科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
每个桥臂需要4个MOSFET以及各自的驱动,增加了系统复杂度,再比如每个桥臂需要各自的钳位二极管,增加了系统成本。 本文中,将介绍我们8KW LLC变换器的设计方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
的平行引导,整个封装的换向电感为15nH。 这使得 SEMITRANS 3 非常适合使用中等开关速度和高达 25 kHz 频率的中功率和高功率碳化硅设计。全碳化硅半桥拓扑结构的额定电流为 350A
2023-02-20 16:29:54
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如,商用的硅肖特基的电压小于300V,而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。 (3)碳化硅有高的热导率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
充电器、电机和太阳能逆变器,不仅可以从这些新器件中受益匪浅,不仅在效率上,而且在尺寸上,可实现高功率、高温操作。但是,不仅器件的特性让人对新设计充满好奇,也是意法半导体的战略。碳化硅(SiC)技术是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
作用下的界面完整性;此项目标准对碳化硅功率模块而言很苛刻,尤其是应用于汽车的模块。AC/PCT(高温蒸煮测试) 高温蒸煮测试是把被测对象放进高温高湿高气压的环境中,考验晶片钝化层的优良程度及树脂材料
2023-02-28 16:59:26
社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料,因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器,但其具有极为广泛的应用前景,包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时,碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵,尽管认识到了与硅基产品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潜在优势,大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造,外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
上,对介电常数要求严格,虽然有低温共烧陶瓷,仍然无法满足他们的要求,需要一种性能更好的升级产品,建议可以使用富力天晟的碳化硅基板;因应汽车需求而特别开发的产品(如IC 载板、软板、银胶贯孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二极管关键参数解读 从应用角度来说,在选择器件时,需要优先考虑器件能否满足应用要求,然后考虑器件对设备整体性能的提升幅度,综合这两个因素,列举如下二极管的关键参数: 浪涌电流能力
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
碳化硅已被证明是高功率和高压器件的理想材料。然而,设备可靠是非常重要的,我们不仅指短期,而且还指长期可靠性。性能,成本和可制造性也是其他重要因素,但可靠性和坚固性是碳化硅成功的关键。全世界有超过30
2019-07-30 15:15:17
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
,利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件,可以降低驱动器损耗,提高开关频率,降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET,验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅降低,效率提升,体积减小,从而实现变换器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
效率方面,相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压,碳化硅即便是在高电压条件下,一样可以支持单极操作,因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现,也显著优于硅组件。目前大功率电力设备
2021-09-23 15:02:11
,在这些环境中,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天,SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来,预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
的整体系统尺寸,更小的整体成本,高温下更高的可靠性,同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模组和集成功率模组,用于太阳能逆变器、功率因数校正、电动车充电桩和高效率
2023-02-22 15:27:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之间,在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET,可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡,具有重要的应用价值,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能简化高压输入隔离DC/DC变换器拓扑且具备高效能、高可靠性等明显优势,适合应用在中大功率新能源领域。其主要特点如下:碳化硅MOSFET高阻断电压(一般大于1000V)能够简化拓扑
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。碳化硅器件的这些优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
是一个接近正弦半波的波形,它的峰值电流非常高,而次级侧并没有滤波电感,因而需要更大的输出滤波电容。较大峰峰值电流会增加输出电容,同时带来输出电解电容寿命和可靠性的问题。 2. 碳化硅MOSFET在谐振
2016-08-25 14:39:53
小于5ns; · 选用低传输延时,上升下降时间短的推挽芯片。 总之,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时,对于驱动器也提出了更高要求,为了让碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法_钟志远
2017-01-04 16:32:5017 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 Agarwal 的播客中,我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章: 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品:TDK-Lambda CUS350MP-1000医疗和工业电源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模块。
2022-08-04 09:51:111460 碳化硅功率MOSFET芯片G1M080120S产品规格书免费下载。
2022-08-31 09:50:535 来源:中国电子报 日前,国际碳化硅大厂安森美宣布,其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成,未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25872 电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司于近日宣布,将在 AMP 电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。
2022-11-14 10:55:28302 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅(SiC)技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统,SiC MOSFET 就能为许多行业的许多不同应用提供高效率,包括那些必须在恶劣环境中运行的应用。
2023-05-19 11:27:34548 现在,工程师比以往任何时候都更多地选择基于碳化硅 (SiC) 的产品,因为它们比基于硅 (Si) 的组件具有更高的效率、功率密度和更好的整体系统成本效益。除了SiC和Si之间常见的基本设计原则,以及需要牢记SiC的不同特性、功能和优势之外,工程师还必须进行建模和仿真,以确保它们能够满足其设计目标。
2023-05-24 09:21:091249 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 8.2.6功率MOSFET的实施:DMOSFET和UMOSFET8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内
2022-02-28 11:20:021054 SICMOSFET作为第三代半导体器件,以其卓越的高频高压高结温低阻特性,已经越来越多的应用于功率变换电路。那么,如何用最有效的方式驱动碳化硅MOSFET,发挥SICMOSFET的优势,尽可能
2022-11-30 15:28:282648 来源:碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列针对高功率应用优化设计,适用于光伏与储能系统、电动汽车充电、高电压DC/DC转换器、测试设备、不间断电
2023-07-06 10:35:14375 长达 10 年的供应协议要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞萨电子供应规模化生产的 150mm 碳化硅裸晶圆和外延片,这将强化公司致力于从硅向碳化硅半导体功率器件产业转型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入,国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升,研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49855 MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02269 业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21969 Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富,提供优异的散热,极大简化了热管理。
2023-11-20 10:24:00320 碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性: 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15412 英飞凌和美国碳化硅制造商Wolfspeed近日共同发表声明,延长并扩大了已于2018年2月签订的150毫米碳化硅晶圆长期供应合同。该合作内容还包含了一份多年的产能预留协议。
2024-01-24 14:26:31302 上涨。 近期,包括罗姆、安森美、Wolfspeed、博世、三安光电、天岳先进等国内外企业纷纷披露碳化硅项目最新进展,其中多起投资金额超百亿元人民币。就在这几日,市场消息显示,瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议,碳化
2023-07-07 01:15:00943
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