电子发烧友网报道（文/梁浩斌）SiC在电动汽车电驱模块上的应用，随着市场对电动汽车长续航、高压电气架构、快充等需求，正在加速普及。 传统硅基半导体由于自身物理性质受限 ，在高温、高压、高频
2022-07-06 08:36:00
3229 美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:012494 初创公司 mqSemi 推出了适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元设计。使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:48573 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）GaN器件已经在消费电子领域站稳脚跟，而在消费电子之外，电源产品还有很多较大的应用市场，包括光伏逆变器、服务器电源、汽车领域等。而新能源汽车作为目前规模增长最快的市场之一，SiC已经成功导入电动汽车产品，并实现大批量落地。
2024-02-04 00:01:003359 
基于SBD的700V、1200V和1700V电源模块可最大程度地提升开关效率、减少温升和缩小系统尺寸。
2020-03-19 07:40:00831 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围
2021-07-28 14:47:031361 
工业三相供电（400 VAC to 690VAC）的功率变换系统，其母线电压通常高于600V，母线电压范围在300Vdc-1000Vdc。
2021-10-11 17:26:211697 
PI看到了电动车的这个发展趋势，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ产品，该产品采用碳化硅（SiC）初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC，将耐压值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224954 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:002639 
CRD-060DD12P，用于单端反激式转换器设计的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代传统的双开关反激式转换器，用于三相应用的高压输入辅助电源。演示板不是专为产品而设计的，仅用作评估Cree开关设备性能的工具
2019-04-30 07:42:31
电压的自适应，从而取得优异的线型调整率和负 载调整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A内部集成了500V功率MOSFET，无需次级反馈电路，也无需补 偿电路，加之精准
2016-06-16 20:42:44
的第一款SiC功率晶体管以1200 V结型场效应晶体管（JFET）的形式出现。SemiSouth实验室遵循JFET方法，因为当时双极结晶体管（BJT）和MOSFET替代品具有被认为是不可克服的障碍。虽然
2023-02-27 13:48:12
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此，没有必要再
2019-04-09 04:58:00
，1200V产品可支持50A的裸芯片。而且在进行1700V高耐压产品的开发。下表为机型名中符号的意义及当前供应中的产品阵容一览。此外，机型名的最后带有HR的表示为支持车载产品，符合AEC-Q101标准
2018-12-04 10:09:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此，没有必要再
2019-05-07 06:21:55
半导体有限公司的第一大股东，是行业龙头天科合达。11月中旬，天科合达举办了“8英寸导电型SiC衬底”新产品发布会，预计项目明年量产。这一量产时间，紧跟全球步伐。SiC大规模上车，三原因成加速上车“推手
2022-12-27 15:05:47
耐压。Si-SBD在实际应用中耐压极限大概为200V左右，而ROHM已经量产的SiC-SBD产品最高达1700V，并且还正在开发更高耐压的产品。Si-PND属于少数载流子，可同时实现远超Si-SBD
2018-12-03 15:12:02
国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术：1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC转换电源电路比较6 充电桩电源电路
2022-06-20 16:31:07
，1700V，60A，SIC，这个管子的Qg是256nC，Rg=1.8Ω，tdon和tr分别为52ns和32ns。IXDN609SI的一部分参数和驱动的电路原理图如下
目前的状况是ACPL-333J的输出
2023-06-10 15:32:20
10A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:48:35
650A 1700V SIC HALF-BRIDGE
2023-12-13 05:43:29
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
SIC DIODE 1700V 5A TO-247-2
2023-03-27 13:46:43
SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2
2023-03-27 14:44:42
1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:49:29
1700V 25A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 13:34:26
1700V 50A SIC SBD PARALLEL
2023-03-29 15:19:22
SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
2023-03-29 15:13:55
和GaN的特性比较 氧化镓（GaO）是另一种带隙较宽的半导体材料，GaO的导热性较差，但其带隙（约4.8 eV）超过SiC，GaN和Si，但是，GaO在成为主要动力之前将需要更多的研发工作。系统参与者
2022-08-12 09:42:07
电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收
2022-05-10 10:06:52
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 10A
2023-03-27 14:48:42
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 50A
2023-03-27 13:30:39
、根据评估版原理图，分析SIC MOS的驱动和保护方案。2、搭建一个非隔离的半桥结构的双向DC-DC变换器样机。预期参数：高压端400V，低压端200V，开关频率250KHZ，电流10A。3、对DSP
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
1700V耐压的产品。Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现远远超过Si-SBD的高耐压与低电阻，但关断速度较慢。尽管FRD是Si-PND中提高了速度的产品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
本文介绍了一个新的1700V 25A至300A快速恢复二极管（FRD）系列。实验结果与数值模拟结果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亚胺钝化法的横向掺杂变化（VLD）可以实现稳定的1700V
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-05 10:01:25
求推荐一下。可以实现数字转模拟的接口的国产芯片12位到16位可以输出0~5V,或者0~10V,输出电流4~20mA这个暂时还没有奢望。其他不限，原来使用的ADI的，现在价格实在太贵了。想找个国产的DAC试试。谢谢啦
2022-04-18 13:50:20
CH32V307 配套国产千兆PHY芯片，全套国产。官方有没有做过适配
2022-06-16 07:08:56
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
用推挽电路做大功率sic-mos管的驱动，有什么办法可以输出+21/-6的pwm信号嘛?
2022-04-19 10:47:30
。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进1700V耐压的产品。Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现
2019-07-10 04:20:13
1700V SiC MOSFET+AC/DC转换器 评估板BD7682FJ-EVK-401为三相AC400～690V输入 24V/1A输出，搭载了ROHM适用于大功率工业设备的1700V高耐压SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的导通电阻与VGS特性比较图。从比较图中可以看出，上述IC的栅极驱动电压在每种MOSFET将要饱和前变为VGS。由于该比较不是
2018-11-27 16:54:24
市场现有芯片的直径尺寸较小（150mm），尤其是离子注入或掺杂剂激活等制程与半导体元件制程使用的常规层不相容。因此，这些特异性需要特殊的集成方案。使用这些方法将可以实现截止电压高于1200V和1700V
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论，给出了电气特性参数和内部
2009-06-19 20:29:52
39 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 凭借我们的首款工业级第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 继续在碳化硅 (SiC) 领域
2023-07-28 14:21:34
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘
2012-05-29 08:47:481938 G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:191 今年即将发布的iphone8多次被曝光会采用AR技术，并且竖排分布的摄像头就是为了这一技术而准备，不过，这一次可能要被截胡了，国产手机率先用上。
2017-05-22 09:41:401548 国产芯片替代这一国家发展战略正在显示出成效。随着国内资金大规模投入、技术引进后自主研发形成突破，国产芯片有望在未来几年内迅速崛起，这给相关领域的上市公司带来发展前景。
2017-12-20 10:46:544622 近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 海市政府新闻办发放了全国首批智能网联汽车开放道路测试牌照，蔚来、上汽率先上路。下一步，将分级逐步开放更多的道路环境用于智能网联汽车测试。
2018-03-03 07:22:40912 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品
2018-10-23 11:34:375600 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 SiC SBD和 MOS是目前最为常见的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些领域和 IGBT争抢份额。我们都知道，IGBT 结合了 MOS 和 BJT 的优点，第三代宽禁带半导体SiC
2020-03-20 15:56:284190 金升阳紧跟功率半导体市场动向，推出QAxx3D-2GR3（下文称：QA-R3系列驱动电源），可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581413 参考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是为支持客户采用SIC MOSFET设计辅助电源而开发的。该参考板旨在支持客户为三相系统设计辅助电源，工作电压范围在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:032396 
在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024606 要使用的MOS管还是有所差异的，因此今天仁懋电子整理了这一份储能电源可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参。 目前国产MOS管中，可替换多款场效应管产品使用的具体型号为：MOT4112T、MOT4115T、MOT8112T、MOT8123T、MOT8118T、MOT1120T、MOT1
2022-07-26 14:35:303005 
Power Integrations （PI） 宣布为其 InnoSwitch™3-AQ 系列新增两款 1700 伏额定 AEC-Q100 合格 IC。新的解决方案包括用于汽车级开关电源的碳化硅
2022-07-29 08:07:271216 
相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件，为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1700V的SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单，成本更低的解决方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET产品。62W辅助电源参考设计
2022-08-28 11:17:068 使用SIC MOS的开发人员是越来越多，但驱动电压到底选15V还是18V，每个人都有自己的理解，今晚听许老师讲SIC MOS驱动技术，有些感悟分享给大家。
2022-11-07 10:57:582122 安森美宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 重点必看内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－规格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易支持自动安装的小型解决方案&...
2023-02-08 13:43:19389 
内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－优点篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易可自动安装的小型表贴封装BM2SC12x...
2023-02-08 13:43:21390 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。
2023-02-13 09:30:05434 
1700V是IGBT的主流电压等级之一，广泛应用于风力发电、无功补偿（SVG）、智能电网，以及中高压变频器等领域。
2023-02-15 14:11:401686 1700V以下大功率IGBT智能驱动模块使用手册 （采用100%国产化元器件设计） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驱动模块是特别为100%国产化需求企业推出的一款可靠、安全的高性能驱动模块
2023-02-16 15:01:5512 自己的模板 研究 报告《 2023国产sic上车关键年》，如需领取报告，请关注公众号，后台回复 SiC 即可领取！ 声明 ： 本文由电子发烧友原创 ，转载请注明以上来源。如需入群交流 ，请添加
2023-03-11 13:15:02332 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 
新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRIDGE整流模块1700V电机驱动功率半导体解决方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块
2023-01-29 17:41:441189 
本土企业开始崭露头角，而日本车企偏向于选择日本供应商。 相比IGBT，SiC功率器件具有更高开关速度、更低开关损耗、更高效率和耐用性等特点，转化为汽车最直观的体验就是续航能力更长，更易于轻量化车身设计。特斯拉率先将SiC用于其爆款车型Model 3上，其也成
2023-08-11 17:07:36465 
芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。
2023-08-16 11:49:31285 
首搭国内首款自研车规级7nm量产芯片“龙鹰一号”，魅族车机系统首发上车。
2023-09-14 16:12:30484 电源中，由于母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，无论那种拓扑都离不开核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:05759 
市场空间巨大，SiC国产化趋势加速
2023-01-13 09:07:052 2023年国产SiC上车
2023-10-31 23:02:000 11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:33:13194 
瑞森半导体在工业电源上的应用上：主推碳化硅(SiC)二极管/超结MOS，助力厂家及品牌，打造高质、高性能产品。
2023-12-11 11:56:42207 
基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。
2024-01-04 17:30:53284 
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
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