TVS全称是Transient Voltage Suppressor(瞬态电压抑制器)。当TVS两端经受瞬间的高压时,它能以极高的速度(P秒级)使其迅速降低。在此过程中,TVS会流过一个大电流,并将其两端的电压钳位在一个特定的数值上,以保护后面的器件免受高压冲击而损坏。
01TVS二极管特性介绍
TVS二极管,也称雪崩击穿二极管,是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的电路保护器件。TVS管有单向和双向之分,单向TVS管主要应用在直流供电电路。双向TVS管主要应用在电压交变的电路。
TVS管内部芯片为半导体硅材料,体积小,高可靠性,同时响应速度快(为PS级),箝位电压低、电压精准、性能可靠、不易劣化、使用寿命长等优点,因此被应用在对保护器件要求很高的场合之中,如汽车电子、照明、通信、工业控制等方面。
特性总结几点如下:
1.TVS二极管是在稳压管工艺基础上生产的,内部芯片为半导体硅材料,采用半导体工艺制成,可靠性高;
2.TVS二极管体积小、无损坏极限、响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、箝位电压易控制;
3.TVS二极管电压精度高,击穿电压在百分之五上下的偏差;
4.工作电压范围从3.3v-600v,甚至更高;
5.TVS二极管在10/1000us波行下,瞬态功率可达200w到3000w,甚至更高;
6.TVS二极管封装形式多样化,立深鑫电子TVS二极管管封装有 SOD-323、SMA、SMB、SMC、DFN1006、SMD等;
02TVS参数详解
Ipp---Peak Pulse Current,TVS额定峰值电流,即可以承受的最大脉冲峰值电流,在10/1000uS(上升时间10us,持续时间1000us)的脉冲峰值电流下测得。
Vr(Vrwm)---Maximum voltage that can be applied to the TVS without operation,反向峰值工作电压。当工作电压大于Vrwm时,TVS反向漏电流会增大,影响电路正常工作。所以,选择TVS时,要使Vrwm大于工作电压。
Vbr(Breakdown Voltage)---Maximum voltage that flows though the TVS at a specified test current (IT),反向击穿电压。TVS管通过规定的测试电流IT时的电压。表示TVS管导通的标志电压,即从此点开始,器件进入雪崩击穿。TVS管有一定的离散型,统一型号的管子,VBR会有比较小的差别。
Vc(Clamping Voltage)---Peak voltage measured across the TVS at a specified IPPM (peak impulse current),最大钳位电压(残压)。当持续时间为10/1000uS(上升时间10us,持续时间1000us)的脉冲峰值电流IPPM流过TVS时,在其两端出现的最大峰值电压为VC。最大钳位电压应小于被保护电路的损坏电压。
Pppm---Peak Pulse Power Dissipation,最大峰值脉冲功率。由脉冲宽度、最大钳位电压Vc和最大脉冲电流IPP决定,Pppm=Ipp*Vc。最大峰值脉冲功率越大,TVS所能承受的峰值脉冲电流愈大;另一方面,最大峰值脉冲功率确定以后,TVS能承受的峰值脉冲电流随着最大箝位电压VC的降低而增加。
Ir(Id)---Reverse Leakage Current,最大反向漏电流。当反向电压为Vr时,流过TVS的电流。
It---Test Current,测试电流。一般为1mA或10mA。
Vf---Forward Voltage Drop for Uni-directional,正向导通电压。
Cj---结电容。在防护高速信号的时候,需要考虑结电容的影响。
03与稳压二极管的区别
1.工作原理:
TVS管(瞬态电压抑制二极管):雪崩效应,在高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立马降低到很低的导通值,允许最大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而避免电路中的精密元器件免受损坏。
稳压二级管(齐纳二极管):齐纳隧道效应,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定。
因此,TVS管通常情况下不工作不导通(不击穿),此时对应的漏电流Ir比较小。而稳压管通常处于击穿状态,此时对应的反向的击穿电流相对较大。
2.性质:
TVS管可分为单极性和双极性,稳压二级管只有单向的。
在通流能力上,TVS管一般数十安培,最多能达到几百安,稳压管的通流能力很小。
TVS管用于瞬态电压保护,在稳压精度上是一个范围,但是有更强的高压承受能力,稳压管的电压精度比较精准,但是稳压范围比较小。
TVS管响应速度很快,可以达到ps级。
3.主要参数:
TVS管:Vbr、Vrwm、Vc、Ipp、Pppm。
稳压管:稳定电压(VZ)、稳定电流(IE)、动态电阻(RZ)、最大耗散功率(PZM)、最大/小稳定工作电流(IZmax/IZmin)、温度系数(AT)。
4.运用场景:
TVS管用于在短时间内吸收输入的瞬时过电压,并对输出电压进行有效钳位,待到瞬时脉冲结束后,TVS管又恢复到高阻状态,即不导通状态。
稳压管用于将输入电压嵌入到一个恒定电压,温压管处于持续的反相导通状态。
5.防护目的:
TVS管的钳位:保护后级芯片不遭受过电压损坏。
稳压管的钳位:给后级芯片提供稳定的电压。
04与ESD静电保护管的区别
ESD静电保护管与TVS管的工作原理相同,ESD管是由多个TVS管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或者多路保护器件。
1.应用电路:
ESD二极管一般用在关键数据接口(HDMIUSBETH总线等)上做静电保护,结电容比较低;
TVS管具有快速的响应能力与强大的浪涌吸收能力,多用于电源线上做防浪涌电压保护,结电容比较高。
2.引脚数量:
ESD管一般需要三个引脚(一个GPIO,一个电源+,一个电源-)。
TVS管与普通二极管引脚一样。
3.关键参数:
ESD管看的是ESD保护管抗静电等级LEVEL,TVS管看的是功率与封装形式
选型总结
最高工作电压:TVS二极管的截止电压要大于被保护电路的最高工作电压,同时还要综合考虑被保护电路的工作电压及后续电路的承受能力;
箝位电压:TVS二极管箝位电压要小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压,大多数tvs管的箝位电压与击穿电压及峰值脉冲电流都成正比。对于同一功率等级的TVS管,其击穿电压越高箝位电压也就越高;
TVS二极管功率选型:TVS管额定瞬态功率要大于电路中可能会出现的最大瞬态浪涌功率;
漏电流:在低功耗电路或高精度采集电路中,尤其要过关注漏电流情况。
结电容:对于同功率的TVS二极管管,其电压越低,电容值就越大,在一些通信线路中,要注意TVS二极管的结电容,不能影响电路正常工作。
封装形式:TVS二极管封装体积越小,功率也就小,具体还需要电子工程师根据电路设计、测试要求选择合适封装的TVS二极管。
审核编辑:汤梓红
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