【2022年5月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:02
2200 
德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481711 美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。
2012-05-18 09:25:34781 
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 （IGBT） 技术平台。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技术平台采用
2012-11-17 10:40:171505 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 （UPS） 应用进行了优化。
2013-06-14 15:22:001278 大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:347768 
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-20 15:18:001556 CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET，以提高系统可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。
2020-12-11 17:01:08971 Easy模块F3L11MR12W2M1_B74专为在整个功率因数（cos φ）范围内工作而设计，它采用最先进的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技术，并具备更高的二极管额定值。
2021-06-09 11:30:261272 ---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工业设备应用 。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量
2023-09-04 15:13:401134 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181555 
采用了CoolMOS™ C7和TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术的半导体器件，以及采用D²PAK 7引脚表面贴装封装的1200V CoolSiC™ MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
测试1200V输入时，加十多分钟后就炸机了，不是一开始就炸，MOS管那一串都炸了，变压器没烧毁。大神帮我看一下电路和波形，600V以后的CS波形感觉就不太好看了，不知道是什么导致的。示波器通道2坏了，没法双通道，只能这样了。
2017-12-13 08:56:00
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
变压器进行限制。主要特色针对多个光伏串的隔离式高侧电流感应能够以小于 1% 满量程的精度监测电流通过智能汇流箱中的 I2C 支持 1200V 隔离式电流感应可将其他 INA260 器件连接到 I2C 总线
2018-10-25 16:24:34
Ls上产生的电压VLs=di/dt*Ls=500A/us*10nH=5V. 一旦门极震荡电压在阀值范围内，MOSFET会不断重复开关，造成极大的开关损耗甚至会影响到MOSFET的可靠性。图4 综上，对于
2018-12-10 10:04:29
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS™的两个
2018-11-28 14:27:08
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F评估驱动板的开发是为了在客户使用1200V PrimePACK IGBT模块进行首次设计时为其提供支持。评估驱动板是一个功能齐全的IGBT模块驱动器，其中两个1ED020I12-F驱动器IC过程控制和反馈信号并提供电流绝缘
2020-04-14 09:54:37
，高速混合IGBT模块的实施对于逆变器操作意味着什么，在图4中显示了仿真结果。该仿真是在小容量PCS中对200A / 1200V 62mm标准封装进行的。对于20kHz的开关频率，可以实现约50％的总体
2020-09-02 15:49:13
、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表：
2021-11-10 09:10:42
RD-354，参考设计使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:23:30
RD-354，参考设计使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:46:31
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
MOSFET 因导通内阻低、 开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。 下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动
2022-01-03 06:34:38
对江苏中科君芯科技有限公司(以下简称中科君芯)针对焊机领域开发1200V系列产品性能、和国外主流器件的参数比对、实际焊机测试比对展开讨论。1电路拓扑工业用焊接电源电路拓扑有半桥和全桥(图1,图2)两种
2014-08-13 09:01:33
试验，以在实际应用条件下，评估1200V/45mΩ CoolSiC™ MOSFET在TO-247 3引脚和4引脚封装中的寄生导通特性。所有试验均在栅极关断电压为0V的条件下开展。 图2. 用于特性测试
2023-02-27 13:53:56
SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET，使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值，对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
测试板。 实验结果： 电流源驱动器和传统电压源驱动器板均使用双脉冲测试进行评估。评估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。两款器件
2023-02-21 16:36:47
半导体阵容的包括用于主逆变器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二极管、用于充电器的650 V超级结MOSFET、用于48V系统的80 V至200 V极低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。在
2021-10-28 06:56:14
求一个适用于高频开关电路的mosfet，极间电容要小一点，越小越好
2019-08-19 13:47:23
。在今年 7 月的 PCIM（电力元件、可再生能源管理展览会）虚拟展位上，展示了采用CoolSiC™汽车 MOSFET 技术的 EasyPACK™模块，即 1200V/8mΩ(150A)的半桥模块
2021-03-27 19:40:16
。 总结 与硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列优势，再加上其在硬开关应用中的鲁棒性，使其值得在最有效的功率转换应用中加以考虑。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC™ MOSFET 技术在经济上更加可行，适合那些将功率转换推向极限的用户。
2023-02-23 17:11:32
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
上海回收IGBT模块FF200R12KT3_E 200A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?回收IGBT模块电话151-5220-9946 QQ 2360670759江苏
2021-09-17 19:23:57
输出1200V,800W，输出脉宽可调的电源电路:由芯片SG3525A组成。
2008-12-07 19:20:001580 
IR全新坚固耐用的1200V控制集成电路
电源管理技术领先供应商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出用于工业电机驱动控制的额定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 IR针对汽车应用推出1200V绝缘IGBT AUIRG7CH80K6B-M
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
SCH2090ke是SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高压、低导通电阻、高速开关、实现整机的小型化和节能化。
2011-11-20 15:49:561311 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 发布首个1200V碳化硅（SiC）二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
2016-03-22 11:12:161329 英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:498006 G2S12010B 1200V 10A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C4D10120D
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:19
0 G2S12005A 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容 C4D05120A
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190 G2S12002C 1200V 2A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容 C4D02120A
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:1910 G2S12005C 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容 C4D05120E
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:192 1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计_陈天
2017-01-08 14:36:357 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-23 16:18:003685 
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
2018-05-07 10:38:0011265 
新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6专门针对开关频率在15kHz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 据外媒报道，最近，日本罗姆半导体公司（ROHM）宣布新增两款车用级1200V耐压绝缘栅双极型晶体管（IGBT），此类晶体管非常适合用于电子压缩机内的逆变器，以及正温度系数（PTC）加热器中的开关电路。
2019-05-27 08:41:501493 。该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化，具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。
2019-09-14 10:56:003727 该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-19 16:11:223530 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:022084 英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 。结合硅 IGBT 或超结 MOSFET，譬如，在三相系统中用于 Vienna 整流或 PFC 升压，CoolSiCTM 二极管相比于硅二极管，效率可提高 1% 或以上，PFC 和 DC-DC 级的输出功率可增加 40% 或以上。除开关损耗微乎其微之外——这是碳化硅肖特基二极管的标志性特点——第五代 C
2021-01-11 08:00:003 英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 与业内人士交流互动产品和应用技术。 借英飞凌碳化硅20周年之际，9月10日，我们在展会会场，隆重举办第三届碳化硅应用技术发展论坛，敬请莅临。 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置
2021-08-24 09:31:502749 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路
2021-10-21 20:06:1219 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024606 除了其他关键的改进外，最近推出的1200V CoolSiC™ MOSFET，即M1H，还显示出了出色的稳定性，并降低了漂移现象的影响。
2022-06-13 10:03:561417 
新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H），首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
2022-06-14 09:47:191258 CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
英飞凌科技为电机控制应用开发了一款评估板，其中包括一个三相 SiC 模块。特别是，它在电力驱动器中使用了 CoolSiC MOSFET 模块的功率。 CoolSiC MOSFET 碳化硅 (SiC
2022-07-27 10:51:521072 
) 拓扑，并集成了 CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7 器件和 NTC 温度传感器以及 PressFIT 接触技术引脚。该电源模块适用于储能系统 (ESS) 等快速开关
2022-08-05 16:18:132076 
由于快速开关、传导损耗和击穿电压增加，碳化硅 MOSFET在现代工业应用中的使用有所增加。凭借最快速的切换速度和更高的频率授权，该框架减小了尺寸并提高了系统效率。大功率 SIC MOSFET 模块
2022-08-05 08:04:521064 
和驱动板V2 - -米勒钳位1EDC20I12MH用1200V的CoolSiC™MOSFET在TO247 3针/ 4针IMZ120R045M1备件如驱动板V1汇集一起。一是避免寄生开关，二是获得
2022-08-05 10:04:51562 
值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
2022-11-08 14:45:16874 2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332073 
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:24317 随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也在利用它们的性能优势
2023-06-08 15:40:02691 
提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20594 
电量，逆变器效率的提高必不可少，在三相光伏逆变器上的升压部分通常会放置一颗1200V的SiCMOSFET来替代普通的1200V的SI器件，相比具有相同额定值的12
2022-08-15 09:57:42511 
SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT
2023-03-31 10:47:19349 的英飞凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技术高速开关，低EMI辐射针对目标应用的优化二极管，实现了低Qrr可选择较低的栅极电阻（低至5Ω），同时保持出色的开
2023-03-31 10:52:07472 相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS
2023-07-06 09:55:40540 
在此方向上，青桐资本项目伙伴「量芯微半导体（GaNPower）」（以下简称「量芯微」）在全球范围内率先实现1200V 硅基GaN HEMT的商业化量产，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:301370 
新品用于高速开关应用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增强型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测
2023-07-31 16:57:59584 2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10423 
深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
2023-12-04 15:26:12293 
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48229 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00382 另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3568
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