Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
编辑-Z1N4007在DO-41封装里采用的1个芯片，是一款小封装整流二极管。1N4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N4007
2021-09-07 16:07:03
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22:14
电流值往往可达几百。 4、什么是二极管的正向导通压降? 二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅
2012-07-15 15:28:24
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。二极管规格书下载：
2021-03-22 17:25:26
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
实现了良好的二极管导电性。优化设计的1.2kV级SBD嵌入式MOSFET导通电流特性评估结果证实，采用格子花纹设计将嵌入式SBD靠近体二极管可以有效限制寄生二极管双极性导通，相同SBD占位面积条件下
2023-04-11 15:29:18
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是极其优秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市场前景随着信息科技的飞速发展，我国对半导体需求越来越多，我国已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00:47
），P阱与N-形成的PiN会投入工作，减小浪涌时刻VF的增长，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 图（4）二极管正向与电流密度关系图 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管均采用JBS结构。 05
2023-02-28 16:55:45
。 相对应的，硅材料的禁带宽度较低，在较低的温度下硅器件本征载流子浓度较高，而高的漏电流会造成热击穿，这限制了器件在高温环境和大功率耗散条件下工作。 碳化硅肖特基二极管与硅快速恢复二极管 耐压
2023-02-28 16:34:16
雪崩二极管的原理雪崩二极管的作用
2021-03-10 07:05:13
雪崩二极管如何帮助防止过电压？雪崩二极管的噪声是如何产生的？
2021-06-18 09:24:06
）。 当二极管受到高反向电压时，它会经历雪崩击穿。 耗尽层上的电场因反向偏置电压而增加。 入射光进入p+区域，并在电阻性很强的p区被进一步吸收。这里形成了电子-空穴对。 这些夫妇的分离是由
2023-02-06 14:15:47
`编辑ZASEMI肖特基二极管MBR60200PT是肖特基二极管中非常常见的型号，TO-247封装，正向整流60A，反向耐压200V，正向压降0.87V，正向峰值浪涌电流500A，反向漏电流为
2021-04-29 16:26:23
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
的一幅图是传统的碳化硅肖特基二极管。中间的图是带PIN结构的MPS二极管的结构，它的特点是在肖特基接触区增加了一些P型结构。相比于标准的碳化硅肖特基二极管来说，这些结构有利于提高它的浪涌电流的抑制和雪崩
2019-01-02 13:57:40
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流探头的相位
2023-02-27 16:14:19
1、它具有极快的响应时间，PS级的响应速度;2、大瞬态功率，击穿(导通)相当于开路，低漏电流和电容;3、击穿(导通)后相当于短路，击穿电压偏小4、可靠性高，并且具备双向对称特性5、TVS二极管体积小，安装方便，不占地方TVS二极管规格书下载：
2022-04-26 17:12:19
，施加规定波形的峰值脉冲电流IPP时，TVS二极管两端测得的峰值电压。VBR：击穿电压，是TVS管的最小雪崩电压。指在V-I特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端
2021-11-12 17:35:11
一、二者的相同点TVS是在稳压管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力；稳压二极管（又名齐纳二极管），是利用PN结反向击穿状态，能在电流
2021-01-08 10:10:18
件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力；稳压二极管（又名齐纳二极管），是利用PN结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。从定义上来看，它们的共同点
2022-01-25 10:14:38
TVS二极管，是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，PS秒级的响应速度和高浪涌吸收能力是其核心优势。当瞬态电压抑制二极管的两端经受瞬间高能量冲击时，它以PS秒级的速度把两端间
2022-05-19 15:30:42
。TVS二极管在线路板上是与被保护线路并联的，当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS二极管便发生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流通过二极管被引开，避开被保护器件，并且在电压
2014-04-18 16:36:14
功率。在给定的最大箝位电压下，脉冲峰值功率PPP越大，其浪涌电流的承受能力越大。 （6）结电容CJ：TVS二极管结电容CJ是由其硅片的雪崩结截面和偏置电压来决定的，是在特定频率（1MHz）下测得
2020-12-01 16:43:27
工作；当电路出现异常浪涌或电压并达到了瞬态二极管击穿电压时，瞬态二极管迅速由高阻态变为低阻态，瞬间吸收一个瞬时过电流，把异常过电压钳位在较低的水平，保护后级电路的精密器件免受瞬态高压尖峰脉冲的冲击
2022-05-25 14:16:57
能对升压二极管起保护作用。我的观点是：1：PFC续流二极管碳化硅的应用.2：雷击浪涌实验而需要加旁路二极管。具体原因我在附件里面已经描述了。
2021-01-28 14:10:17
越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。 5.什么是二极管的反向漏电流？ 二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压得时候，会有些微小的电流从
2017-05-22 14:07:53
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不
2023-02-15 14:24:47
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
。结果，光电流值增加，改善了整个光检测过程。 雪崩光电二极管在光学中的应用 APD通常用于光纤通信系统中，以检测微弱的信号。必须调整电路以检测微弱信号，同时保持高SNR（信噪比）。这里 量子效率必须很高才能实现不错的信噪比。由于该值非常接近最大值，因此可以识别大多数信号。
2023-02-06 14:19:01
几百A。4. 什么是二极管的正向导通压降?二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高
2014-04-26 13:42:10
。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。 5. 什么是二极管的反向漏电流? 二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压得时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反
2016-11-14 20:04:40
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管，也是一个不错的选择，与纯硅解决方案相比，可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
新型的齐纳二极管RKZ7.5TKP和RKZ7.5TKL，用以保护便携设备的电路不会受到内部或外部静电放电（ESD）偏离电压的损坏。RKZ7.5TKP的封装大小仅为0.6 × 0.3 mm，居业界最小封装
2011-04-11 09:54:21
来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管
2012-07-12 15:40:31
并联二极管的特性参数对比 如图13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢复时间Trr，反向恢复电流Irr和反向恢复损耗Err明显降低。 05 总结 基本半导体主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性，在持续使用内部体二极管的连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）设计，例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
得到更低栅极开关驱动损耗（图1）.碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
，减少了不必要热阻的增加。 05 总结 基本半导体推出的内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品，从优化安装工艺、提升产品质量、减少热阻等方面很好地解决了绝缘和导热痛点。原作者：基本半导体
2023-02-28 17:06:57
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
耗散，因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基二极管的应用:MBR系列肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件，其性能仅为碳化硅（SiC）的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试，该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
、场效应器件和特殊的肖特基二极管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅单载波器件具有薄漂移区和低导通电阻，比硅器件小约100-300倍。由于导通电阻小，碳化硅功率器件的正向损耗小。2）碳化硅功率器件由于其高击穿
2023-02-07 15:59:32
的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍，因此，其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度，与相同电压等级的硅功率器件相比
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
新能源车载DC/DC电路中，由于输入电压范围极宽，输出低压大电流，移相电路是一个好的选项。当然，移相电路同样可以用在直流快充的系统中来做到更宽输出电压范围。碳化硅MOSFET由于高耐压，低损耗和低体二极管
2016-08-25 14:39:53
能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界
2018-09-25 11:30:29
μs以内起作用。采用二极管或电阻串检测短路，短路保护最短时间限制在1.5μs左右。 1）高dv/dt及di/dt对系统影响 在高压大电流条件下进行开关动作时，器件开关会产生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
或等于其最大反向漏电流ID。
②最小击穿电压VBR和击穿电流IR
VBR是瞬变二极管最小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，瞬变二极管是不导通的。当瞬变二极管流过规定的1mA电流（IR）时，加入瞬
2023-04-25 16:58:23
，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力。从稳压二极管与TVS二极管的含义来判断，它们的共同点主要体现在：一、在一定范围内，均可以限制两端的电压；二、长时间运作耐流值几乎一样，均跟体积功耗相关联。稳压二极管规格书下载：
2022-04-15 18:01:26
1.符号封装稳压二极管和TVS二极管的电路符号与稳压二极管基本相同，封装也基本相同。有时很难区分外表上的区别;2.电路连接稳压二极管和TVS电路中二极管连接相对地,也就是说,他们有一个临界电压反向
2021-12-21 11:16:32
在通信电源、变频器等中比较常见，常用的封装形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247，贴片肖特基二极管型号命名以SS开头的比较多。肖特基二极管：根据所承受电流的的限度，封装形式大致分为
2021-07-09 11:45:01
，大多数硅用于高达250V的电压，而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压，工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1V
2017-04-19 16:33:24
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
什么是雪崩光电二极管？雪崩光电二极管反向电流的测量介绍
2021-04-09 06:38:04
冲击电流小，可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。14 二极管适合并联么？理论上来说硅二极管，由于导通压降随温度上升而下降，所以是不适合并联的，但是现在很多二极管会把两个单管封装在一起，这样温升相对均匀，给并联带来好处。但是碳化硅是的压降是随温度上升而上升，理论上是适合并联的。
2020-09-18 17:00:12
用于电子电路保护的元件较多，先和大家分享一下瞬变电压抑制器（TVS）的关键参数：TVS二极管以其卓越的钳位功能、极低的击穿电压，极小的封装，电气特性在生命周期内比较稳定而得到越来越广泛的应用。它最
2014-04-15 14:33:53
测量的电压是齐纳电压。假设反向偏置电流不超过器件的热限制，二极管可以承载大量电流，同时在负载两端保持稳定的电压。六、雪崩击穿和齐纳击穿的差异雪崩击穿是由耗尽区电子之间的碰撞引起的，而齐纳击穿是由高电场
2023-02-02 16:52:23
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:48:49
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:12:16
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6，原装，库存现货热销 MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5
2023-07-05 15:50:06
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管，原装，库存现货热销MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。
2012-02-07 15:40:40
1429 ，具备更好的耐高压能力。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随着温度的上升电阻也逐渐上升，这与硅FRD正好相反。
2020-11-17 15:55:056028 在快充领域商用的大门。 图1：SMBF封装碳化硅肖特基二极管 针对PD快充“小轻薄”的特点，碳化硅功率器件领先企业基本半导体在国内率先推出SMBF封装碳化硅肖特基二极管，该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，能很好地满足PD快充对器件
2021-04-19 11:37:022632 
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在智能
2023-02-10 17:45:171732 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。碳化硅二极管的工作原理是，当电压通过碳化硅二极管时，电子会从N极流向P极，从而产生电流。碳化硅二极管可以用于汽车电子控制系统，以及其他电子设备中，用于控制电流和电压。
2023-02-15 15:13:42642 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。
2023-02-15 15:21:40629 晶圆（前端工艺）。碳化硅晶圆再经过划片封装测试（后段工艺）就变成了我们现在使用的半导体-碳化硅二极管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
TO-252-2L封装，最小包装2500只每盘）；KN3D10065F（650V碳化硅二极管，电流10A，贴片TO-252-2L封装，最小包装2500只每盘）；KN3D10065E（650V碳化硅二极管，电流10A，贴片TO-263-2L封装，最小包装2500只每盘）；KN3D06065N（650V碳化硅
2023-02-21 10:12:241680 
，碳化硅二极管封装小型化成为趋势。那么各个碳化硅二极管厂家推出了更小的封装DFN5X6,DFN8X8,超薄型封装。主要用于高功率密度电源和PD快充这样子的应用中。
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 的通断状态切换速度非常快，也用普通双极二极管技术切换时的反向恢复电流。清除反向恢复电流效应后，碳化硅二极管的能耗降低了70%，可在较宽的温度范围内保持较高的能效，提
2022-12-14 11:36:05843 
森国科第五代650/2A TMPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ，具备高浪涌电流和雪崩能力
2023-07-08 10:54:03538 
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