IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GT
2010-07-29 11:53:231816 IGBT模块内部 杂散电感的定义 IGBT半桥逆变电路工作原理以及当IGBT1开通关断时的电压电流波形如图1所示,Lσ代表整个换流回路(条纹区域内)所有的杂散电感之和(电容器,母排,IGBT模块
2023-08-18 09:08:182225 IGBT(绝缘栅双极晶体管)漏电流增加的原因有多种,以下是对这些原因的分析: 正向电压的增加 :当IGBT的控制极压加上一定的电压时,例如正向电压,漏结区就会被压缩。这时候漏极和源极之间就会产生
2023-12-13 16:01:59847 IGBT和碳化硅(SiC)模块的开关特性受到许多外部参数的影响,例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40506 开通和关断电阻图4分开使用开通和关断电阻 门极电压钳位很重要。IGBT自身具有最大电流限制能力,尤其是在短路的时候,只要能够很好地控制住门极电压,短路电流就会受限从而避免模块因短路电流过大而损毁。另外,钳住
2018-12-06 10:06:18
是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N
2012-07-25 09:49:08
1. IGBT模块的选定在使用IGBT模块的场合,选择何种电压,电流规格的IGBT模块,需要做周密的考虑。a. 电流规格IGBT模块的集电极电流增大时,VCE(-)上升,所产生的额定损耗亦变大。同时
2021-08-31 16:56:48
Through)技术实现IGBT的大功率化。IGBT只比IGBT模块来构成牵引变流器以及辅助电源系统的恒压恒频(CVCF)逆变器。IGBT模块的电压等级范围为1200V~6500V。 2.1
2012-06-01 11:04:33
请问大家IGBT模块怎么做能起到保护,在瞬间起动超负荷大电流大电压的情况下能起到保护,可以在接线IGBT模块前增加其他配件吗?
2018-04-09 17:16:53
本帖最后由 电力电子2 于 2012-6-20 14:35 编辑
IGBT模块散热器选择及使用原则 一、散热器选择的基本原则 1, 散热器选择的基本依据 IGBT散热器选择要综合根据器件
2012-06-20 14:33:52
IGBT模块散热器最基本的使用说明。 ㈠ 依据装置负载的工作电压和额定电流以及使用频率,选择合适规格的模块。用户使用模块前请详细阅读模块参数数据表,了解模块的各项技术指标;根据模块各项技术参数
2012-06-19 11:38:41
特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。 4.4散热设计 取决于IGBT模块所允许的最高结温(Tj),在该温度下,首先要计算出器件产生的损耗,该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热
2012-06-19 11:17:58
, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。以下是最基本的使用说明。 (一)根据负载的工作电压和额定电流以及使用频率,选择合适规格的模块。 用户使用模块前请
2012-06-19 11:20:34
较高: 选择IGBT模块散热器,首先从两方面因素作为先决条件, 热阻,热阻是衡量散热器散热能力的重要指标,热设计的重点是对散热器热阻的计算,在选择时,先根据原器件的功耗,确定冷却方式,该参数确定
2012-06-20 14:58:40
IGBT模块是由哪些模块组成的?IGBT模块有哪些特点?IGBT模块有哪些应用呢?
2021-11-02 07:39:10
`各位老师,我最近在做IGBT模块的饱和压降测试,我是直接用光耦芯片HCNW3120驱动,但测试电流大了之后,采集的波形震荡比较大,栅极电压也有点变化(小电流时比较好),这样是不是会影响测试结果
2017-12-27 11:11:47
等设计比较好,就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。2、IGBT电流的选择 半导体器件具有温度敏感性,因此,IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。随着壳温的上升,IGBT模块可利用
2022-05-10 10:06:52
串接在主电路中,通过电阻两端的电压来反映电流 的大小;对于大中容量变频器,因电流大,需用电流互感器TA。电流互感器所接位置:一是像串电阻那样串接在主回路中,二是串接在每个IGBT模块上,。前 者只用一
2012-06-19 11:26:00
,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、高效等优点。 该系统适用于中低压IGBT模块产品的高温反偏测试,最大测试电压为3500V。可以实现对IGBT器件集电极-发射极电压Vce
2018-08-29 21:20:11
功率因数不是1时,负载的无功电压分量便会加在开关器件上,为了避免IGBT承受反向电压而损坏,必须用快速二极管与IGBT串联。即使是采用IGBT模块,由于内部已有反并联快速二极管,IGBT也不会承受反电压
2013-02-21 21:02:50
IGBT功率模块是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
1,IGBT单管:IGBT,封装较模块小,电流通常在100A以下,常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2,IGBT模块
2012-07-09 12:00:13
**Mosfet **和 IGBT 驱动对比的简介简述:一般中低马力的电动汽车电源主要用较低压(低于 72V)的电池组构成。由于需求的输出电流较高,因此市场上专用型的 Mosfet 模块并不
2022-09-16 10:21:27
,功率提升主要靠电力电子器件串并联数目的增加来实现,因此具有成本较低,便于不同功率等级变流器进行模块化设计和生产等优点。通过串联IGBT可以提高变流器的电压等级,而通过并联IGBT则可以提高变流器的电流
2015-03-11 13:18:21
会流过较大的静态电流。而且,静态电流Ic1 与Ic2 的这种差异远大于饱和电压分布不同所引起的差异。因此,直流回路以及输出回路母线布局、电解电容和IGBT模块的布局需要经过优化,使每个并联支路尽量对称
2018-12-03 13:50:08
峰值电流: RGint:大电流IGBT内部会集成一些芯片,每个芯片都有单独的栅极电阻,RGint是这些栅极电阻并联之后的值。集成内部栅极电阻的作用是为了实现模块内部IGBT芯片的均流,该思路在做单
2021-02-23 16:33:11
的IGBT门极开通电压尖峰是怎么回事? 图1a IGBT门极开通尖峰 图1b IGBT门极开通尖峰机理分析:IGBT门极驱动的等效电路如图2所示: 图2. IGBT驱动等效电路IGBT开通瞬间门极驱动回路
2021-04-26 21:33:10
各位大神好,想请教一个问题。我现在手上有一个IGBT模块,型号是FF150RT12R4。我现在想找一个驱动这个IGBT模块的驱动模块,是驱动模块,不是驱动芯片,我在网上查找到了EXB840,但是这个驱动年份有些久远,所以想问有没有类似的新产品,求推荐型号。
2021-01-04 10:40:43
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?
2021-10-14 09:09:20
常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块,这些又分为不同电压等级和电流大小,那么IGBT的开通时间和关断时间是否相同,如果不相同,哪个时间更长一些?并且,在设计IGBT
2024-02-25 11:06:01
`我需要通过LC电路产生一个1200A,2.5KHz的脉冲电流,所加电压500V,电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制,初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
本帖最后由 dzdaw2013b 于 2013-6-18 16:14 编辑
选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块
2013-06-18 16:13:38
` 谁知道igbt是电压型还是电流型?`
2019-10-25 15:55:28
我们经常看到ESD静电保护器、ESD静电阻抗器件、ESD静电释放器、SMD压敏电阻等产品的引入,但实际上,保护器件最关键的参考因素应该是以下三项:1.快速响应时间2.钳位电压较低3.抗杂散电流
2020-12-15 15:28:30
多样化,漏电流低,电压值低(最低可做到2.5V)有助于保护敏感的电子电路不受静电放电(ESD)事件的破坏,是理想的高频数据保护器件。产品作用:ESD静电二极管并联于电路中,当电路正常工作时,它处于截止
2018-09-06 12:09:39
`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以
2018-08-27 20:50:45
,但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛
2021-06-16 09:21:55
集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下,在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT的集电极的瞬间,VCE电压会上升。IGBT产品规格书中列出
2018-09-28 14:14:34
IGBT阴极流出;而当RC-IGBT反向导通时,器件的电流由正向导通的二极管传导,即电流从RC-IGBT阳极中n+区流出。然而,该RC-IGBT结构存在一些亟待解决的问题,例如,正向导通时有电压折回
2019-09-26 13:57:29
/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下,在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT的集电极的瞬间,VCE电压会上升。IGBT产品规格书中列出的Eon
2017-04-15 15:48:51
PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高
2012-06-19 11:36:58
和PNP晶体管基极之间形成的低电阻状态导通。如果栅极和IGBT的发射极之间没有电压,MOSFET关断,从而切断PNP晶体管的基极电流电源并关闭晶体管。四、IGBT模块常见故障处理变频器由主电路、电源电路
2023-02-02 17:02:08
摘要:本文讨论了最新PrimePACKTM模块如何集成到现有的逆变器平台中,描述了集成控制和保护在内的逆变器模块化架构概念。该模块的机械特性允许对热管理进行优化,进而充分发挥IGBT输出电流能力
2018-12-03 13:56:42
。本文研究了在零温度系数(ZTC)电流值下监测IGBT的解决方案。本文提出并测试了一种在线测量在ZTC电流值条件下的导通电压的电路和方法,并给出了额定值为150A/1200V的IGBT功率模块在流过正弦
2019-03-20 06:20:08
天津高价专业IGBT模块回收 通信模块收购公司IGBT模块回收,通信模块收购,IGBT模块收购,回收通信模块长期回收PLC 上门回收IGBT模块功率模块三菱 松下 欧姆龙PLC 规格不限,新旧不论
2021-01-11 20:07:12
工作。对实验模块进行了以下特性测试:- IGBT 集电极-发射极饱和电压 (Vc sat) 在 25 和 150°C 的温度下,集电极电流 Ic = 0.25 x Inom 和 Ic = I nom,栅极两端
2023-02-22 16:53:33
看不出器件保护系统的能力有多强,关键取决于其二极管参数。主要的参考系数应该是:•快速响应时间•低箝位电压•高电流浪涌承受能力选择ESD器件应该遵循下面的要求:(1)选择静电保护器件注意:• 箝制电压不要
2017-06-27 14:27:20
达 600 Vac 的低压驱动器适用于额定电流高达 1000 A 且 Qg 高达 10 uC 的中等功率 IGBT 模块双极性(+15 V 和 -8 V)闸极驱动器电压通用 MOSFET 尺寸让用户能
2018-09-04 09:20:51
`很多客户在购买法兰静电跨接线的比较纠结,不知道该如何选择其规格,那么我们一起探讨一下法兰静电跨接线的标准规格有哪些。我们先从长度来说,一般法兰盘螺栓孔之间的距离为100mm左右,为了跨接线孔径
2019-10-08 11:54:51
/400A的半桥模块,表示其中的2个IGBT管芯的电流/电压规格都是1200V/400A,即C1和E2之间可以耐受最高2400V的瞬间直流电压。 不仅半桥模块,所有模块均是如此标注的。 3.全桥模块
2019-03-05 06:00:00
`防爆法兰跨接片,燃气管道法兰静电跨接片,纯铜材质,多种规格型号可供选择。并接受特型订做业务。产品导电性能优良。安装方便,耐腐蚀,耐锈蚀。石油化工,燃气等企业必选产品。法兰静电跨接线的产品简介:法兰
2018-12-01 11:16:38
IPM/IGBT应用中的问题IGBT的栅极驱动设计,采用驱动IC驱动,经过一级放大后驱动(用来驱动大电流模块),2-1. 栅极驱动电压VG开通电压(正电压):+VG= 15V (±10%)关断电压(负偏压):-VG= 5~10V2-2.
2008-11-05 23:10:56122 HiPakTM高压SPT IGBT 模块的SOA 新基准
摘要院介绍了电压额定值从2.5kV到6.5kV的新型高压HiPakTM IGBT模块系列遥新系列HiPakTM模块采用了ABB最新研制的高压SPT IGBT 和二
2009-11-11 10:38:536 IGBT模块的使用要点:IGBT为电压控制器件,其导通压降随正驱动电压的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 有效抑制IGBT模块应用中的过电压寄生杂散电感会使快速IGBT关断时产生过电压尖峰,通常抑制过电压法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:5248 优化高电压IGBT,优化高电压IGBT是什么意思
中心议题:
优化高电压IGBT
解决方案:
高侧晶体管
2010-03-24 09:49:201162 本内容提供了富士电机IGBT模块应用手册 1 元件的构造与特性 2 富士电机电子设备技术的IGBT 3 通过控制门极阻断过电流 4 限制过电流功能 5 模块的构造 6 IGBT模块电路构造
2011-04-15 16:25:31264 IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的,它们的作用和工作原理基本一样,IGBT模块可以看成是多个IGBT单管集成的模块。IGBT模块封装技术拓展了IGBT的运用领域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作,同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要
2017-06-05 14:21:1227214 了,由穿透型发展到非穿透型。IGBT模块也在此基础上同步发展,单管模块,半桥模块,6管模块,到现在的7管模块。IGBT驱动设计上比较复杂,需要考虑较多的因素,诸如合理的选择驱动电压Uge和门极驱动电阻Rg,过流过压保护等都是很重要的。IGBT模块
2017-11-14 14:20:2025 的重要因素。基于压接式IGBT模块双脉冲测试平台,介绍一种基于关断电流最大变化率的压接式IGBT模块结温提取方法,分析压接式IGBT芯片结温和模块关断电流最大变化率间单调变化关系,并利用压接式IGBT模块封装结构固有的寄生电感有效获取关断电流最大
2018-02-01 10:20:499 目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管( IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型末专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性。在已有行为模型基础上,提出
2018-03-08 09:21:360 及机车运行等的稳定安全性能。然而由于IGBT模块在实际应用场合中需要承受反复的高电压大电流,而IGBT模块内部各种材料热
2018-03-22 16:19:492 有导通压降大、电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰怡有与之相反的特点,如电流控制、导通压降小、功率容里大等,二者复合,正所谓优势互补。 IGBT 管,或者IGBT模块的由来,即基于此。
2018-05-18 13:12:0014868 本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标,包括电流参数、电压参数、开关参数极管参数及热学参数,使大家正确的理解IGBT模块规格书,为器件选型提供依据。本文所用参数数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3为例。
2020-09-10 08:00:0030 来源:罗姆半导体社区 本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择, 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点,根据其特点选择合适额定电压,额定电流和开关参数。以及优化设计栅电压
2023-02-02 14:36:211476 车辆运行时,特别实在拥堵的路况时的频繁启停,此时控制器的IGBT模块工作电流会相应的频繁升降,从而导致IGBT的结温快速变化,对于IGBT模块的寿命是个很大的考验;
2021-02-01 13:58:034411 要想搭建一个优秀的电力电子系统,正确的功率器件选型首当其冲。然而很多新入行的同学恐怕会对IGBT冗长的料号略感头痛,但实际上功率器件的命名都是有规律可循的。几个字母和数字,便能反映比如电压/电流等级
2021-04-01 14:26:1111657 的影响袁为 IGBT 模块的实际工况运行优化设计以及功率能力评估提供参考遥同时袁还提出了一种驱动电阻的优化切换方法和一种最佳驱动电路和驱动参数的选择方法遥
2021-05-17 09:51:1964 发展,有单管模块、半桥模块、高端模块、低端模块、6单元模块等。合理的驱动保护是IGBT安全工作的前提条件,特别是选择合理的栅极驱动电压Uge和合理的栅极串联电阻Rg,以及过电压过电流保护尤为重要
2021-09-17 09:47:0310 IGBT的电流是器件基本参数之一,显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了,但对于一位设计工程师是远远不够的,而且业内充满着误解
2021-11-01 15:51:534122 IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。
2022-02-16 15:50:112999 为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
2022-03-11 16:24:569845 MELSEC-L多输入(电压/电流/温度)模块用户手册 产品规格书
2022-08-26 16:20:320 IGBT模块上下桥怎么区分 igbt模块为什么做成上下桥在一起?因为IGBT在工作时由于他和整流桥的电流很大发热量也非常大所以需要装在一块大的散热片上来为它散热,降低它的温度。 IGBT(绝缘
2023-02-06 11:01:584836 IGBT的电流是器件基本参数之一,显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。
2023-02-07 16:39:292949 IGBT模块接口是一种用于连接IGBT模块和其他电子设备的接口。
2023-02-17 18:21:211011 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模块是一种功率半导体器件,它是由多个IGBT芯片、反并联二极管、驱动电路、保护电路等组成的集成模块。IGBT模块通常根据结构、电压、电流、功率等参数进行分类。
2023-02-20 17:32:254883 , 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况,由
于对IGBT关断机理认识不清, 对关断时间随电压和电流的变化规律认识不清, 导致无法解释在使用过程中出现的电流拖尾长、
死区时间长等现象, 不能充分发挥IGBT的性能; 导致IGBT因使用不当, 烧毁。今天我们就IGBT关断时的
2023-02-22 14:57:543 IGBT模块在电力电子变流领域应用尤为广泛,其吸收电容的选型计算成为热点。由于IGBT模块关断时会产生较高的尖峰附加电压,叠加在母线电压上容易导致IGBT模块烧毁(IGBT模块开通时的尖峰附加电压
2023-02-23 09:11:1216 当我们在选择一款IGBT模块做功率回路设计时,首先都会问到两个最基本的参数,这个模块是多少伏、多少安培的?
2023-05-16 16:54:247703 )组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V
2023-05-17 15:10:46958 BOSHIDA AC/DC电源模块输出电压和电流的关键参数 BOSHIDA AC/DC电源模块的输出电压和电流是关键参数,需要根据具体的应用需求进行选择与匹配。 AC/DC电源模块 1. 输出
2023-06-15 10:46:381131 根据IGBT的产品分类来看,按照其封装形式的不同,可分为IGBT分立器件、IPM模块和IGBT模块。
2023-07-22 16:09:301502 高功率、高电压和高频率的需求。
IGBT模块的基本构成包括多个IGBT器件、驱动电路、保护电路和散热结构。这些组件相互协作,使得IGBT模块能够在复杂的电力应用中发
2023-09-12 16:53:531805 逆变器IGBT模块的应用分析(1)根据负载的工作电压和额定电流,以及使用频率,选择合适规格的模块。使用模块前,请详细阅读模块参数数据表,了解模块的各项技术指标;根据模块的技术参数确定使用方案,计算
2023-09-20 17:49:521052 igbt模块的作用和功能 igbt有电导调制效应吗? IGBT模块是一种封装了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。它的作用是将低电压高电流的控制信号转换成高电压低电流的输出信号,而且
2023-10-19 17:01:221318 igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT的RCD缓冲电路各元件参数选择? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种用于控制高电压和高电流的功率半导体器件。它由一对PNP
2023-11-20 17:05:44545 模块的方案设计,包括电路设计、组件选择和安全考虑等方面。 二、电路设计 电源电路设计 高速风筒的电源电路通常采用开关电源设计,以提供所需的电压和电流。在选择开关电源时,应考虑到功率要求、效率和稳定性等因素。常见的开关电源
2023-12-01 14:34:47261 、绝缘基板、驱动电路和封装材料等组成。 选择适合的IGBT模块需要考虑多个因素,包括额定电压、额定电流、最大耗散功率、开
2024-01-18 17:31:231082 Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有异质结的管子功率特性。IGBT也是一个开关器件,可以在高电压和高电流条件下工作,并且被广泛应用于各种电力电子设备中。 IGBT由三个主要区域组成
2024-02-01 13:59:45458 断路器规格型号参数和断路器电流的选择标准 断路器是一种电气保护装置,用于保护电路和电气设备免受过载、短路和地故障的损害。选择合适的断路器规格型号参数和断路器电流是确保电气安全和设备稳定运行的关键因素
2024-02-03 09:39:48464 聊聊什么是IGBT的膝电压? IGBT是一种半导体器件,常用于功率放大和电流控制应用。作为一种开关器件,IGBT能够在低驱动电压下实现较高的电流和电压控制能力。膝电压是其关键的特性之一,本文将对
2024-02-03 16:23:43288 选择合适的隔离电压,有效防止电流、电压突变对其他电路的影响 BOSHIDA 源模块隔离电压指的是电源模块的输入和输出之间的电压隔离。在电源模块中,输入端和输出端是通过隔离元件,如变压器或光耦等,实现
2024-03-07 09:08:09122 选择IGBT的基本原则涉及以下几个方面: 电压等级:选择合适的IGBT要考虑其能够承受的电压等级。通常情况下,IGBT的额定电压等级应大于实际电路中的最高电压。 电流容量:根据电路的负载电流,选择
2024-03-12 15:29:08155 型号和规格,以确保其稳定、高效地工作。IGBT的选型涉及到多个参数的考虑,下面将详细介绍这些参数。 额定电压(Vce):这是指IGBT能够承受的最大电压。根据应用需求,选择的IGBT型号的额定电压应大于应用中最高电压。 额定电流(Ic):这是指IGBT能够承受的最大连续电流。根据应用需求,选择的
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