德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1711 2012年10月10日，德国纽必堡讯——英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基势垒二极管，壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。
2012-10-10 13:37:101190 2015年1月13日，德国慕尼黑、美国加利福尼亚埃尔塞贡多 （El Segundo） 讯—— 英飞凌科技股份有限公司（法兰克福证券交易所股票代码：IFX、美国柜台交易市场股票代码：IFNNY）今天
2015-01-14 11:10:121918 据报道，台积电董事长张忠谋周四表示，他不排除在美国建新芯片工厂的可能性，但在美国生产芯片，包括苹果、高通和英伟达在内的美国客户利益会受损。
2017-01-14 10:43:32635 根据2019年Yole发布的SiC市场报告，2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元，该机构预计SiC市场的年复合增长率为29%，也就是说到2024年，SiC的市场规模将达19.3亿美元。
2020-04-03 18:26:1314945 近日，在EEVIA年度硬科技峰会上，来自英飞凌的电源与传感系统事业部应用管理高级经理徐斌带来了最新的户用储能市场的前瞻和英飞凌提供的半导体元器件系列解决方案。
2023-10-05 11:52:011859 
11 月 10 日消息，据台媒报道，台积电赴美国建 5nm 厂各项规划已逐渐清晰。
2020-11-10 11:39:152091 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181555 
09年美国石材/09年美国建材展/09年/美国最大石材瓷砖地铺展/09年美国石材/赵细金0592-2653917/欧美建材五金石材展/09年美国瓷砖展/09年美国大理石展/09年美国石材制品展/09
2008-12-02 20:24:47
2009年美国建材展/2009年美国卫浴洁具展/2009年美国门窗五金展/2009年美国陶瓷石材展/2009年美国钢材混凝土展2009年美国建材展/2009年美国卫浴洁具展/2009年美国门窗五金展
2008-08-19 09:33:48
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
的Ioffe研究所。埃尔兰根大学和林克平在欧洲的SUNY-Stony Brook，Carnegie Mellon和美国的普渡大学等等。 在他们发布后的几年内，SiC肖特基二极管经历了可追溯到材料质量和器件
2023-02-27 13:48:12
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
山东等地大量回收IGBT模块电话151-5220-9946微信同步QQ2360670759山东地区回收IGBT模块,公司专业回收西门康模块,求购英飞凌模块,大量回收富士模块,高价回收三菱模块,功率
2021-09-12 18:03:24
那位老师有英飞凌TC1767汽车编程器。软件
2015-01-08 03:20:21
，通过对芯片组的优化构建更好的系统，从而减少道路交通事故伤亡人数。例如，根据美国法律规定，汽车必须安装轮胎压力传感器系统，而英飞凌在这一领域取得了领先地位。安全系统也在向主动安全系统发展，在事故发生
2018-12-13 17:15:46
年，可再生能源在全球能源消费总量中所占的份额将大幅上升。其中，美国能源信息管理署估计这一比例约为8%，绿色和平组织和欧洲可再生能源委员会的预测更是高达30%。英飞凌的芯片和模块为风力、水力和太阳能等
2018-12-03 14:03:30
品牌型号美金RMBRMB(税)英飞凌FF50R12RT422.0 147.8 163.5 英飞凌FF75R12RT429.7 199.6 220.7 英飞凌FF100R12KS4 46.2
2012-07-29 12:07:29
），公司的销售额达 58亿欧元，在全球范围内拥有约 35,400 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier
2018-12-12 09:47:49
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
09年美国建材展/09年拉斯维加斯建材展/09年美国最大建材展/09年欧美建材五金石材展/赵细金0592-2653917/国际建材展会咨询/09年美国建材机械展/09年美国建筑材料展/09年美国建
2008-11-19 14:29:14
;：betty980718@hotmail.com2009年美国建材展/2009年美国卫浴洁具展/2009年美国门窗五金展/2009年陶瓷石材展2009年美国建材展/2009年美国卫浴洁具展/2009年美国门窗五金展/2009年陶瓷
2008-08-13 20:02:17
有罗姆，英飞凌，Cree，意法半导体等，因为罗姆在官网提供比较易得的SiC参数性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能参数，下载模型在软件做一些简单的仿真。这次提供的试用开发板和对应插件正好可以
2020-05-19 16:03:51
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
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2021-05-15 15:24:55
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2021-10-19 15:05:28
***QQ：879821252 】 ▲收购英飞凌电子IC以下型号： SPD02N80C3|BGF121E6329|35N60CFD|47N60C3...▲▲大量回收工厂电子IC，整厂回收，电子IC收购
2021-08-30 19:01:01
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
向大家请教一下:国内大陆的USB3.0 hub芯片原厂可以举例2-3家吗？我在网上查到的基本是韩国，日本，美国，***的这类芯片
2022-05-10 21:45:59
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
LED驱动IC低PFSIC953xJS 系列-SIC9531JSSOP4
2021-07-22 10:57:02
低功率因素方案SIC953XD系列 ：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D0.514Ω 500VSOP7
2021-08-27 18:06:47
PWM调光方案SIC994XB/D 系列SIC9942B/DSOP7
2021-07-22 11:05:27
深爱原厂一级代理SIC995x系列 全系列代理详细内容低功率因素非隔离按键调光方案SIC995X 系列SIC9953 500VSOP7/DIP7
2021-07-22 11:10:22
09年美国洁具展/09年美国卫浴展/09年世界上最大厨卫展/09年美国厨卫展/09年 KBIS/09年美国建材展/赵细金0592-2653917/09年美国洁具展/09年美国卫浴展/09年美国厨具展
2008-12-02 20:24:19
英飞凌向尔必达提出专利侵权诉讼
英飞凌科技股份公司近日宣布，该公司及其子公司英飞凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会（ITC）递交起诉书，
2010-02-24 08:53:45653 SiC,SiC是什么意思
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C
2010-03-04 13:25:266541 福耀玻璃(600660)董事长曹德旺的一席话在国内掀起轩然大波，时隔数日，讨论声仍然此起彼伏。其实，中国企业去美国建厂，福耀玻璃不是第一家，此前已经有多家中国企业在美国建立了自己的工厂。“中国企业
2016-12-22 11:24:441215 LG电子将会在美国建设首个生活家电工厂。分析人士认为，这与即将上台的特朗普政府加强贸易保护主义有关。
2017-01-09 16:29:23820 据外媒报道，在特朗普威胁提高关税的恫吓下，世界许多大厂纷纷表态将在美国本土投资建厂。现在，LG也加入这些厂商的行列，这家韩国电子巨头将投资2.5亿美元在美国建设新工厂。
2017-03-02 10:48:181126 如果成本合适，台积电可能考虑在美国建新厂。
2019-06-09 14:38:002885 第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产，并打入多个应用市场。日前，在英飞凌科技举办的媒体见面会上，该公司大中华区工业功率控制事业部副总裁于代辉和工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅SiC市场的最新进展。
2019-07-02 16:33:216460 由于安全方面的担忧，美国政府希望该公司在美国本土生产。而两名消息人士表示，台积电正积极考虑在美国建厂，新工厂生产的半导体会比苹果公司即将用在今年最新5G iPhone中的5纳米芯片还要先进。
2020-03-17 14:31:302256 在半导体领域，不只是中国担心被卡脖子，美国也一样担心，因为台积电是全球最大也是最先进的晶圆代工厂，生产并不控制在美国人手中。特朗普政府一直希望台积电去美国建厂，不过这事并不容易。
2020-04-20 09:15:322377 在半导体领域，不只是中国担心被卡脖子，美国也一样担心，因为台积电是全球最大也是最先进的晶圆代工厂，生产并不控制在美国人手中。特朗普政府一直希望台积电去美国建厂，不过这事并不容易。
2020-04-20 09:19:133180 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 全球SiC的产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势。美国的科锐、德国的英飞凌、日本的罗姆这三家公司占据了全球SiC市场约70%的份额，其中科锐、罗姆实现了从SiC衬底、外延、设计、器件及模块制造的全产业链布局。
2020-09-26 10:14:562013 作为全球半导体技术最先进的国家，美国本土最新工艺还是14nm，已经落后于台积电了。今年5月份台积电宣布在美国建设5nm晶圆厂，总投资120亿美元，现在已经开始启动招聘了。
2020-11-04 10:00:111432 据台媒报道，台积电赴美国建 5nm 厂各项规划已逐渐清晰。 台积电规划明年二月动工，2023 年正式装机试产 5nm、2024 年量产。台积电敲定中科厂十五 A 厂长林廷皇及技术处资深处长吴怡璜二大
2020-11-11 17:42:241317 英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五年。
2020-11-13 11:48:48992 近日，英飞凌与GT Advanced Technologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五年。英飞凌此举无疑是看到了SiC广阔的市场规模，据Yole预测，SiC
2020-12-29 16:12:162786 台积电最近兴高采烈，因为业绩太好了，利润破纪录，与此同时，台积电正考虑在日本建芯片研发基地，业界推测这是为后续建工厂做准备。可是，台积电之前一再谈要去美国建芯片工厂，难道台积电要同时在美国、日本建芯片厂？这无疑引发了业内高度关注。
2021-01-11 13:59:141763 2020年5月15日，之前一直否认去美国建厂的台积电突然宣布，将投资120亿美元在美国建设晶圆代工厂，生产5nm工艺。 台积电表示，此座将设立于亚利桑那州的厂房将采用台积公司的5nm制程技术生产
2021-02-24 11:09:391450 2020年5月15日，之前一直否认去美国建厂的台积电突然宣布，将投资120亿美元在美国建设晶圆代工厂，生产5nm工艺。
2021-02-24 12:03:011855 2020年5月15日，之前一直否认去美国建厂的台积电突然宣布，将投资120亿美元在美国建设晶圆代工厂，生产5nm工艺。
2021-02-24 12:01:251753 关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
即将开展为期多年的碳化硅（SiC）半导体供应合作。英飞凌将预留产能，并在2025年至2030年间向Stellantis的一级Tier 1供应商提供CoolSiC™裸片。此次协议潜在的采购量和产能储备
2022-12-27 10:30:58333 
当前从目前的供应情况来看，车规级SiC MOSFET主要由英飞凌、ST、罗姆三家供应，供不应求现象较为严重。另一方面来说，国内也有不少SiC器件厂商推出了车规级SiC MOSFET产品
2023-01-30 16:18:27545 【 2023 年 02 月 09 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体
2023-02-09 17:51:29535 
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:04
79 英飞凌和Schweizer Electronic AG正在合作，将英飞凌的1200V CoolSiC™芯片嵌入印刷电路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 
众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，Si
2023-01-12 14:34:01630 
IPAC|2023年度英飞凌碳化硅直播季第一场直播于5月23日顺利结束。直播中英飞凌的三位工程师孙辉波、赵佳、郝欣与大家探讨了CoolSiC沟槽栅MOSFET的设计理念、高性能封装互联方案.XT
2023-07-31 17:30:06847 据“行家说三代半”此前报道，2022年2月，英飞凌宣布将投资超过20亿欧元（合计约144亿人民币）扩大SiC 和 GaN半导体的产能，他们将在其马来西亚居林工厂建造第三个厂区。
2023-08-04 14:59:26517 8月11日报导显示，碳化硅（SiC）半导体领域竞争升级，英飞凌（Infineon）宣布将在马来西亚兴建全球最大的8英寸SiC晶圆厂，为长期合约订单背书，此举颇有跟不久前才宣布在重庆建8英寸
2023-08-11 16:16:47341 英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
。从Wolfspeed 计划在德国建设全球最大的 SiC 工厂，到三菱计划在日本建设8 英寸 SiC 晶圆厂，这些项目不仅涉及气候变化，还涉及缓和全球紧张局势和保障芯片供应。 我们在美国政府为其国内芯片制造提供的 527 亿美元补贴计划中看到了这一点，作为其“芯
2023-10-16 18:38:22406 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
在汽车和可再生能源领域，英飞凌已经获得了重大的设计胜利，相关客户的约10亿欧元的预付款将有望在2024年和2025年的财政年度为其自由现金流做出贡献。英飞凌已经从6家原始设备制造商（OEMs）和5家主要客户那里获得了总计约50亿欧元的设计胜利。
2023-11-27 10:25:06183 
,GreenIndustrialPower）事业部，也可以看出英飞凌继续加码绿色能源市场的决心和信心。SiC作为英飞凌减碳事业的关键产品，一直以来英飞凌对SiC产品在多个关键应用市场推进付出了诸多
2024-01-10 08:13:51152 
2023年5月，英飞凌与天科合达签订了长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天科合达主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底，同时还将提供8英寸碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸SiC晶圆的过渡。
2024-01-11 16:38:33388 
英飞凌与韩国SK Siltron子企业SK Siltron CSS最近达成了一项重要协议。根据该协议，SK Siltron CSS将为英飞凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圆，以支持英飞凌在SiC半导体生产方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228 近日，英飞凌与SiC晶圆供应商韩国SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式签署了一项协议。
2024-01-19 10:00:07218 英飞凌科技（Infineon Technologies）与美国半导体制造商Wolfspeed近日宣布，双方将扩大并延长现有的晶圆供应协议。这一协议的扩展将进一步加强英飞凌与Wolfspeed之间的合作关系，以满足市场对碳化硅（SiC）晶圆产品日益增长的需求。
2024-01-24 17:19:52441 英飞凌技术公司与美国北卡罗来纳州达勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家专门生产碳化硅（SiC）材料和功率半导体器件的制造商 — 已经扩大并延长了他们的现有长期150毫米碳化硅（SiC）晶圆供应
2024-01-30 17:06:00180 
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00382 近期，英飞凌科技公司宣布与安克创新和盛弘电气两大知名厂商达成合作，共同推动SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）技术在各领域的应用。这些合作将进一步提升功率半导体器件的效率和性能，为行业带来更多的创新和价值。
2024-02-02 15:06:34304 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134
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