,快速切换能力和非常好的热稳定性,因此可以满足所有这些要求,但是由于成本高,这些器件并未广泛用于开发转换器[4]。SiC MOSFET的成本是其两倍,但与Si IGBT相比,它的高电流范围是其8倍。为了减少成本问题,现在的重点是混合Si和SiC器件。在[5]中,介
2021-03-22 13:00:163753 上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
Si整流器与SiC二极管:谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示,与同类型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
”)应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET,这里给出了DMOS结构,不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
半导体的测试方法,其可靠性试验结果如下。从结果可以看出,ROHM的SiC-MOSFET具有足够的可靠性。关键要点:・ROHM的SiC-MOSFET与已经普及的Si-MOSFET具有相同的可靠性。
2018-11-30 11:30:41
,但由于第三代(3G)SiC-MOSFET导通电阻更低,晶体管数得以从8个减少到4个。关于效率,采用第三代(3G)SiC-MOSFET时的结果最理想,无论哪种SiC-MOSFET的效率均超过Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
需要谈到在半导体中移动的电子和空穴。先通过波形图来了解SiC-SBD和Si-PND反向恢复特性的不同。右侧波形图为SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢复时的电流和时间。从波形图可见红色
2018-11-29 14:34:32
-SBD,右下图是这两种损耗的情况。trr越快VF越低,综合损耗越小。Si-FRD是trr越快,VF反而增加。而第2代SiC-SBD在保持传统SiC-SBD高速trr的基础上,将VF从1.5V降低到1.35V。在
2018-11-30 11:52:08
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始
2018-11-29 14:35:50
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
SiC-SBD的VF升高,可使电流平衡。因此SiC-SBD从可并联连接二极管的角度看具有优势。反之需要注意的是抗浪涌电流性能IFSM逊于Si- FRD这一点。-能否请您对前面的说明做一个总结?首先,SiC是非
2018-12-03 15:12:02
当从APROM切换到LDROM执行程序更新时,或者在ISP(系统编程)过程中从LDROM切换到APROM执行应用程序时,应该使用什么软件重置?
2020-12-08 06:07:24
我最近将框架从 Arduino 切换到了 ESP IDF。我一直在努力实现我的 w5500 SPI_ETH 开发板,因为一个简单的事实,即特色示例 ( https://github.com
2023-04-13 07:07:58
从Linkwitz-Riley48切换到Linkwitz-Riley12的时候,地址就不连续了。那么“安全加载目标地址”应该是哪一个?
2023-11-29 07:30:24
我让它在带有 ST25DVK 的 Arduino 上工作,知道我从 ST25DVK 切换到 ST25DVKC 时遇到问题,我可以看到 i2c 从未建立,我想知道因为 ST25DVKC 有一个可配置的从属地址,所以我必须设置它我。
2022-12-08 06:26:37
本系列仅为记录工作,开发从STM32F030平台切换到RISC-V CSM32RV20。CSM32RV20是南京中科微电子有限公司开发的一款基于RISC-V核的超低功耗MCU芯片,内置RISC-V
2021-11-26 06:30:20
servicepack的版本是:servicepack_1.0.0.10.0.bin
用的SDK1.1.0
用TI的开发板可以正常切换到AP模式,但用自己的板子就不能切换到AP模式,程序卡死在
2018-05-14 00:27:34
捕获一些数据。4.尝试从iNEMO Suit选项进入DFU模式。 - 它显示设备已切换到DFU模式的消息,但程序''STDFU Tester''和''DfuSe Demonstration'似乎看不到它
2018-09-17 11:47:56
我看ADATE305的datasheet,ADATE同时具有驱动和比较的功能,我想请问一下,如果我从驱动切换到比较的状态,是不是要等很长时间??至少要写寄存器把驱动disable或者置成高阻状态呢?还是可以不用disable寄存器?
2023-11-20 06:13:54
CC2540,在不断电的情况下,从机切换到主机后,串口就无法正确发送数据,丢包严重,什么原因呢?(未切换前串口是正常的)
2016-04-26 10:57:26
ESP32上电先跑STA模式,接收到指令后切换AP模式进入UDP服务接收SSID PASSWORD,写入NVS后再切回STA模式连接AP失败怎么搞?STA模式下都是从NVS读取要连接AP的SSID及PSW;从AP切换到STA模式是要重启么?
2023-03-09 06:22:22
半导体材料可实现比硅基表亲更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,这些功能使得在各种电源应用中减少重量,体积和生命周期成本成为可能。 Si,SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
低速时钟的时间,还有从内部低速时钟切换到内部高速时钟需要多少时间?
2023-06-26 08:56:29
OSTimeDlyHMSM延时作用,释放CPU的使用,将任务从运行态切换到等待态,那在UCOSIII例程中LED0点亮使用OSTimeDlyHMSM延时1秒,CPU切换到任务led1点亮延时1秒。这个时候LED0不是处在延时状态吗?还是OSTimeDlyHMSM延时只是释放CPU的作用
2020-05-20 08:31:04
labview程序运行时按Tab键无法切换到簇中的元素,只能切换到簇本身?怎么办?
2015-08-31 09:54:49
我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。
一、 SiC的材料优势
碳化硅(SiC)作为宽禁带材料相较于硅(Si)具有很多优势,如表1所示:3倍的禁带宽度,有利于碳化硅器件工作在更高的温度;10倍
2023-10-07 10:12:26
TI工程师们:1.按照官方的协议栈自带的最新的PDF已经配置好,烧录imageA第一次升级imageB的时候成功,可以切换,需手动复位才能切换到imageB,无法自动切换,为什么?2.在升级成
2019-11-04 06:32:33
状态之间转换,并且具有更低的导通电阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻(图 1)。图 1:SiC MOSFET(右侧)与硅
2017-12-18 13:58:36
Si-FRD低。SiC-SBD的优势从SiC-SBD的这些特征可以看出,替代Si-PND/FRD的优势是得益于SiC-SBD的“高速性”。 1.trr高速,因此可大幅降低恢复损耗,实现高效率 2.同样
2018-11-29 14:33:47
为0V,另外,外部的PWDN不能控制ADC进行关断。请问ADC从测试码模式切换到模拟输入模式有什么需要配置的吗?或者内部需要激活一些什么?
2023-12-06 07:49:30
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
各位大神你们好,我用键阵控制数码管显示,摁第一个键显示零 第二个键显示1 依次类推。我发现个问题第一个键显示0的时候正常但是摁第二个键显示1的时候数码管仅有一点点光基本上看不出来亮。但是我从别的数字切换到1的时候就是正常的 。唯独从0切换到1的时候这样,而且每次都是这样。我用的是共阴数码管。
2023-10-08 08:15:48
大家好,我是fpga世界的新手,我需要测试电路板“sp605”。我找不到一个教程,它解释了如何从vhdl代码切换到合成,然后在fpga上加载所有。我阅读了该工具包的文档,但唯一的教程涉及在C
2019-06-27 13:25:03
想从windows下切换到Linux,感觉好难,虽然早有这个想法,但是真正做起来后感觉还是有点难度,主要是命令行的界面感觉不习惯。感觉没有了鼠标就什么都不会干了,尤其是在vi下的时候,连上下左右都不会了。但是换了vim.tiny后感觉我又会用了。
2019-07-05 08:16:23
怎么切换到原来的模式?top层找不到了
2019-09-16 04:01:56
执行下面的语句,一直等待,那么是如何切换到有按键扫描的任务中的呢?这个函数中有voidOSSched (void);这个函数是可以进行上下文切换的,并且在OSSemPend中 OSSched是没有在if判断
2019-07-30 23:31:01
想知道如何在 Model::tick() 中从 A_Screen 切换到 B_Screen。如果有人知道如何,请向我寻求建议。
2023-01-05 07:38:30
CCIR656输入的功能.从外部输入多源的转换到LCD上,中小模块LCD的应用加上多视频格式的转换才能在车用市场或是携带型视频产品上添加更多的功能. 高整合度的视频转换并且可以与主系统例如ARM或MCU8051
2013-03-12 14:35:10
将调试控制台串口从LinFlex0切换到LinFlex1。然后在系统板上测试,发现在BL2阶段加载BL31镜像失败。进一步分析发现发送CMD17后,寄存器INT_STATUS(402F_0000h
2023-05-05 12:18:25
我的输入端电压有可能是直流电压也有可能是交流电压,直流电和交流电的处理电路拓扑结构不同。请问,该如何自动切换到交流档和直流档呢?
2013-09-05 14:50:50
的驱动程序。当应用程序用程序员下载时,这很好,但是当应用程序启动时,PMP接口的PIN分配不是“切换”到GPIO。现在的任务是使应用程序或引导加载程序在应用程序启动时从PMP模式切换到GPIO。引导加载
2019-03-22 10:01:06
你好!!!!当我从XC32 V1.44切换到V2.XX时,是否需要对代码进行更改?我在哪里可以阅读v2.xx vs v 1.xx的更改的完整列表(不在发布说明中)。在XC32 v2.05发布之后,我在某个地方看到这样的信息,但是现在我找不到了。非常感谢。
2020-03-26 09:32:53
大家好,我正在使用STM8l052R8 MCU。我正在尝试将时钟从HSI切换到LSI,但我不能。这是我的代码:{CLK_DeInit(); // deinitiate clock
2018-10-23 16:46:36
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
”是条必经之路。高效率、高性能的功率元器件的更新换代已经迫在眉睫。“功率元器件”广泛分以下两大类:一是以传统的硅半导体为基础的“硅(Si)功率元器件”。二是“碳化硅(SiC)功率元器件”,与Si半导体相比
2017-07-22 14:12:43
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时,寄生输出电容完全放电,GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET,有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
可能陷入热失控状态。而SiC-SBD随着温度升高,VF变高,不会热失控。但是VF上升,因此IFSM比Si-FRD低。SiC-SBD的优势从SiC-SBD的这些特征可以看出,替代Si-PND/FRD
2019-07-10 04:20:13
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT,但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大,因此,更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是,传统的SiC-MOSFET,体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
我看ADATE305的datasheet,ADATE同时具有驱动和比较的功能,我想请问一下,如果我从驱动切换到比较的状态,是不是要等很长时间??至少要写寄存器把驱动disable或者置成高阻状态呢?还是可以不用disable寄存器?
2018-08-18 07:46:44
麦克风从正常模式切换到睡眠模式的时钟频率是多少?以上来自于谷歌翻译以下为原文 What is the clock frequency where the mics switch from normal mode to sleep mode?
2018-11-06 10:25:31
TI工程师,您好。我想通过rfWakeOnRadioRx模式直接切换到rfPacketRx,在接受处理完成后,再切换到rfWakeOnRadioRx模式,请问该如何操作。目前我做的是不到RTOS的。谢谢!
2018-05-15 10:31:58
蓝宝石(Al2O3),硅 (Si),碳化硅(SiC)LED衬底材料的选用比较
对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用
2009-11-17 09:39:204932 SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的优势体现在哪些方面?电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 在这段视频中,Nick Difiore解释了Xilinx FPGA的功能如何允许从机械显示切换到电子显示。
2018-11-30 06:16:002503 直到最近,功率模块市场仍被硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)把持。需求的转移和对更高性能的关注,使得这些传统模块不太适合大功率应用,这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。
2019-11-08 11:41:5317040 Google会发出警告,提醒用户切换到Chrome浏览器安全使用扩展。现在看来,Chrome 网络商店并不是谷歌展示弹出窗口要求用户切换到 Chrome 的唯一地方。
2020-02-24 10:11:021678 作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 如果用户在传统桌面上,想要切换到vivox60的OS系统,具体操作就是打开手机,在手机桌面上找到变形金刚,点击打开,然后点击页面右下角的OS系统图标,切换进入。
2021-02-18 16:44:3821502 LTC4416演示电路-PowerPath自动从备用电源切换到备用电源
2021-06-07 08:33:0037 。在接受《半导体工程》采访时,Veliadis详细介绍了SiC制造工艺和Si工艺的差异的一些要点。 Etch蚀刻工艺。SiC在化学溶剂中呈现惰性,只有干法蚀刻可行。掩膜材料、掩膜蚀刻的选择、混合气体
2022-08-19 16:53:301022 从 NCP1631 切换到 NCP1632 驱动的交错式 PFC
2022-11-14 21:08:3711 关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 如果说要在16bit定点环境上使用DSP算法,如IIR构成的2P2Z,会受到定点编程和量化精度的问题。如果说在float32环境上可以很容易进行编程,那切换到定点环境上就不得不得考虑这些问题。
2023-05-02 14:23:00738 作者简介作者:UweJansen翻译:陈子颖在过去的几年里,碳化硅(SiC)开关器件,特别是SiCMOSFET,已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏(PV)逆变器和电池电动车
2023-03-31 10:51:34293 例子, 加入你是微博项目负责人员, 现在新版本较原来的老版本有很大的改变, 这设计到服务架构、前端UI等等, 经过测试功能没有障碍, 那么这时候如何让用户切换到新的版本呢? 显而易见, 第一次发布的应用是没有所谓的这个问题的, 这种如何
2023-06-25 14:45:22330 我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 在Linux中,可以通过以下步骤切换到命令行模式: 打开终端。可以在应用菜单中找到终端或命令行终端。 在终端中输入命令“exit”或“logout”,然后按回车键。 系统会提示您输入管理员密码。输入
2023-11-13 16:47:50633 Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 SiC的导热性大约是Si的三倍,并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C的温度下工作,而Si的典型工作温度限制为150°C。
2023-11-23 15:08:11490 碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。
2023-12-11 11:29:35196
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