多种，其中化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是生长用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
度亘激光重磅发布通信级单模980nm半导体激光芯片与模块产品
2022-11-23 10:29:16689 
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料, 具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、强化学稳定性等优良特性
2023-08-31 16:13:05580 
导电型衬底Wolfspeed一家独大，绝缘型衬底天岳先进入围前三。2020年全球导电型SiC衬底依旧被Wolfspeed、II-VI、罗姆垄断，CR3高达90%，其中Wolfspeed市占率高达62
2023-09-07 16:26:321599 
SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造 而成的晶圆片。衬底可以直接进入 晶圆制造环节生产半导体器件，也 可以经过外延加工，即在衬底上生 长一层新的单晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 科友半导体8英寸碳化硅（SiC）中试线在2023年4月正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。
2023-10-18 17:43:40724 SiC衬底，产业瓶颈亟待突破
2023-01-13 09:06:233 市场空间巨大，SiC国产化趋势加速
2023-01-13 09:07:052 2023年国产SiC上车
2023-10-31 23:02:000 高功率超快激光器应用于先进制造、信息、微电子、医疗、能源、军事等领域，相关科技应用研究对推进国家战略发展至关重要。激光增益器件是高功率超快激光器的核心基础材料，受到世界各国的高度关注。
2023-11-21 10:52:44235 
去年7月，超芯星6英寸SiC衬底进入美国一流器件厂商，由此成功打入美国市场；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC衬底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已与国内知名下游客户签订了8英寸SiC深度战略合作协议。为满足国内外市场需求，超芯星计划将6-8英寸SiC衬底的年产量提升至150万片。
2023-12-15 17:16:161131 在新能源产业强劲需求下，全球SiC产业步入高速成长期，推升了对SiC衬底产能的需求。
2023-12-19 10:09:18295 
海目星激光重磅推出高智能双层宽幅高速涂布机，具备更精密的工艺制程、更智能的生产过程、更高的生产效率，突破锂电高端产能。
2024-01-18 10:36:29256 
对于一线SiC厂商掀起“价格战”、SiC衬底降价近三成等说法，业内持有不同观点。
2024-02-23 11:14:58130 近年来，随着碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，降低SiC成本的呼声日益强烈，最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高，达到50%左右。
2024-03-08 14:24:32197 
前不久，SiC晶锭衬底企业博雅新材公布IPO进度，近日，该公司完成了2亿元融资，加快IPO进程。
2024-03-14 11:39:49374 
SiC晶圆厂，也意味着8英寸衬底正式拉开量产大幕。 那么8英寸衬底有哪些优点以及技术难点，目前国内厂商的进度又如何？近期包括天科合达、烁科晶体等厂商以及产业人士都分享了一些最新观点。 8 英寸碳化硅衬底的必要性 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:002283 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年里，国内碳化硅产业经历了可能是发展速度最快的一年。首先是碳化硅衬底取得突破，8英寸进展神速，同时三安和天岳先进、天科合达等获得海外芯片巨头的认可，签下
2024-01-16 09:03:131704
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