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电子发烧友网>模拟技术>1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行?

1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行?

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英飞凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技术 助力电源转换设计提升效率和性能

英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化,兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆,相比1200V硅(Si)IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源(UPS)或充电/储能系统等应用的系统改进,此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:498006

#氮化 #英飞凌 8.3亿美元!英飞凌完成收购氮化系统公司 (GaN Systems)

半导体氮化
深圳市浮思特科技有限公司发布于 2023-10-25 16:11:22

1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计_陈天

1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计_陈天
2017-01-08 14:36:357

比亚迪半导体全新推出1200V 1040A SiC功率模块

作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司,在SiC功率器件领域,比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块,并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:571216

1200V耐压、400A/600A的全SiC功率模块BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器,开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

国产SIC MOSFET功率器件推出1200V大电流MOSFET获得车规认证

2022年11月,上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101),该产品为TO247-4封装,最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332073

1200V氮化挑战SiC是否真的可行

在全球最大的电力电子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以类似硅的成本实现垂直 GaN(氮化镓)功率晶体管的欧洲财团 YESvGaN 介绍了其方案。
2023-06-16 15:19:18387

1200V高压硅基氮化镓功率器件动态特性实测

在此方向上,青桐资本项目伙伴「量芯微半导体(GaNPower)」(以下简称「量芯微」)在全球范围内率先实现1200V 硅基GaN HEMT的商业化量产,并于近日与泰克科技(Tektronix Inc.)合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:301370

凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS

2023年10月,凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异,开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动,能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26488

国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级认证

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10423

至信微发布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微电子有限公司(简称:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上,至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:17286

Qorvo发布紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块

全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35333

蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力,也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228

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