来源 华西证券编辑：智东西内参作者：吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
显示，对于GaAs和SiC，缓冲功率大致相同，SiC中的零Trr被其较高的本机电容抵消。在超快硅的情况下，由于长时间的反向恢复，低二极管电容的优势被更高的功率水平所淹没。砷化镓的低原生电容和Trr
2023-02-22 17:13:39
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别
2018-10-24 11:20:30
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
Removal)方式，让您后续实验无往不利。封装体开盖(Decap)LED、砷化镓芯片、车用芯片、光耦合芯片特殊开盖(Decap)Backside、MEMS、封装材料制作、各式封装体拆解化学法蚀刻分析弹坑实验、去焊油/污渍、化学蚀刻去光阻、Pin脚清洗
2018-08-29 15:21:39
或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体
2020-04-22 11:55:14
”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。半导体芯片在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要
2020-02-18 13:23:44
CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案RFaxis开始为智能手机和平板电脑用双模Wi-Fi/蓝牙、WLAN 11a/n/ac、无线音频、ZigBee和智能能源
2018-07-09 15:16:33
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
MHz到70 GHz的宽带性能。这些产品可以采用裸片形式或SURMOUNT™、倒装芯片、塑料和陶瓷封装。这些产品是开关、限位器、移相器和衰减器电路应用的上佳之选。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝
2018-08-09 10:16:17
°C常规芯片FHC30LG砷化镓晶体管FHC40LG砷化镓晶体管FHX04LG砷化镓晶体管FHX04X砷化镓晶体管FHX06X砷化镓晶体管FHX13LG砷化镓晶体管FHX13X砷化镓晶体管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 编辑
FHX45X 砷化镓功率管产品介绍FHX45X询价热FHX45X现货王先生 深圳市首质诚科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
•无外部匹配•针对每个频段进行了优化笔记Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化镓场效应管FLM5964-18F砷化镓场效应管FLM5964-25F砷化镓场效应管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
`FLM8596-8F砷化镓晶体管产品介绍FLM8596-8F报价FLM8596-8F代理FLM8596-8FFLM8596-8F现货, 深圳市首质诚科技有限公司FLM8596-8F是一种功率
2019-07-10 09:40:09
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
关键词：AKM，旭化成，砷化镓线性霍尔效应IC，响拇指电子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体
2013-11-13 10:54:57
MB2.GB芯片定义和特点定义﹕GB 芯片：Glue Bonding (粘着结合）芯片；该芯片属于UEC 的专利产品特点：1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统
2016-11-04 14:50:17
、移相器和衰减器电路应用的上佳之选。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：MA4E20541-1141T产品名称: 二极管MA4E20541-1141T产品特性Low IR（
2018-10-15 16:05:06
芯片，加快硅上氮化镓在主流市场上的应用。意法半导体和MACOM为提高意法半导体CMOS晶圆厂的硅上氮化镓产量而合作多年，按照目前时间安排，意法半导体预计2018年开始量产样片。 MACOM公司总裁
2018-02-12 15:11:38
耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）、硅基氮化镓（GaN on Si）、砷化镓（GaAs）射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。射频功率 - 硅双极单元和模块
2017-08-14 14:41:32
分子束外延法和有机金属化学气相沉积法生长的新型半导体。这些带隙原理已应用于MACOM AlGaAs技术的开发，因此推动了PIN二极管射频性能的大幅提升。主要优势与等效的GaAs PIN结构相比，改善了
2017-06-06 14:37:19
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
多功能GaAs MMIC，专为通信雷达和气象应用而设计。它与高级Si串行控制器结合使用，可以为GaAs芯片寻址必要的RX / TX选择路径和所需的信号控制，以及其他一些功能。 MAMF-011015
2019-04-23 20:04:11
SGM6901VU砷化镓晶体管产品介绍SGM6901VU报价SGM6901VU代理SGM6901VU咨询热SGM6901VU现货, 深圳市首质诚科技有限SGM6901VU是一种高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
%；3) 消除了闩锁效应；4) 抑制了衬底的脉冲电流干扰，减少了软错误的发生；6、GaAs （砷化镓）可作半导体材料，其电子迁移率高。
2019-09-21 16:57:03
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片
2018-11-30 11:34:24
TGF2040砷化镓晶体管产品介绍TGF2040报价TGF2040代理TGF2040咨询热线TGF2040现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司, TGF2040是离散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化镓晶体管产品介绍TGF2160报价TGF2160代理TGF2160咨询热线TGF2160现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司. TGF2160离散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
。然而，公开文献中关于砷化镓的信息非常少，硅常用的方法如六甲基二硅氮烷 (HMDS) 预处理可能对 GaAs 无效。此外，GaAs 的表面难以控制，并且可能对看似微不足道的工艺条件很敏感，例如用水冲洗
2021-07-06 09:39:22
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
arsenide (GaAs)砷化镓(GaAs)Gallium nitride (GaN) 氮化镓(GaN)Gallium arsenide phosphide (GaAsP) 磷砷化镓Cadmium
2022-04-04 10:48:17
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
哪种半导体工艺最适合某一指定应用？对此，业界存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。半导体芯片在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要
2020-03-20 10:29:48
制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记哪些事项？
2019-08-01 07:44:46
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
常温下可激发载流子的能力大大增强，同时弥补了单质的一些缺点，因此在半导体行业中也广泛应用，如砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓等。这几天集成电路概念股大涨，看到有人又炒作石墨烯，估计想趁机炒作一把。石墨烯...
2021-07-29 08:32:53
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
我的霍尔传感器是砷化镓，也是一种测量磁场的传感器，两个输入端，两个输出端。我把十二个砷化镓串联使用，三个一组，输入电流保持在1毫安。每一组测试的时候，所有的单个砷化镓都对磁场有响应，但是把四组串联
2016-04-23 16:13:19
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件，其性能仅为碳化硅（SiC）的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试，该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
STM32和SI4432芯片的硬件是怎样连接的？如何对SI4432芯片的软件进行调试呢？
2021-12-20 07:40:53
厂商大放异彩。其中砷化镓晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。
稳懋：全球最大的砷化镓晶圆代工龙头
稳懋成立于1999年10月，是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯芯片的晶圆制造商，自2010年为全球最大
2019-05-27 09:17:13
射频功放芯片设计工程师（GaAs/SiGe）工作地点：广州负责专用无线通信射频功率放大器芯片设计、测试与调试。职位要求：1、硕士研究生及以上，微电子及相关专业，3年以上工作经验；2、有成熟GaAs
2013-12-18 11:10:24
对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。氮化镓GaN氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs
2016-09-15 11:28:41
晶体管可以让工程师开发出速度更快、集成度和效率更高的集成电路，进而设计出更轻薄的笔记本电脑，散发的热量远远低于现在的水平。这些晶体管包含很多由砷化铟镓做成的纳米管，并没有采用传统的材料硅。生产工艺采用
2011-12-08 00:01:44
之一。由于硅的物理性质稳定，是最常被使用的半导体材料，近年又研发出第 2 代半导体砷化镓、磷化铟，和第 3 代半导体氮化镓、碳化硅、硒化锌等。晶圆是用沙子做成的，你相信吗？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
各位大佬，有没有硅唛阵列，或者硅唛降噪的芯片不?就是有个芯片，或者方案，做了可以支持两个MIC或者有算法在里面的
2021-04-23 10:21:47
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
硅衬底和砷化镓衬底金金键合后，晶圆粉碎是什么原因，偶发性异常，找不出规律，有大佬清楚吗，求助！
2023-03-01 14:54:11
聚光型太阳能电池主要材料是[砷化镓](GaAs)，也就是三五族(III-V)材料，一般硅晶材料只能够吸收太阳光谱中400～1,100nm波长之能量，而聚光型不同于硅晶圆太阳能技术，透过多接面化合物
2019-10-15 09:12:19
下面由佑泽小编带你了解：1.MB芯片定义与特点定义：MetalBonding(金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。特点：1）采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。Thermal
2017-12-22 09:43:34
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？
2021-05-21 07:05:36
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
等方面的要求和实现路径上都存在一定差异。 两种主流实现方式 经典集成电路芯片通过一个个晶体管构建经典比特，二进制信息单元即经典比特，基于半导体制造工艺，采用硅、砷化镓、锗等半导体作为材料。 而量子
2020-12-02 14:13:13
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
XU1006-QB砷化镓变送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 发射器在整个频段具有 +17.0 dBm 输出三阶截距。该器件是一个平衡的电阻式 pHEMT 混频器，后跟一个
2022-12-28 15:31:26
MAVR-011020-1411可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管MAVR-011020-1411 是一款砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为
2023-02-09 15:09:46
MAVR-000120-12030W GaAs超突变MACOM 的 MA46H120 系列是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。这些器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用
2023-02-10 11:22:13
国产芯片 应用工业电流检测 GaAs+Si混合可编程线性霍尔IC-GS301产品描述：GS301是一款霍尔混合IC，即GaAs+Si混合可编程的线性霍尔IC，砷化镓（GaAs）霍尔元件有较高的灵敏度
2023-03-08 11:14:13
）材料灵敏度较高，是Si硅材料的八倍以上，且随温度变化很小（0.03-0.05%/度）主要用于线性传感应用，也可用于高端开关传感应用。砷化镓（GaAs）霍尔元件有
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化镓匹配 GaAs SPST 开关 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射频开关
2023-04-18 15:19:22
GaAs的灵敏度比Si材料高1个数量级、温漂小1个数量级，是优异的线性磁传感霍尔材料。芯片特征：● 砷化镓+ Si混合可编程线性霍尔效应IC● 单电源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
30-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60030D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 17:25:43
170-W；6.0GHz；50V GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV60170D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN
2023-08-07 13:57:34
FSX027X型号简介Sumitomo的FSX027X是一种通用砷化镓场效应管，设计用于介质高达12GHz的电源应用。这些设备具有广泛的动态适用于中功率、宽带、线性驱动放大器或振荡器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
FLK017XP型号简介Sumitomo的FLK017XP芯片是一种功率砷化镓场效应管，设计用于Ku频段的通用应用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
Si4438芯片资料
2016-12-29 20:49:20
48 AI芯片和SoC芯片都是常见的芯片类型，但它们之间有些区别。本文将介绍AI芯片和SoC芯片的区别。
2023-08-07 17:38:19
2103 FPGA芯片和普通芯片在多个方面存在显著的区别。
2024-03-14 17:27:34223
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