二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。
2022-12-19 09:47:48
4241 二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。
2023-05-30 09:15:201935 
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
跨越沟道的导通时间减小，这样允许工作的开关频率就可以提高；（2）沟槽宽度小，沟道完全开通所加的G极电压可以降低，导通更容易，开关损耗降低；（3）沟槽宽度减小，沟道导通电阻降低，也更一进降低导通损耗
2017-01-06 14:46:20
本文设计了一种低导通损耗的USB 电源开关电路。该电路采用自举电荷泵为N 型功率管提供足够高的栅压， 以降低USB 开关的导通损耗。在过载情况下， 过流保护电路能将输出电流限制在0. 3 A。 1
2011-09-20 10:42:46
本文介绍了一种具有后级开关稳压功能的同步整流电路，其既能降低损耗、提高电源效率，又实现高精度稳压功能。
2021-04-06 08:13:14
相继被提出。然而SCMRC结构的阻带范围较小(5.2GHz-7.6GHz)，BCMRC则由于在阻带范围内的衰减特性不理想通常需要几个单元来实现较好的低通特性。针对这些问题，本文提出了一种新型CMRC
2019-07-08 07:34:48
。为此，本文提出了一种新型SIW腔体双膜滤波器的设计方法。该SIW的大功率容量、低插入损耗特性正好可以对双膜滤波器的固有缺点起到补偿作用。而且输入／输出采用直接过渡的转换结构，也减少了耦合缝隙的损耗。
2019-07-03 07:08:15
金属和半导体接触形成的势垒为基础的肖特基势垒二极管，简称肖特基二极管shoky。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件。而低正向/低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件
2017-08-10 09:23:06
用电流损耗更低的RS-485收发器替代旧器件，结果却发生故障，是什么原因呢？低电流损耗真的好吗？
2019-08-07 08:29:55
（GaN）技术实现比使用传统硅功率晶体管更高的效率。氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，这使得功率晶体管具有非常低的导通电阻（R上），从而最大限度地减少了导通状态传导损耗。横向晶体管结构还实现了极低
2023-02-21 15:57:35
级别的上升。保护功能需要将反向电流保持在非常低的水平上。这意味着对于反向电压的限制。有三种常用的方法可以防止反向电流：设计一个使用二极管、FET或负载开关的系统。二极管二极管与FET相比，它的成本更低
2018-09-04 09:54:41
陶瓷不仅能透光，而且具有耐高温、耐腐蚀、高绝缘、高强度、介质损耗小等性能，是一种优良的光学陶瓷，还可作微波炉窗等。（3）纳米氧化铝陶瓷传感器：用高纯纳米氧化铝（VK-L100G）陶瓷的晶粒、晶界、气孔等
2016-10-21 13:51:08
得到。 7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f 体内寄生二极管正向导通损耗，指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降造成的损耗。 体内寄生二极管正向导通损耗计算 在一些利用体内寄生二极管
2020-06-28 17:48:13
时，客户工程师发现：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V时，Q1的导通压降只有0.06V，那么，这是不是表明：功率MOSFET在反向工作的时候，VTH比正向导通的时候低？是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57:20
反向恢复的几种方法为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。一种思路是从器件本身出发，寻找新的材料力图从根本上解决这一问题，比如碳化硅二极管的出现带来了器件革命的曙光，它几乎不存在反向
2017-08-17 18:13:40
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
V，并且氮化镓耐电压小于1000 V。正是由于这些区别，使得功率半导体厂商与研究开发厂商之间产生了一种“无声的默契”。但是，以上所说的改变是非常有可能的。因为氮化镓可以极大地减少晶片的缺陷（错位）密度
2023-02-23 15:46:22
这个特性来实现整流、检波、限幅、保护等等作用。 可是二极管真的是绝对的单向导电吗？答案是否定的！ 每一种类型的二极管都有一个详细的工作参数：比如最大正向电流、最高反向电压、反向恢复时间、反向电流等等
2021-01-11 15:44:12
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么是一氧化二氮（N2O）？一氧化二氮（N2O）有什么影响？介绍一种N2O气体探测器的解决方案
2021-06-15 07:02:48
碳化硅MOSFET栅极驱动器需要精确的控制和电压限制，以实现可靠的性能。氮化镓HEMT单元与产生隔离栅氧化物的硅MOSFET和碳化硅MOSFET具有完全不同的栅特性。氮化镓栅极像一个压降约为3-4V
2023-02-05 15:14:52
分享一种低延迟SGTLCODEC解决方案
2021-06-01 07:05:17
分享一种具有低功耗意识的FPGA设计方法
2021-04-29 06:15:55
分享一种ADA1373低延迟立体声的解决方案
2021-06-02 06:58:06
的，有时甚至是有毒的材料，导致世界范围内严重的生态挑战。此外，电子产品的生产制备过程中消耗了大量的比如镓铟等稀缺元素（铟镓锌氧化物已广泛用于许多薄膜晶体管中，例如有源矩阵有机发光二极管背板，射频识...
2021-09-16 07:21:41
变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。二、功率MOSFET的反向导通等效电路（1）1）等效电路（门极不加控制）：2）说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体
2021-08-29 18:34:54
变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体
2021-09-05 07:00:00
太阳能电池可分为三类：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池三种。非晶硅薄膜就是相对于单晶硅和多晶硅来说的。薄膜太阳电池作为一种新型太阳能电池，由于其原材料来源广泛、生产成本低、便于大规模
2016-01-29 15:46:43
开通造成桥臂短路； 通过优化 PCB 布局减小寄生电感能有效减小驱动振荡[3]，但在硬开关场合依旧存在较大电压过冲； 而且 GaN HEMT 的反向导通损耗往往高于同电压等级的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
一氧化碳检测仪是一种用于公共场所具有检测及超限报警功能的仪器，能起到预防一氧化碳中毒的效果，使人们安全放心的工作。系统以单片机为核心，利用一氧化碳检测传感器检测环境中的一氧化碳的浓度，并利用显示器显示当前的浓度值，同时可设定报警值，超过设定值时进行声光报警。
2023-09-25 06:39:48
比较性能的一种有用方法是将总功耗绘制为比较指标。图3显示了10kW LLC中测得的总损耗与直流输出工作点的函数关系，所有损耗均具有800Vdc输入和100-200kHz开关频率。图中的绿线表示共振上方
2023-02-21 16:27:41
一种硬质合金棒材铸造成型模具1、一种稳固型纵向和横向双重剥离式铜合金铸造模具本技术提供了一种稳固型纵向和横向双重剥离式铜合金铸造模具，包括下模座、上模盖、下支撑架、纵向推动机构、旋转剥离机构、伸缩
2021-08-30 07:26:45
如何利用DSP库去实现一种低通滤波的设计呢？有哪些设计步骤呢？
2021-11-19 08:03:16
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。
2021-05-24 06:58:23
次谐波，它降低了电机效率并同时增加传递到负载和绕组温度的振动。
氮化镓器件的优势
由于氮化镓器件具有较低的开关损耗且没有体二极管pn结，因此在硬开关中，没有相关的反向恢复。这两个因素有助于消除死区时间
2023-06-25 13:58:54
使用氮化镓开关管后，只需一颗氮化镓开关管就能取代两颗传统硅MOS了。氮化镓开关管内部没有体二极管，只需一颗即可实现双向开关，完全阻断电池的充电和放电电流。氮化镓具有低导阻高效率优势，使用一颗氮化镓开关管
2023-02-21 16:13:41
说明 Coss 为 MOSFET 输出电容，一般可等于 Cds ，此值可通过器件规格书查找得到。 7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f 体内寄生二极管正向导通损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向
2019-09-06 09:00:00
已经上传了驱动部分的原理图，我刚进一个做MOS的公司，有个客户是这样的，他说我们的管子温度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比较大，反向恢复损耗比较高，有什么办法可以降低吗，让MOS的温度的降下来
2019-09-11 04:23:31
TPS61372在手机反向无线充应用中有哪些显著优势？怎样去设计一种基于TPS61372的反向无线充电手机电路？
2021-07-08 07:12:09
三端稳压管反向击穿情况及分析与防护措施目录（一）OUT→IN端反偏（二）GND→IN端反偏（三）GND→OUT端反偏（四）Adj→OUT端反偏三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻
2021-11-12 07:36:51
和功率因数校正 （PFC） 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件，隔离式负 V一般事务（关闭）EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法，可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
如何去区分燃气报警器和煤气报警器呢？燃气报警器和煤气报警器的区别再哪？有没有一种可同时监测燃气和一氧化碳的传感器呢？
2021-07-19 08:12:28
万吨。由于镓是一种加工副产品，所以成本相对较低，约为每公斤 300 美元，比每公斤约 6 万美元的黄金要低 200 倍。
德米特里 · 门捷列夫（Dmitri Mendeleev）在1871年预测了镓
2023-06-15 15:50:54
3至10倍，但需要优化驱动器和控制器拓扑。图腾柱AC/DC转换器是一种不适用于硅片的拓扑结构，可受益于GaN的低导通电阻、快速开关和低输出电容，从而提供三倍高的功率密度。诸如零电压和零电流开关这样
2018-11-20 10:56:25
转换器，将性能与两种可比场景进行了比较：第一种是所有三种晶体管类型都在500KHz谐振频率下工作，第二种是500KHz基于GaN的LLC与基于100KHz硅的LLC。主要晶体管是氮化镓、硅或碳化硅。初级
2023-02-27 09:37:29
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
呢？正如工程中的一贯原则，这是一种折衷的做法。逆变器的功率损耗主要包括传导损耗和开关损耗。您可以通过减小开关元件（通常为MOSFET）的尺寸来降低给定工作频率下的开关损耗，但这会导致传导损耗增加。在理
2017-08-21 14:36:14
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
高压硅二极管具有低正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比，SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计，但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
高硬度和耐磨性，低腐蚀水平使它耐腐蚀，具有生物惰性。在U盘表面、苹果手机后盖以及各类小型电子产品上多有应用。 来自东莞的刘先生最近在寻找一种全新的技术，以更换自己使用已久的氧化铝打标生产线。在刘先生看来
2021-07-06 08:31:46
如今的普通工作人员常常身兼装配工和安装工两种工作，这就意味着您的设计（无论好坏）需要简单易用，并需要良好的保护。平心而论，所有技术就摆在那里，而我们大多数人却对技术细节一点都不熟悉。这就是说，我们
2022-11-23 07:29:03
124标准），直接影响前端电池反向保护系统的整体设计。一些原始设备制造商将车辆处于停车状态时的总电流消耗规定为：在 12V 电池供电系统中每个电子控制单元 (ECU) 低于100µA，在 24V 电池供电系统中低于500µA。 在本文中，我将介绍设计低静态电流 (IQ) 汽车电池反向保护系统的三种方法…
2022-11-04 06:33:16
供电系统中低于500µA。在本文中，我将介绍设计低静态电流 （IQ） 汽车电池反向保护系统的三种方法。使用 T15 作为点火或唤醒信号设计低 IQ 电池反向保护系统的第一种方法是使用T15 作为点火或
2022-04-26 08:00:00
finfet都用什么PR工具？现在后端工具inn成主流了吗？没用过Innovus想问一下也能跑skill吗？
2021-06-25 08:09:39
从数据手册看，AD9643芯片有两种管脚定义方式， 平行的LVDDS 和 多氧化(日/日/日/日)LVDS 。请问AD9643BCPZ-250属于哪一种管脚定义方式？
2023-12-06 06:54:17
怎么设计一种智能信号装置？智能信号装置系统是如何组成的？具有哪些优点？
2021-04-15 06:46:23
请问怎么设计一种高效低谐波失真的功率放大器？E类功率放大器的工作原理是什么？
2021-04-12 06:31:25
水平。 在东胁的开创性研究中，他还介绍了由于使用高临界电场强度的材料而大幅降低功率损耗的情况。电场强度以Ec表示，是氧化镓真正的超能力。简单地说，如果在两个导体之间放置一种材料，把电压调高，那么Ec就是该
2023-02-27 15:46:36
高压的二极管相串联，但是，串联的二极管引起通态压降的增大，增加了损耗。而RB-IGBT是一种新型的IGBT，具有反向耐压能力，相对于传统串联二极管的模式，减少器件的同时，还降低了通态压降和损耗。两种
2020-12-11 16:54:35
）频率，对器件损耗进行优化。并联一个二极管，可以处理反向导通或换向产生的感性负载，或用于双向功率转换。这个二极管通常是碳化硅材料的，而且采用了共封装。也许IGBT最大的优势在于其较低的成本和经过验证
2023-02-05 15:16:14
反向导引场自由电子激光器的三维非线性模拟:对Conde–Bekefi反向导引场自由电子激光（FEL）放大器实验进行了三维非线性分析。当引入一类似于回旋自谐振脉塞收缩角(pi
2009-10-26 21:29:29
16 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252DPAK封装
2010-11-12 22:27:3332 瑞萨科技推出两轮机动车稳压器的反向导通晶闸管
株式会社瑞萨科技（以下简称瑞萨）宣布推出适用于两轮机动车稳压器和通用电池的引擎——CRD5CM反向导通晶闸管。C
2010-01-12 17:16:14892 在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上［3］。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
为精确计算光伏逆变器的IGBT损耗，指导系统热设计，提出了一种IGBT损耗精确计算的实用方法。以可视化的T程计算T具MathCAD为载体，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆变器IGBT实际
2017-12-08 10:36:0264 来源：互联网 二极管是电子电路中很常用的元器件，很多人都知道二极管是可以单向导电的，反向截止的特性。也就是只有正向的电流可以通过二极管，而反向的电流不行。二极管里面到底藏了什么机关，会让二极管具有
2020-10-20 15:55:29512 二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。在二极管的正向端（正极）加正电压，负向端（负极）加负电压，二极管导通，有电流流过二极管。在二极管的正向端（正极）加负电
2020-12-18 22:19:0016 二极管在电子电路中是一种非常常见的元器件，经常被使用，二极管的特性是正向导通，反向截止。
2022-08-15 09:44:1810535 
二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。
2022-11-10 11:18:472720 晶闸管具有单向导电性和正向导通可控晶闸管具有单向导电性和正向导通可控性。属于晶闸管的物理特征。
2023-02-27 17:12:14841 二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。
2023-04-06 09:47:391523 肖特基二极管的反向恢复时间表示的是从正向导通状态切换到反向截止状态时所需的时间。它是指当肖特基二极管从正向导通到反向截止时，电流停止流动，并且由于电荷存储效应而需要一定的时间才能完全恢复到截止状态的时间。
肖特基二极管是一种特殊构造的二极管，具有快速开关速度和低反向恢复时间的特点。
2023-08-24 15:45:111717 igbt可以反向导通吗？如何控制igbt的通断？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔离栅双极晶体管的缩写，是一种功率半导体器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 二极管是单向导电还是双向导电？为什么二极管具有单向导电性？二极管任何时候都具有单向导电性吗？ 二极管是双向导电的，但它具有单向导电性。 一、二极管的结构和功能 二极管是一种由半导体材料制成的电子元件
2023-11-17 14:35:421989 器件损坏。为了保护二极管不受反向击穿的影响，可以使用二极管反向恢复电路。 二极管反向恢复电路是一种用于减小反向恢复电流的电路，通常由二极管和电感器构成。当二极管处于正向导通状态时，电感器存储了能量；当二极管从导
2023-12-18 11:23:57597 扣式磁环为什么可以吸收损耗？ 扣式磁环是一种具有优异电磁性能的元件，常用于电源滤波、EMI抑制和信号传输等应用中。它的磁性能使其能够吸收电感器和电缆中的损耗。下面将详细介绍扣式磁环的工作原理、磁性
2024-01-11 15:59:16119 续流二极管有没有单向导通性 续流二极管是一种特殊的二极管，能够在正向和反向电压下都具有单向导通性。下面将详细介绍续流二极管的原理、结构和应用。 1. 原理和结构： 续流二极管的原理基于雪崩击穿效应
2024-03-08 16:03:16127
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