其高输入阻抗、驱动电路简单、开关损耗小等优点在MOSFET和BJT的基础上有效降低了n漂移区的电阻率，大大提高了器件的电流能力。目前IGBT已经能够覆盖从600V—6500V的电压范围。 我国拥有最大的功率半导体市场，目前IGBT等高端器件的研发与国际大公司相比有
2021-09-25 06:52:00
4666 介绍了如何用英飞凌IPOSIM仿真工具对过载输出时IGBT模块结温进行仿真，以及不同工况下IGBT瞬时结温的仿真结果。本文可对电动车电机驱动器设计中IGBT输出限值的动态选取提供参考依据。
2013-07-23 01:05:448464 
IGBT的结构中绝大部分区域是低掺杂浓度的N型漂移区，其浓度远远低于P型区，当IGBT栅极施加正向电压使得器件开启后
2023-11-28 16:48:01596 
上一章我们对IGBT稳态的分析中，在IGBT的大注入条件下，电子和空穴的运动相互影响，这个影响关系需要用双极性扩散系数来描述。
2023-12-01 10:33:51278 
在《IGBT的物理结构模型》中，我们将IGBT内部PIN结切分成了PIN1和PIN2（见上一节插图）， 因为PIN1与沟槽所构成的MOS串联
2023-12-01 10:43:06395 
至此，我们完整地分析了关断瞬态过程中IGBT内部的空穴浓度分布变化从而引起的电荷存储变化，而电荷对时间的变化率即对应电流。
2023-12-01 14:06:37418 
区，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT的开关作用
2012-07-25 09:49:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑
IGBT保护分析
2012-07-24 23:08:06
IGBT正常工作时，p-base表面会形成导通沟道，电子从发射极经n型漂移区流向集电极，而空穴将不断地从集电极注入到n型漂移区。此时IGBT的外部表现为：存在负载电流，IGBT处于导通状态。由于该区
2023-02-10 15:36:04
的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。正向阻断当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。闩
2012-07-09 14:14:57
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向
2012-07-09 10:01:42
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向
2012-07-09 11:53:47
大电流。对于 Mosfet来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，因此，很容易实现极短的开关时间。但是，和 Mosfet 有所不同，IGBT器件中少子也参与了导电。所以 IGB 结构虽然使导通压降
2022-09-16 10:21:27
使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认为 IGBT 损坏的主要原因有两种：一是 IGBT 退出饱和区而进入了放大区使得开关损耗增大;二是
2019-12-25 17:41:38
区（Carrier Storage Region, CSR）,如图3所示。图3. IGBT关断内部载流子和电场分布其中，空间电荷区也称为耗尽层，在IGBT的关断过程中，耗尽层不断从右向左扩展（从
2023-02-13 16:20:01
失效问题。 IGBT失效场合：来自系统内部，如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流；来自系统外部，如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底，IGBT失效主要是由集电极
2020-09-29 17:08:58
IGBT并联技术分析胡永宏博士（艾克思科技）通过电力电子器件串联或并联两种基本方法，均可增大电力电子装置的功率等级。采用这两种方法设计的大功变流器，结构相对简单，加之控制策略与小功率变流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认为 IGBT 损坏的主要原因有两种：一是 IGBT 退出饱和区而进入了放大区使得开关损耗增大;二是
2019-12-27 08:30:00
的IGBT门极开通电压尖峰是怎么回事? 图1a IGBT门极开通尖峰 图1b IGBT门极开通尖峰机理分析：IGBT门极驱动的等效电路如图2所示： 图2. IGBT驱动等效电路IGBT开通瞬间门极驱动回路
2021-04-26 21:33:10
是双极型晶体管(BJT)和MOSFET的复合器件，其将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高阻漂移区，大大改善了器件的导通性，同时它还具有MOSFET的栅极高输入阻抗，为电压驱动器件。开通和关断时均
2012-06-19 11:17:58
的二极管V的个数，如图2(a)所示，使这些二极管的通态压降之和等于或略大于驱动模块过流保护动作电压与IGBT模块散热器的通态饱和压降Uce之差。 混合驱动模块与IGBT模块散热器过流保护的配合 上述用
2012-06-19 11:26:00
的承受力；最适合的开关频率；安全工作区（SOA)限制；最高运行限制；封装尺寸；1、IGBT耐压的选择 因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下，所以，通常IGBT模块的工作
2022-05-10 10:06:52
和结构函数分析进行模块内部结构的缺陷辨识和失效机理分析，并利用仿真的方式对于不同边界条件的动态热传导过程进行有限元仿真，更直观地观察到模块的热传导的过程，同时验证了实验方法的准确性。 他们发现在温度波动
2020-12-10 15:06:03
满足漂移区电流与漂移区电阻乘积超过0.7V，才能使得P+衬底与N-drift的PN结正向导通，这样才可以work，否则沟道开启也不能work的。 最后给大家吹吹牛吧，大家经常会听到第一代IGBT一直
2018-10-17 16:56:39
IGBT的失效机理 半导体功率器件失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作区（Safe Operating Area简称SOA
2017-03-16 21:43:31
注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电。IGBT 的工作特性包括静态和动态两类：1 ．静态特性:IGBT 的静态特性主要有伏安
2018-10-18 10:53:03
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
”，长期以来，该产品（包括芯片）还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位（简称 “02专项”）。究竟IGBT是何方神圣？让我们一起来学习它的理论吧。IGBT的设计与仿真 PPT
2020-08-09 08:00:14
Source端，它则需要一个长长的漂移区来作为漏极串联电阻分压，使得电压都降在漂移区上就可以了。2) 大电流：一般的MOSFET的沟道长度有Poly CD决定，而功率MOSFET的沟道是靠两次扩散的结深差
2020-08-09 07:53:55
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是新一代全控型电力电子器件，具有M08场效应晶体管的电压控制、开关频率高、驱动功率小的优点，又具备大功率双极晶体管的通态压降低、耐高反压及电流额定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
IGBT驱动电路分析
2015-03-27 16:09:18
1.引入分布式电源前后的网损模型的建立。2.仿真分析DG接入对变压器运行台数及网损的影响；变压器电阻对网损的影响。3.仿真分析DG接入位置对网损的影响；DG容量对网损的影响；DG运行方式对网损的影响。
2015-04-19 10:24:25
DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
我遇到的情景中，一般后仿真出现不定态的原因有三个：更多的后仿出现不定态的的情形可以参考以下文章。验证那些事最近陆续写了点工作方面的小文章，遂决定新开一个公众号，专门放工作相关的文章，就叫《超人验证
2022-01-18 06:35:33
边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有源区和漏 区之间有一个漂移区。LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键
2020-05-24 01:19:16
建模，通过内部基准电压和反馈电阻演示蒙特卡罗和高斯分布技术。然后，将得出的仿真结果与最差情况分析仿真结果进行比较。其中包括4个附录。附录A提供了有关微调基准电压源分布的见解。附录B提供了LTspice
2022-03-25 10:52:10
。 3.2 电压测量 IGBT 开通和关断过程中电压的完整观测可以直接使用示波器探头, 但对于开通时IGBT 电压拖尾过程和通态饱和压降的测量, 则需要使用箝位电路( 见图5) 。原因在于此时示波器的Y
2018-10-12 17:07:13
(Voltage snapback)现象(如图3所示)，反向恢复性能差和漂移区电流分布不均匀等。这些问题是RC-IGBT产品广泛应用的障碍。图3 电压折回输出曲线示意图这次我们先为大家介绍几种为
2019-09-26 13:57:29
-氧化物-半导体结构，作为门极；漂移区普遍采用N型掺杂的半导体来承受阻断电压；门极施加正压（高于器件阈值电压）时，器件导通，通态电流在漂移区纵向流动。区别主要在于IGBT在漂移区背面有P+注入作为集电极
2019-04-22 02:17:17
的N-MOSFET是一样的。当VGE>0V，VCE>0V时，IGBT表面同样会形成沟道，电子从n区出发、流经沟道区、注入n漂移区，n漂移区就类似于N-MOSFET的漏极。蓝色虚线部分同理于
2019-07-18 14:14:01
原因我们以今天的主角IGBT为例，通过分析IGBT在关断过程中载流子的移动和分布来解释以上这点。当IGBT正常工作时，p-base表面会形成导通沟道，电子从发射极经n型漂移区流向集电极，而空穴将不
2019-06-28 11:10:16
IGBT在matlab仿真中栅极怎么连接？为什么我画的IGBT的栅极和电源、PWM连接不上？
2018-11-15 13:26:27
proteus 仿真中的IGBT如何驱动啊 用单片机直接加高低电平行吗
2016-05-27 10:01:27
不同的是它会受到电场的作用，驱动其沿着电场线(电场线的基本概念不做赘述)的方向运动，这种运动通常被称为漂移运动。基于上述说明，不难看出电荷在半导体内部定向运动的两个条件：要么电荷在半导体内部分布不均匀
2019-11-21 09:13:48
于，它使用低掺杂的N-衬底作为起始层，先在N-漂移区的正面做成MOS结构，然后用研磨减薄工艺从背面减薄到 IGBT 电压规格需要的厚度，再从背面用离子注入工艺形成P+ collector。在截止时电场
2021-05-26 10:19:23
什么少数载流子电子能穿过集电结形成电流Ib？？从外部看：集电结正偏时，电位Ub>Uc，集电结的内电场变窄，有利于多子的扩散运动，不利于少子的漂移运动，而少子电子还是能形成电流Ib？？这是不是和我们说的PN结不同？那位大侠能给我从内部结构来详细说明一下。。。`
2012-12-21 11:56:02
同样会形成沟道，电子从n区出发、流经沟道区、注入n漂移区，n漂移区就类似于N-MOSFET的漏极。蓝色虚线部分同理于BJT结构，流入n漂移区的电子为PNP晶体管的n区持续提供电子，这就保证了PNP晶体管
2023-02-10 15:33:01
当MDD二极管两端外加电压发生变化时，一方面PN结宽窄变化，势垒区内的施主阴离子和受主阳离子数量会改变；另一方面扩散的多子和漂移的少子数量也会因电压变化而改变。这种情况与电容的作用类似，分别用势垒
2021-06-15 17:08:31
输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。文章来源：中国电力电子产业网-IGBTIGBT模块散热器 区熔单晶 陶瓷覆铜板`
2012-06-19 11:36:58
什么是莱斯 (Rician) 分布当接收机与发射机距离很近时，或固定接收时，接收信号中也会出现发射信号的直达波，增强了接收信号的平均电平，符合了 Rice 分析的正弦波加窄带高斯噪声情况，这时把接收
2008-05-30 13:15:33
未在延时链上传递时，锁存结果是确定的。但是信号在演示链上传播时，锁存结果却出现了不定态。有的时候写其他的程序时，用D触发器锁存组合逻辑的结果，在时序仿真中就会有不定态，这该怎么解决？
2021-09-26 20:41:21
电流密度（P区）J=enD/L其中n是P区边缘处平衡态时的少子浓度。D是扩散系数，L是扩散长度。参杂浓度越大，n应该越小。N区的多子电子扩散到P区就是少子了，在那边P区不还是要进行少子扩散么？我说
2010-12-02 19:09:24
碰撞电离率模型进行化简计算。(3)应用准确的Chynoweth碰撞电离率模型，基于已有的Miller公式，对不同漂移区掺杂浓度下的S参数进行了确定，提出了参数S与漂移区掺杂浓度N的拟合公式，并验证了其
2019-10-30 13:22:00
导电性外加正向电压（正偏）：在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要 作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ
2015-03-26 20:32:03
电路中的参数。 1 栅极电阻和分布参数分析 IGBT在全桥电路工作时的模型如图1所示。 RG+Rg是IGBT的栅极电阻， L01、L02、L03是杂散电感(分布电感)， Cgc、Cge、Cce
2011-09-08 10:12:26
在做时序仿真的时候，发现一个问题,代码如下：assign gateway_out1 = gateway_in10 * gateway_in11 结果发现 输出带有高阻态,波形如图。 在做功能仿真的时候没有问题，做时序仿真就出现问题了。 请问这是什麼原因造成的。
2017-07-27 09:09:53
有意者加q:1534120811.引入分布式电源前后的网损模型的建立。2.仿真分析DG接入对变压器运行台数及网损的影响；变压器电阻对网损的影响。3.仿真分析DG接入位置对网损的影响；DG容量对网损的影响；DG运行方式对网损的影响。
2015-04-19 19:24:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
IGBT失效分析大概有下面几个方面：1、IGBT过压失效，Vge和Vce、二极管反向电压失效等。2、IGBT过流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
1.2kV，可作为IGBT的续流二极管，显著减小IGBT的开通功耗，并抑制开关噪声。 如图2c所示，SFD结构是通过用A1-Si替代A1电极在p区之间的n-漂移区表面形成一个极薄的p-区，以控制浅
2019-02-12 15:38:27
简单分析不间断电源系统在IGBT中的应用理念 简单分析不间断电源的应用方法及其理念 摘要：在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有
2012-03-29 14:07:27
。 当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制，此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。 IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管（如图1
2019-03-05 06:00:00
区。 （3）通态电压Von：图1-12：IGBT通态电压和MOSFET比较所谓通态电压，是指IGBT进入导通状态的管压降VDS，这个电压随VGS上升而下降。由上图可以看到，IGBT
2009-05-12 20:44:23
。在这里我们主要讨论N-基区内的载流子分布，因为IGBT的开关特性主要受N-基区载流子影响。通态下，N-基区充满了电子和空穴，因此该区域也可以称为载流子存储区(Carrier Storage Region
2023-02-13 16:11:34
另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态
2012-03-23 11:13:52
本人本科时学过一点模电，对微电子理解不深。请教几个IGBT领域的问题：1、场截止层是如何起作用的：为什么加入场截止层之后需要的漂移区的厚度变薄而且还可以提高耐压？掺杂浓度较高的场截止层不是变相提升
2020-02-20 14:26:40
，IGBT应该不会导通，图2中信号3似乎表明IGBT有通断。然后又想会不会因为IGBT中的续流二极管的影响，于是我做了以下仿真，如图3，图4.图3 图4图4为电流传感器的波形，电流很小，应该不是续流二极管
2016-01-09 12:10:23
的纵向NPT-IGBT基本相同，其有源区在正面，包括多晶硅栅极、n+发射区和p基区，然后有源区的下面是n-漂移区，最后是集电极。当集射极之间加正电压时，由p-基区和n-漂移区形成的反偏PN结来承担外部
2020-12-11 16:54:35
高速DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
高阻态和三态门高阻态 高阻态的实质：电路分析时高阻态可做开路理解。你可以把它看作输出（输入）电阻非常大。他的极限可以认为悬空。也就是说理论上高阻态不是悬空，它是对地或对电源电阻极大的状态。而实际
2019-01-08 11:03:07
INTEWORK-VBA(Vehicle Bus Analyzer) 车辆总线监控分析及仿真工具，是由经纬恒润自主研发的一款专业、易用的车载
2021-03-05 10:42:54
本文阐述了分布式仿真在现在电子对抗中的重要作用。对当今的技术热点－通过高层体系结构(HLA)进行了分析，并结合它在雷达电子战仿真系统中的应用,对现代电子战仿真系统的发
2009-06-09 10:51:16
34 分析IGBT的门极驱动鉴于绝缘栅双极晶体管IGBT在逆变电焊机中的应用日益普、及，针对IGBT门极驱动特点，分析了它对于驱动波形，功率，布线，隔离等方面的要求，并介绍了一种
2010-03-14 19:08:3449 通过对全桥式IGBT 逆变主电路的研究,论述了CAD 技术在电路设计中的应用前景,介绍IGBT全桥主电路的工作原理及IGBT、主变压器的数学模型,并对全桥主电路进行了仿真研究。实验
2010-09-07 15:57:2683 在分析无吸收电路的IGBT 逆变器的基础上,研究了IGBT 逆变器的吸收问题;探讨了适合IGBT 逆变器的几种吸收电路结构,并对其进行了仿真和实验验证。
2010-09-14 15:52:38106 基于混沌、均匀分布的真随机数发生器的工作电路和精度要求较高的电压参考电路的温度漂移进行分析,给出了仿真得到的温度曲线;分析了工艺中可能存在的问题和温度的影响与运放的
2011-06-10 15:53:2226 利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真，在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降，得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元
2011-12-05 15:28:5431 提出了解决Windows下分布式仿真的两种方案:基于RTX的反射内存网分布式仿真和基于以太网的令牌环分布式仿真架构。并比较了两种架构与传统Windows方案在实时性能上的差别。
2012-03-22 17:30:0383 翅柱式IGBT水冷散热器的热仿真与实验_丁杰
2017-01-08 10:30:292 压接型IGBT器件内部各组件直接堆叠在一起，通过外部压力使得各组件间保持良好的机械与电气接触，进而引入一定比例的接触电阻和接触热阻，所以器件内部的压力分布不仅影响器件内部的电流分布和温度分布，还将
2018-02-27 11:22:102 《微电网分析与仿真理论》——分布式发电系统模型pdf资料下载
2018-04-08 11:03:220 关键词：反射内存 , 数据传输 , 测试测量 半实物仿真的一个新趋势是从单武器平台仿真向多武器平台仿真方向发展,为了将不同功能、不同地点的仿真试验设施进行联网,组成分布式一体化的综合仿真试验室
2018-08-13 07:31:01580 。 MOSFET和IGBT技术 由于不存在少数载流子传输，因此可以在更高的频率下开关MOSFET。对此的限制由两个因素强加：电子在漂移区中的传播时间以及对输入栅极和米勒电容进行充电和放电所需的时间
2021-05-26 17:04:022922 
等也被广泛应用。 IGBT凭借其高输入阻抗、驱动电路简单、开关损耗小等优点在MOSFET和BJT的基础上有效降低了n漂移区的电阻率，大大提高了器件的电流能力。目前IGBT已经能够覆盖从600V—6500V的电压范围。 我国拥有最大的功率半导体市场，目前IGBT等高
2021-10-12 10:18:453365 IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
2022-08-18 16:37:464063 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到
VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性
2023-02-22 14:57:543 小川给大家介绍的是直流工作点的温度漂移的Multisim仿真及分析。希望大家能够多多支持。
2023-03-01 11:48:27708 
绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性
2023-05-25 17:11:502070 
10.2.1垂直漂移区10.2单极型器件漂移区的优化设计第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-09 09:38:19176 
10.2.2横向漂移区10.2单极型器件漂移区的优化设计第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-11 15:15:45201 在IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。图5是IGBT整个开关过程的波形。
2023-07-12 11:07:38326 
摘要: 为提升高压 IGBT 的抗短路能力，进一步改善短路与通态压降的矛盾关系，研究了
IGBT 背面工艺对抗短路能力的影响。通过 TCAD 仿真，在 IGBT 处于负载短路工作期间，针对
2023-08-08 10:14:470 igbt为什么要反并联二极管 IGBT是一种功率器件，它是一种膜材料型结构，它采用P型部分、N型部分、漂移区、隔离氧化层、金属控制电极和保护结构等元件组成，为集成化的功率MOSFET和双极性晶体管
2023-08-29 10:25:592926 等领域。尽管它们有一些相似之处，但在结构、特性和应用方面存在显著的差异。 首先，让我们来看一下IGBT的基本结构。IGBT是一种三极管型器件，结合了MOSFET的驱动能力和双极型晶体管的低导通压降特性。它由一个P型衬底、一个N型集电极、一个P型独立栅控极和一个N型漂移区组成。IGBT的工作原理
2023-12-19 09:56:33575
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