实际系统的很多方面都会在PCB布局,IC或任何其他电气系统中产生意外的寄生现象。重要的是在尝试使用SPICE仿真提取寄生效应之前,请注意电路图中无法考虑的内容。
2020-12-31 12:01:418249 通过对PFC MOS管进行测试和深入分析发现,MOS管的寄生参数对振荡起着关键作用。
2021-02-07 13:35:008550 上期我们介绍了寄生电感对Buck电路中开关管的影响,本期,我们聊一下如何优化寄生电感对电路的影响。
2022-11-22 09:07:35765 前面我们详细的介绍了共射放大电路的设计步骤,对于低频信号,可以不考虑三极管的频率特性,但是随着输入信号频率的增加,MOS管的寄生电容就不得不考虑。MOS管有极间电容有Cgd,Cgs,Cds。
2023-02-21 12:36:142008 mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
2023-02-24 15:38:092175 不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。
2023-03-24 09:51:16518 MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS之间要并电阻,其源头都在于这三个寄生电容。
2023-05-08 09:08:543231 引言:MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的缩写,具有高速和低损耗的特性,广泛应用于各种领域。和普通的阻容一样,MOS也有其寄生模型,了解其等效寄生模型有助于我们在高速应用中快速掌握其特性。
2023-06-08 11:56:061888 NMOS时,GS电荷需要泄放,至电荷泄放完毕,G极才会达到GND或者关断阈值(传送门:MOS-1:MOS的寄生模型。对于PMOS,这个过程则反过来,对G极充电关断,G极放电开启。
2023-07-23 10:45:581134 MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS之间要并电阻
2023-08-26 08:12:55915 本章首先介绍了MOS管的基本结构并推导了其I/V特性,并阐述MOS管的二级效应,如体效应、沟道长度调制效应和亚阈值传导等,之后介绍了MOS管的寄生电容,并推导其小信号模型。
2023-10-02 17:36:001342 分析IGBT,一般可以采用两种模型,一种是简化的“PIN+MOS”模型,一种是更切合实际的“PNP+MOS”模型,前者逻辑分析简单
2023-11-30 17:00:48519 在前面关于PIN&MOS模型分析中,特别强调了这个模型所存在的一个短板,即所有电流都通过MOS沟道,实际上只有电子电流通过MOS沟道,而空穴电流则通过p-base。
2023-12-01 10:17:46440 EE工程师都会面临MOSFET的选型问题,无论是功率级别应用的Power MOS还是信号级别的Signal MOSFET,他们的Datasheet中,一定会给出MOSFET的三个结电容随Vds电压变化的曲线。
2023-12-05 17:32:552328 在PCB(PrintedCircuitBoard,印刷电路板)设计中,过孔寄生电感是一个重要的考虑因素。当电流通过PCB的过孔时,由于过孔的几何形状和布局,会产生一定的寄生电感。这种寄生电感可能会
2024-03-15 08:19:53675 在MOS管中 寄生电阻、电感、电容过大过小可能对双闭环电路产生的短路/短路故障,根据输出的电压波形做具体的分析判断,可以倒推出MOS管中具体哪部分出的问题附件中列出了可能的故障类型,是否可以调节具体的参数来实现? 谢谢
2020-05-23 23:48:06
N沟道,是单独引线的那边2. N沟道与P沟道判别箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道3. 寄生二极管方向判定不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致
2023-02-10 16:17:02
记,一个简单的识别方法是:(想像DS边的三节断续线是连通的)不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:要么都由S指向D,要么都由D指向S。 小提示:MOS管中的寄生二极管方向是关键。5、常用的MOS管作为开关左右经典电路。
2019-09-11 10:27:48
电源设计,也涉及嵌入式开发,对大小功率mos管,都有一定的理解,所以把心中理解的经验总结一番,形成理论模型。MOS管等效电路及应用电路如下图所示:把MOS管的微观模型叠加起来,就如下图所示:我们知道
2018-11-21 14:43:01
由于MOS管栅极寄生电容以及寄生电感的存在使得MOS管驱动时栅极很容易发生谐振,常采用的办法是在栅极串接一个小电阻,我想问为什么电阻可以抑制振荡?请众位大神解释原因,呵呵,知其然不知其所以然!
2014-05-24 15:28:54
**。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于**工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在
2019-02-14 11:35:54
(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有 6.5 毫伏。由于 MOS 管越来越便宜,所以人们逐渐开始使用 MOS 管防电源反接了。NMOS 管防止电源反接电路:正确连接时:刚上电,MOS 管的寄生二极管
2020-11-16 09:22:50
等效模型MOS管相比于三极管,开关速度快,导通电压低,电压驱动简单,所以越来越受工程师的喜欢,然而,若不当设计,哪怕是小功率MOS管,也会导致芯片烧坏,原本想着更简单的,最后变得更加复杂。这几年来
2022-01-03 06:55:36
您好,我使用的是“IC-CAP”软件,因此我可以访问我的MOS晶体管的VerilogA模型。外部电压和流动电流由IC-CAP存储。另外,我在每次调用我的模型时,在一个单独的文件中保存自己的计算值
2018-12-19 16:29:13
串接了一个电容在其旁边,如图所示,由于MOS管背部存在寄生电容,这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。 故此,如果MOS的开关速度很快的情况下,建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的寄生
2021-01-11 15:23:51
出现这个drop。(也就是不要出现对地回路就不会有这个现象)。麻烦问下这个是什么原因导致的(是否mos的输出寄生电容过大??可是为啥没有对地回路就不会呢??),如何规避?
2022-04-01 16:02:42
寄生电容的影响是什么?焊接对无源器件性能的影响是什么?
2021-06-08 06:05:47
最近在整理电感的内容,忽然就有个问题不明白了:寄生电感怎么来的呢?一段直直的导线怎么也会存在电感,不是只有线圈才能成为电感吗?想到以前看的书,这个寄生电感的存在大家都默认是有的,貌似也没有人怀疑这个
2021-01-28 07:00:38
生产。在这个图中,我们同时也描绘了寄生电路,它包含了两个BJT(一个纵向npn和一个横向pnp)和两个电阻(RS是因N型衬底产生,Rw是因P阱产生)。BJT的特性和MOS是完全两样的。CMOS电路中的寄生PNPN效应 :
2018-08-23 06:06:17
便宜,所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。 NMOS管防止电源反接电路: 正确连接时:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概就是0.6V,而G极的电位,是VBAT
2018-12-20 14:21:28
1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻,实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄生参数(电容)是限制其
2021-10-28 08:17:48
1.直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡,一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断
2018-11-16 11:43:43
便宜,所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。NMOS管防止电源反接电路:正确连接时:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概就是0.6V,而G极的电位,是VBAT,VBAT-0.6V大于
2018-12-03 14:47:15
MOSFET的开关瞬态特性分析 利用升压转换器,评估了封装寄生电感对MOSFET开关特性的影响。图2所示为传统的TO247 MOSFET等效模型的详情,以及升压转换器电路和寄生电感的详情。对于
2018-10-08 15:19:33
开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动
2018-10-18 18:15:23
多以NMOS为主。 MOS管的三个管教之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的,寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。 在
2018-12-03 14:43:36
便宜,所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。 NMOS管防止电源反接电路: 正确连接时:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概就是0.6V,而G极的电位,是VBAT
2018-12-20 14:35:58
。 NMOS管防止电源反接电路: 正确连接时:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概就是0.6V,而G极的电位,是VBAT,VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压,MOS管的DS就会导通,由于
2019-02-19 11:31:54
制在10V左右。 二、MOS管的栅源输入电压必须被严格的拧制在输入电压值之内,即使输入栅极的电压低于电压值也不是最保险的,因为连接华晶MOS管的导线中存有寄生电感效应,当导线中的寄生电感与栅极电容相
2018-10-19 16:21:14
和马达驱动的应用中,一般都用NMOS管。下面在立深鑫的介绍中,也多以NMOS管为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择
2018-10-26 14:32:12
实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中,NMOS居多。图1 左边是N沟道的MOS管,右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢?**它的判断规则就是对于N沟道,由
2019-03-03 06:00:00
解MOS的相关知识,我们还得到一个知识点,那就是:MOS在制造过程中,会自动形成一个PN结,也就是我们常说的MOS管的“寄生二极管”。那么这个寄生二极管的方向如何判断呢?同样,我们记住这两句话就好
2019-08-29 21:03:22
本文介绍了寄生传输线的信道特性和信道模型,寄生传输线具有衰减大、输入阻抗小、很强的时变性和干扰大的特点。信道模型为一线性时变系统。整个信息寄生传输系统由控制
2009-06-15 09:35:3410 PCB板寄生元件的危害:印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括:寄生电阻、寄生电容和寄生电感。例如:PCB的寄生电阻由元件之间的走线形成;电路板上的走线、焊盘和平行走线会
2009-11-15 22:28:470 计及寄生参数效应的铁氧体共模扼流圈二端口网络的建立:共模扼流圈的寄生参数在高频时对滤波器的性能有重要影响,准确建立其对应的差模和共模二端口模型对设计电磁兼容滤
2010-02-18 13:07:0724 寄生电容,寄生电容是什么意思
寄生的含义 寄身的含义就是本来没有在那个地方设计电容,但由于布线构之间总是有互容,互
2010-03-23 09:33:552558 在当今的开关电源设备中,MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。
2016-11-24 16:02:062330 问题。 【问题分析】 上图为典型的半桥自举驱动电路,由于寄生电感的存在,在高端MOS关闭后,低端MOS的体二极管钳位之前,寄生电感通过低端二极管进行续流,导致VS端产生负压,且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位,
2017-11-15 14:31:120 ; MOS管的寄生二极管方向如何; MOS管如何导通;带着这几个问题,再看下面的内容,你会理解的更快、更多。通过这8张图片,是不是就很容易搞懂MOS管了?有没有搞懂来练练手再说.
2018-07-15 11:03:0016674 电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻,尤其是容量较大的电容更为明显。如果你解剖过电容器,会看到它的极板是用长达1米的金属薄膜卷曲而成的,其层状就像一个几十、甚至上百圈的线圈
2018-01-31 13:44:5537300 MOS管常需要偏置在弱反型区和中反型区,就是未来在相同的偏置电流下获得更高的增益。目前流行的MOS管模型大致可分为两类,本文将详解MOS管模型的类型和NMOS的模型图。
2018-02-23 08:44:0051655 本文开始阐述了寄生电感的概念和和寄生元件危害,其次阐述了寄生电感测量仪的设计和寄生电感产生原因或产生方式,最后介绍了PCB过孔的寄生电容和电感的计算以及使用。
2018-03-28 14:50:4239049 小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。
2018-04-24 14:09:0525820 如果MOS管用作开关时,(不论N沟道还是P沟道),一定是寄生二极管的负极接输入边,正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。
2018-06-07 08:00:0068 ,是单独引线的那边 2、N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 3、寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生
2018-09-12 10:24:00163890 本文首先介绍了寄生电容的概念,其次介绍了寄生电容产生的原因,最后介绍了寄生电容产生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。可以在MOS管关断时为感性负载的电动势提供击穿通路从而避免MOS管被击穿损坏。
2019-06-19 10:01:31141619 MOS管的隔离作用MOS管实现电压隔离的作用是另外一个非常重要且常见的功能,隔离的重要性在于:担心前一极的电流漏到后面的电路中,对电路系统的上电时序,处理器或逻辑器件的工作造成误判,最终导致系统无法正常工作。因此,实际的电路系统中,隔离的作用非常重要。
2019-08-12 11:07:3718615 寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。在高速数字电路的设计中,过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献,减弱整个电源系统的滤波效用。我们可以用下面的公式来简单地计算一个过孔近似的寄生电感。
2019-10-11 10:36:3319064 正确连接时:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概就是0.6V,而G极的电位,是VBAT,VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压,MOS管的DS就会导通,由于内阻很小,所以就把寄生二极管短路了,压降几乎为0。
2020-04-04 15:21:005456 寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容,但由于布线之间总是有互容,互容就好像是寄生在布线之间的一样,所以叫寄生电容,又称杂散电容。
2020-09-17 11:56:1127673 MOS管的等效模型 我们通常看到的MOS管图形是左边这种,右边的称为MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 寄生电容是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,一个电阻的串联,低频情况下表现不明显,而高频情况下,等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。
2020-10-09 12:04:1734949 今天的文章内容很简单,也很简短,但却很实用。 以NMOS举例,只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。 NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管,方向为S到D,利用二极管单向导电性以及MOS
2021-02-12 16:04:0019727 我们经常看到,在电源电路中,功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻用什么作用呢? 如上图开关电源,G串联电阻R13这个电阻的作用有2个作用:限制G极电流,抑制振荡。限制G极电流MOS管是由电压驱动的,是以G级电流很小,但是因为寄生电容的存在,在MO...
2021-11-07 12:50:5930 等效模型MOS管相比于三极管,开关速度快,导通电压低,电压驱动简单,所以越来越受工程师的喜欢,然而,若不当设计,哪怕是小功率MOS管,也会导致芯片烧坏,原本想着更简单的,最后变得更加复杂。这几年来
2022-01-11 13:57:164 mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。接下来就由小编针对mos管的损坏原因做以下简明介绍。
2022-03-11 11:20:172517 和我们在模电课本上见到的MOS管不同,我们在MOS管厂家提供的datasheet中看到的功率MOSFET的原理图符号都会包括一个寄生器件——体二极管。体二极管是MOS管器件结构固有的。尽管随着这么多年的发展,功率 MOSFET的结构和器件设计发生了许多根本性变化,但体二极管却仍然存在。
2022-03-09 11:42:447797 功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。
2022-03-30 10:43:449957 如图C1、C2的值,这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢,就达不到想要的效果。
2022-04-05 09:41:001710 的,今天我们就来讲解一下,对于理想的MOS器件来说,我们只考虑器件本身,而不考虑MOS的寄生电容的话,那么是无需考虑驱动电流的大小的。相信大家都听过一个名词,叫寄生电容,也叫杂散电容,是电路中电子元件
2022-04-07 09:27:124967 功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。
2022-04-07 15:23:288866 本来没有在那个地方设计电容,但由于布线之间总是有互容,互容就好像是寄生在布线之间的一样,所以叫寄生电容 寄生电容: 本质上还是电容,满足i=c*du/dt。 电容是用来衡量储存电荷能力的物理量。根据
2022-07-27 14:23:5515292 对于单个NMOS来说,在开通时,需要提供瞬间大电流向MOS内的寄生电容充电,栅源电压(VGS)达到一定阈值后,MOS才能完全开通。在MOS开通后,还需要维持合适的栅源电压(VGS),才可以保持开通状态。
2022-08-02 14:56:29753 如图,MOS管内部有寄生电容Cgs,Cgd,Cds。因为寄生电容的存在,所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
2022-08-25 09:47:265204 关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。 一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:
2022-10-24 09:35:331532 LP6451内部集成了两个MOS管,构成同步Buck电路中所必须的上管和下管,同样由于PCB上的走线,Die与芯片引脚之间Bonding线都会带来寄生电感,我们在分析LP6451的MOS管应力时,就需要把这些寄生电感都考虑进来,而图1就是LP6451功率部分的实际等效电路图。
2022-11-15 09:27:271382 在实际电路中,寄生电感最主要的来源是PCB上的走线以及过孔,PCB板上的走线长度越长,过孔的深度越大,寄生电感就越大。
2022-12-28 18:05:492008 下图是NMOS的示意图,从图中红色框内可以看到,MOS在D、S极之间并联了一个二极管,其被称为体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。
2023-01-11 11:22:4725189 在器件的手册中,会给出MOS管的寄生参数,其中输入电容Ciss就是从输入回路,即端口G和S看进去的电容,MOS管导通时的GS电容,是Cgd和Cds的并联。
2023-01-19 16:00:008583 随着半导体工艺的发展,由导线引起的寄生效应产生的影响越来越大。三个寄生参数(电容、电阻和电感)对电路都有影响。
2023-02-13 10:38:023801 mos管会有寄生二极管是因为mos管的源极和漏极之间的电阻会发生变化,这种变化会导致mos管内部的电压发生变化,从而产生一个寄生二极管。寄生二极管可以抑制mos管的漏电,从而提高mos管的效率。
2023-02-19 14:35:598633 MOS管制造工艺会造成内部D极与S极之间存在一个寄生二极管,其作用:一是电路有反向电压时,为反向电压提供续流,避免反向电压击穿MOS管;二是当DS两级电压过高时,体二极管会先被击穿,进而保护MOS;
2023-04-04 09:34:34670 在电路设计中每个器件都有其寄生参数。例如,一个电感中还存在容性和阻性分量,电容中还存在感性和阻性分量。
2023-04-08 11:43:27831 MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二 极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
2023-06-05 14:48:11238 MOS管开关电路 但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!
2023-06-25 10:21:07652 使用Coventor SEMulator3D®创建可以预测寄生电容的机器学习模型
2023-07-06 17:27:02187 如何减少导线的寄生电感? 引言: 随着电子设备的广泛应用,对于高速数据传输和高频信号的传输要求也越来越高。然而电学特性的限制使得对导线的寄生电感逐渐成为制约高频电路性能的瓶颈之一。降低寄生电感
2023-09-05 17:29:313211 寄生电容对MOS管快速关断的影响 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一种晶体管,它以其高性能和可靠性而广泛应用于许多电子设备,如功率放大器和开关电源。尽管MOS管具有
2023-09-17 10:46:581244 第二个作用就是MOS管的GS极间有寄生电容的存在,当我们断电时,由于这个寄生电容没有放电路径,这个MOS管还会处于一个导通状态,那么我们下次上电时,这个导通状态就是不受控制的,也会造成MOS管击穿
2023-10-21 10:38:161001 寄生电感的影响
2023-11-29 16:32:26328 寄生电感的介绍
2023-11-29 16:41:12816 。 2、N沟道与P沟道判别 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 3、寄生二极管方向判定 不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:要么都由S指向D,要么都有D指向S。 4、 MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 5、MOS管用作开关时
2023-11-26 16:14:451341 于高频率电源和功率电子应用中。 然而,与其他MOS管类似,氮化镓MOS管也存在一个寄生二极管的问题。这是由于传导电阻造成的杂质浓度梯度造成的PN结,导致在GaN MOSFET的栅源结和漏源结之间形成了一个二极管。 当MOS管工作在开关状态时,寄生二极管不会产生
2024-01-10 09:30:59367 MOS管体二极管(也称为寄生二极管、内置二极管或反并二极管)是指在金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中存在的一种寄生元件。这种二极管并不是有意设计的,而是由MOSFET的结构自然形成
2024-01-31 16:28:22505 寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。 它们通常是由于电路布局、线路长度、器件之间的物理距离等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246 从式中可以看出:过孔的直径对寄生电感的影响较小,而长度才是影响寄生电感的关键因素。所以,在设计电路板时,要尽量减小过孔的长度,以提高电路的性能。
2024-02-27 14:28:57161
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