各位小伙伴,不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课——《什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?》后反响热烈,很多朋友留言询问课件资料。今天,我们将这期视频的图文讲义奉上,方便大家更详尽地了解在驱动碳化硅MOSFET时采用米勒钳位功能的必要性。
2024-12-19 11:39:12
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本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案,重新
2025-02-19 11:35:41
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。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
的平行引导,整个封装的换向电感为15nH。 这使得 SEMITRANS 3 非常适合使用中等开关速度和高达 25 kHz 频率的中功率和高功率碳化硅设计。全碳化硅半桥拓扑结构的额定电流为 350A
2023-02-20 16:29:54
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如,商用的硅肖特基的电压小于300V,而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。 (3)碳化硅有高的热导率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
充电器、电机和太阳能逆变器,不仅可以从这些新器件中受益匪浅,不仅在效率上,而且在尺寸上,可实现高功率、高温操作。但是,不仅器件的特性让人对新设计充满好奇,也是意法半导体的战略。碳化硅(SiC)技术是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时,碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵,尽管认识到了与硅基产品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潜在优势,大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造,外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二极管关键参数解读 从应用角度来说,在选择器件时,需要优先考虑器件能否满足应用要求,然后考虑器件对设备整体性能的提升幅度,综合这两个因素,列举如下二极管的关键参数: 浪涌电流能力
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术应用打造
2025-06-25 09:13:14
碳化硅已被证明是高功率和高压器件的理想材料。然而,设备可靠是非常重要的,我们不仅指短期,而且还指长期可靠性。性能,成本和可制造性也是其他重要因素,但可靠性和坚固性是碳化硅成功的关键。全世界有超过30
2019-07-30 15:15:17
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
,利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件,可以降低驱动器损耗,提高开关频率,降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET,验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
*附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
2025-01-20 14:19:40
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
《什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?》后反响热烈,很多朋友留言询问课件资料。今天,我们将这期视频的图文讲义奉上,方便大家更详尽地了解在驱动碳化硅MOSFET时采用米勒钳位功能
2025-01-04 12:30:36
近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅降低,效率提升,体积减小,从而实现变换器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
效率方面,相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压,碳化硅即便是在高电压条件下,一样可以支持单极操作,因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现,也显著优于硅组件。目前大功率电力设备
2021-09-23 15:02:11
,在这些环境中,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天,SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来,预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
和高性能的碳化硅 MOSFET之间,在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET,可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡,具有重要的应用价值,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能简化高压输入隔离DC/DC变换器拓扑且具备高效能、高可靠性等明显优势,适合应用在中大功率新能源领域。其主要特点如下:碳化硅MOSFET高阻断电压(一般大于1000V)能够简化拓扑
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。碳化硅器件的这些优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
是一个接近正弦半波的波形,它的峰值电流非常高,而次级侧并没有滤波电感,因而需要更大的输出滤波电容。较大峰峰值电流会增加输出电容,同时带来输出电解电容寿命和可靠性的问题。 2. 碳化硅MOSFET在谐振
2016-08-25 14:39:53
小于5ns; · 选用低传输延时,上升下降时间短的推挽芯片。 总之,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时,对于驱动器也提出了更高要求,为了让碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品:TDK-Lambda CUS350MP-1000医疗和工业电源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模块。
2022-08-04 09:51:11
2599 多家公司已将 SiC 技术作为其功率器件生产的基础。此外,几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已经为未来基于 SiC 的产品的路线图奠定了基础。碳化硅 (SiC)MOSFET 即将彻底取代硅功率开关;该行业需要能够应对不断变化的市场的新驱动和转换解决方案。
2022-08-09 08:02:07
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电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司于近日宣布,将在 AMP 电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。
2022-11-14 10:55:28
742 碳化硅MOSFET器件是一种半导体器件,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各种电子设备,如电源、电路板、电脑、汽车电子系统等。
2023-02-15 16:05:25
1242 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅晶锭
2023-02-21 10:04:11
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SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET,特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中,碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:56
5771 碳化硅(SiC)技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统,SiC MOSFET 就能为许多行业的许多不同应用提供高效率,包括那些必须在恶劣环境中运行的应用。
2023-05-19 11:27:34
1189 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20
1105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:15
2612 8.2.6功率MOSFET的实施:DMOSFET和UMOSFET8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内
2022-02-28 11:20:02
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SICMOSFET作为第三代半导体器件,以其卓越的高频高压高结温低阻特性,已经越来越多的应用于功率变换电路。那么,如何用最有效的方式驱动碳化硅MOSFET,发挥SICMOSFET的优势,尽可能
2022-11-30 15:28:28
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来源:碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:20
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。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列针对高功率应用优化设计,适用于光伏与储能系统、电动汽车充电、高电压DC/DC转换器、测试设备、不间断电
2023-07-06 10:35:14
1265 点击 “东芝半导体”,马上加入我们哦! 碳化硅(SiC)是第3代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高击穿电场和高功率密度、高电导率、高热导率等优越的物理性能,应用前景广阔。 目前,东芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02
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中游器件制造环节,不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发,以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
2023-10-27 12:45:36
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Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富,提供优异的散热,极大简化了热管理。
2023-11-20 10:24:00
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26
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碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
4326 共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效,高
2024-02-21 18:24:15
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英飞凌和美国碳化硅制造商Wolfspeed近日共同发表声明,延长并扩大了已于2018年2月签订的150毫米碳化硅晶圆长期供应合同。该合作内容还包含了一份多年的产能预留协议。
2024-01-24 14:26:31
1151 全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。
2024-03-28 14:37:32
1316 (JFET)以及现在的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。碳化硅功率器件在这些碳化硅功率器件的开关性能中,制造商通常需要在栅极驱动复杂性和所需性能之间进行权衡
2024-05-30 11:23:03
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在全球半导体技术持续革新的浪潮中,碳化硅芯片作为新一代功率半导体器件的核心材料,正逐步成为市场的新宠。近日,半导体制造领域的佼佼者Wolfspeed公司宣布,其碳化硅芯片制造工厂及材料制造工厂均取得了关键性的进展,这一里程碑式的成就无疑将进一步巩固Wolfspeed在碳化硅功率器件领域的领先地位。
2024-06-27 14:33:01
1308 全球领先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一项重大技术创新,成功推出了一款专为可再生能源、储能系统以及高容量快速充电领域设计的碳化硅模块。这款模块以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片为核心,实现了前所未有的性能飞跃。
2024-09-12 17:13:32
1309 Wolfspeed碳化硅助力实现高性能功率系统
2024-10-24 10:51:36
2 碳化硅革新电力电子,以下是关于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍,结合其技术原理、关键步骤与应用价值,助力电力电子领域的革新。
2025-02-05 14:34:48
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随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及,全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,以其优越的性能在功率电子领域中崭露头角
2025-02-26 11:03:29
1400 中国碳化硅衬底材料从受制于人到实现自主突破的历程,以及由此对国产碳化硅功率半导体企业的启示,可以归纳为以下几个关键点: 一、从垄断到突破:中国碳化硅材料的逆袭之路 CREE(Wolfspeed
2025-03-05 07:27:05
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Wolfspeed作为全球碳化硅(SiC)功率半导体领域的先驱企业,其股价暴跌(单日跌幅超50%)、财务困境与德国30亿欧元项目搁浅危机,折射出欧美与中国在SiC碳化硅功率半导体产业链竞争中
2025-03-31 18:03:08
983 从Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起:国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落:技术霸权崩塌的深层逻辑 作为碳化硅(SiC)领域的先驱,Wolfspeed
2025-05-21 09:49:40
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在Wolfspeed宣布破产的背景下,国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
2025-06-19 16:43:27
782 亚非拉市场工商业储能破局之道:基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案 —— 为高温、电网不稳环境量身定制的技术革新 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代
2025-06-08 11:13:47
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Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持续工作,助力动力总成系统实现最大性能。
2025-08-11 16:54:23
2328 全球碳化硅 (SiC) 技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。这一重要里程碑标志着 Wolfspeed 加速行业从硅向碳化硅转型的使命迈出关键一步。
2025-09-11 09:12:54
1415 碳化硅 (SiC) 技术并非凭空而来,它是建立在数十年的创新基础之上。近四十年来,Wolfspeed 始终致力于碳化硅 (SiC) 技术和产品的创新并不断强化基础专利。仅在过去的五年中,我们
2025-09-22 09:31:47
654 Wolfspeed 宣布推出最新的工业级 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发,为硬开关应用提供了优异的性能。
2025-11-30 16:13:27
564 作为碳化硅 (SiC) 行业全球引领者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技术平台与 1200V 工业级、1200V 车规级产品系列,重新定义功率半导体器件的性能和耐久性,旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现。
2025-12-22 17:32:00
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