功率MOS管的损坏机理介绍
此文主要参考renasus功率二极管应用说明，考虑大部分人比较懒，有针对性的分成几个部分，第一个部分是介绍，就是本文，以后会把对策
2009-11-21 10:48:58
2894 2013年，人们对云计算有了更多了解，但同时也涌现出更多的“未解之谜”。 本文为大家揭示云计算的七大未解之谜...
2013-02-16 12:08:58881 P沟道MOS管和N沟道MOS管的互补性体现在哪里？？？？？？？？求大神帮助！！！！！！！
2013-09-24 16:50:43
请较大家，MOS管DS击穿在什么情况易发生，最近一产品在家里面用从来没有坏过！但是拿出去用很容易损坏！条件没什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
如图，请问一下，如果C1被短路，也就是MOS管的GD短路，最终会击穿MOS管，使MOS管三个极都导通吗？其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
损耗的限制形成一个工作区域，称为安全工作区，如下图所示。安全工作区可以避免管子因结温过高而损坏。2、器件手册SOA曲线图:示波器的测试应用非常简单，使用电压、电流探头正常测试开关管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因
2017-06-01 15:59:30
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？
2021-02-02 07:46:24
有谁用过IRLML6401，接法如下图，但是mos管不能导通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
MOS管种类和结构MOS管导通特性MOS管驱动及应用电路
2021-04-21 06:02:10
一、MOS管并联理论：(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。MOS管的这一特性适合并联电路中
2021-10-29 07:04:37
MOS管的半导体结构MOS管的工作机制MOS管的驱动应用
2021-03-08 06:06:47
大功率电源的PFC电路中，根据MOS管的Qg和导通时间计算栅极驱动电流约5A。按照一般的说法，如果驱动电流设计的太大，会引起电压过冲和振荡，除此之外，还会有什么不利后果？会损坏MOS管吗？根据经验一般最大在多少A比较好？谢谢指教！
2022-05-05 23:01:18
揭秘mos管电路逻辑及mos管参数 1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进
2018-11-20 14:06:31
MOS 管的半导体结构MOS 管的工作机制
2020-12-30 07:57:04
现在用全桥输出拓扑较多经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻同时和MOS并联的还有一个RCD（电阻+二极管+电容）电路现在知道这个RCD电路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度比三极管快。
2023-03-12 05:16:04
mos管的应用场景，你了解么？低压MOS管可称为金属氧化物半导体场效应管，因为低压MOS管具有良好的开关特性，广泛应用在电子开关的电路中。如开关电源，电动马达、照明调光等！下面银联宝科技就跟大家一起
2018-11-14 09:24:34
MOS管的开通/关断原理
2021-03-04 08:28:49
什么是MOS管？MOS管的构造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的电压极性和符号规则MOS管和晶体三极管相比的重要特性什么是灌流电路
2021-01-06 07:20:29
张飞电子第四部，MOS管不像三极管的BE有固定压降，所以不知道怎么计算。运放那边输出开路时，MOS管导通，具体是怎么工作的。1、刚开始，三极管基极电流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估计
2021-04-27 12:03:09
今天小编给大家带来的是步进驱动器MOS管损坏了我们应该怎么去解决，这个mos管在步进驱动器上也还是较重要的，一旦这个som管烧毁了步进驱动器外面的保险丝也会被烧毁，整个设备也会受到影响不能
2017-03-31 14:15:39
MOS管的漏电流是什么意思？MOS管的漏电流主要有什么组成？
2021-09-28 07:41:51
反接，看完之后相信你会恍然大悟。一、MOS管电源反接定义：电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。一般可以
2019-04-17 14:29:44
想请教大家一下MOS管的问题，原来产品上使用一个IRF4905S的MOS管，现在想用其他的替代。设计要求是120℃的环境下，最大电流30A能持续工作。我找了几个相近的，不知道适不适合，请大家指教。IPD50P04P4-13 ； DMP4010SK3Q ；ATP114 ；有没有合适的MOS管推荐？
2016-10-12 20:16:45
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 编辑
四个MOS管这么排列，Q3Q4是打开，Q1Q2是关闭， 电源是12V为啥AB两点的电压也有11多V，MOS是如何导通的呢，体二极管也是对立的。
2018-05-31 19:41:07
电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管
2021-12-31 07:01:52
什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型衬底、p 沟道，靠空穴的流动运送电流的 MOS 管。电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要
2020-11-16 09:22:50
为何不接G极，把mos管设为initally OFF，打开开关灯也直接亮了啊
2015-12-31 19:59:06
mos管的驱动电流如何设计呢
如果已经知道MOS的Qg
恒压模式下如何设计驱动管的电流
恒流模式下设置多大电流呢
2023-06-27 22:12:29
把这些损耗控制在MOS管承受规格之内，MOS管即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。 而开关损耗往往大于导通状态损耗，尤其是PWM没完全打开，处于脉宽调制状态时（对应电动车的起步加速状态），而最高
2019-02-28 10:53:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 编辑
MOS管被击穿的原因及解决方案如下： 第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或
2012-07-14 15:34:14
N-MOS管是如何接线的？N-MOS管是如何驱动步进电机的？
2021-10-11 07:49:20
N-MOS管的原理是什么？N-MOS管为什么会出问题？如何去控制步进电机驱动器？
2021-07-05 07:39:44
想必电路设计的设计师在选择MOS管是都有考虑过一个问题，是该选择P沟MOS管还是N沟MOS管？作为厂家而言，一定是想要自己的产品能够以更低的价格来竞争其他的商家，也需要反复推选。那到底该怎么挑选呢？具有丰富经验的飞虹MOS管厂家这就为大家分享。
2019-01-24 17:48:59
使用ti的tps51621buck控制器，12V输出1V输出，高侧的mos管会出现损坏造成12V对地短路的情况，MOS管高侧选用的CSD16322Q5，参数满足要求，板子放在机箱中，测试MOS管的表面温度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路： 二、器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因
2018-10-29 14:07:49
labview事件结构之谜：事件驱动机制在图形化操作系统中被广泛使用，因为图形化操作系统需要响应鼠标或键盘等事件。早期的LabVIEW中并没有引入事件驱动机制，事件结构出现在LabVIEW6.1
2011-11-28 10:26:32
管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度（或环境温度）上升时，沟道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A
2012-08-09 14:45:18
一个简单的NPN+P_MOS开关控制，负载是850nm激光二极管，驱动MCU是STC15F2。现在出现mos管容易损坏的情况，本人菜鸟不知道是什么原因造成的，还望各位大神能指点一二
2018-08-29 18:06:20
时，通常会遇到各种电子元器件的损坏，MOS管就是其中的典型代表之一，这就是我们的维修人员如何利用常用的万用表来检测判断MOS管的好坏、优劣。在更换MOS管是如果没有相同厂家及相同型号时，如何代换的问题。一
2019-04-11 12:04:23
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶体三极管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。
2021-03-11 06:11:03
1. 什么是MOS管？MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称。1.1 如何判断MOS管的G栅极、D漏极、S源极?（1）引脚一般如上图所示。（2）万用表测量，方法如下S源极与D漏极之间应该有
2021-12-31 06:20:08
什么是数码功放？浅谈数码功放
2021-06-07 06:06:15
电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。 （9）焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅MOS管
2020-06-28 16:41:02
设计一个mos管作为负载的电池放电器，如何控制mos管的开关特性，Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
有哪些方法可以获得MOS变容管单调的调谐特性？MOS变容管反型与积累型MOS变容管
2021-04-07 06:24:34
，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压
2021-07-05 07:19:31
`关于MOS管一直都是电路设计的工程师热衷讨论的话题之一，而厂家更想看到的是更换MOS管能够提高产品效能的作用，而在实际工作中，各种电器设备时，遇到元器件损坏应该采用相同型号的元件进行更换。有些时候
2019-02-23 16:23:40
关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。在网上有看到大概两种说法：1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏；2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于
2018-12-21 10:46:27
两个mos管，第一个MOS管栅极接单片机io口，通过io口控制通断继而控制第二个mos管通断，开关频率要求不高，对开关时间和导通电阻有要求，开关时间和导通电阻都要尽可能小，有没有推荐的电路图和MOS管，图片是我画的简单示意图
2018-10-16 22:40:53
作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在某些特殊的应用场合下，比如对待机电流有限制的电池保护板，这个电阻往往取值很大甚至没有，这样栅极的阻抗会比较高，极易感应比较高的静电损坏MOS
2018-10-12 16:47:54
怎样去使用MOS管？如何去实现MOS管的精确控制呢？
2021-10-09 08:36:20
这个mos管是如何导通，控制电源开断
2019-07-02 23:34:55
如何计算MOS管的损耗？
2021-11-01 08:02:22
`推荐课程：张飞软硬开源：基于STM32的BLDC直流无刷电机驱动器（视频+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作为现代
2019-05-02 22:43:32
通，PMOS栅极为低电平，MOS管导通，电源输出开启。并且由于有些电源存在大电容的负载，如果上电很陡峭的话，会导致瞬间电流会很大，很容易损坏器件。所以我们有时候会要求电源能够慢慢的从0到VCC，其实我们在上面
2023-02-28 16:32:33
哪位大神能帮忙分析下这个电路，安装电池的过程中MOS管会有20%的损坏。除开静电的损坏，还有有其他可能没有呢?
2018-09-11 13:36:23
揭秘mos管和mos管驱动电路之间的联系 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许
2018-12-03 14:43:36
有MOS管的电路仿真时，怎么才能找到MOS管的波形图
2011-12-27 17:41:18
小弟最近在做一个电池切换器，mos频繁损坏，求助各位。问题如下，使用的管子为AOB290，pd 为250W，vds，Id能达100以上，三个管子并联输出，但是靠近p-端的三个管子总是会坏，电池电压
2017-04-23 14:38:09
作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在某些特殊的应用场合下，比如对待机电流有限制的电池保护板，这个电阻往往取值很大甚至没有，这样栅极的阻抗会比较高，极易感应比较高的静电损坏MOS
2018-11-28 12:08:27
` 电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于
2019-02-19 11:31:54
BVDSS，即便这个尖峰脉冲电压的持续只有几个或几十个ns，功率MOS管也会进入雪崩从而发生损坏。 不同于三极管和IGBT，功率MOS管具有抗雪崩的能力，而且很多大的半导体公司功率MOS管的雪崩能量在生
2018-11-19 15:21:57
时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因
2018-11-21 13:52:55
可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位和RC缓冲电路等保护措施。 当电流过大或者发生
2018-12-10 14:59:16
的MOS管，而不会使用以前的三极管。但是性能再优越，也会出现损坏的情况，那作为厂家来说应该怎么检测MOS管是否损坏呢？ 电路中，如何判断MOS管的完好或失效，与单独鉴别MOS好坏不完全相同，电路中完好
2018-12-27 13:49:40
上电电机不转MOS管发声随占空比的增加声音增加大概 10s钟冒烟MOS管烧了 求各位大侠 指点！！！！！
2013-05-04 08:54:57
9V的电压。更换下方MOS，恢复正常。器件型号，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于问题故障率太大，不能进行生产。请各位大大帮忙看看到底为什么会导致MOS损坏。怎么解决？谢谢`
2019-12-30 10:30:50
1. MOS损耗MOS管是开关电源中常见器件之一，在评估开关电源效率的时候，对于MOS管的选型十分重要，如果选择的MOS不合适，电路该部分的发热会非常严重，影响效率。因此，在考虑到设计开关电源的效率
2021-07-29 06:01:56
的时候，为了测试实际情况，采用空气开关，也就是断路器上电。1、Mos管在启动的时候，因为栅极平台电压时间过长，导致此时电流很大，但是同时Vdc又有110VDC电压，因此导致MOS管过功率损坏短路。。2
2020-04-26 14:17:30
请教各位老师,我的MOS管经常击穿,是怎么回事.如何保护.MOS管VDS为60V,ID=60A.负载为24V150W灯.驱动脉冲100HZ.请看图片.谢谢!!!
2013-10-24 08:47:33
这个电路，MOS管控制电路的GND怎么接，才能使MOS管导通。
2019-04-23 20:20:48
，为了测试实际情况，采用空气开关，也就是断路器上电。1、Mos管在启动的时候，因为栅极平台电压时间过长，导致此时电流很大，但是同时Vdc又有110VDC电压，因此导致MOS管过功率损坏短路。。2、还有可能就是
2020-05-20 10:06:20
12V；；；请问各位大佬MOS管的这种损坏属于什么损坏，是什么导致的，感觉GS有2M应该是没事的，这个管子以前遇到的损坏都是GS直接短路了，这个现象不一样
2021-05-25 08:21:12
小弟是电子初学者，经常在设计电路时MOSFET管出现损坏，请问造成MOSFET管损坏有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
工作频率8Khz，调节占空比控制mos管输出电压，R10位置接风机
。RC运放滤波得到电压U1，之后运放是如何反馈控制mos管调节U2？
2023-12-06 18:19:11
产品在某一个批次的生产中突然发现20%的DC-DC芯片不通电，并且都表现为下MOS损坏。外围硬件设计，有什么因素可能导致下MOS管损坏呢？如何去分析对比电源IC批次性差异呢？
2023-01-12 17:01:27
什么是高低端MOS管？它们的区别是什么？请各位大神指教，希望能分享相关资料，非常感谢！
2016-09-01 09:51:08
主要介绍电源中功率MOS损坏分析，为从事此方面的模拟故障诊断工程师提供参考。
2015-10-28 11:07:23
15 什么是MOS管？它有什么特点？在常见的控制器电路中，MOS管有几个工作状态，而MOS 主要损耗也对应这几个状态，本文就来探讨一下MOS的这些状态的原理。MOS的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在Mos承受规格之内，Mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同Mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 电子发烧友网为你提供MOS管损坏之谜：雪崩坏？发热坏？内置二极管坏？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-03-29 16:52:5423 mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。接下来就由小编针对mos管的损坏原因做以下简明介绍。
2022-03-11 11:20:172517 
Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。
2023-01-30 10:48:26805 os是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381351 Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。然而，在实际应用中，MOS管可能会因为各种原因而损坏。本文将对MOS管损坏的原因进行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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