作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si整流器与SiC二极管:谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示,与同类型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
一样,商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中,并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
二极管的比较所谓SiC-SBD-与Si-PND的反向恢复特性比较所谓SiC-SBD-与Si-PND的正向电压比较所谓SiC-SBD-SiC-SBD的发展历程所谓SiC-SBD-使用SiC-SBD的优势所谓
2018-11-27 16:40:24
”)应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET,这里给出了DMOS结构,不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外,SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
。 首先,在SiC-MOSFET的组成中,发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要
2018-11-29 14:34:32
前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别二极管的正向电压VF无限接近零
2018-11-30 11:52:08
,已实施了评估的ROHM的SiC-SBD,在与我们熟知的Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中,确保了充分的可靠性。另外,关于SiC-SBD,可能有人听说过有与dV/dt或dI/dt相关的破坏模式
2018-11-30 11:50:49
时间trr快(可高速开关)・trr特性没有温度依赖性・低VF(第二代SBD)下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC
2018-11-30 11:51:17
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步,从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率,将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
SiC46x是什么?SiC46x有哪些优异的设计?SiC46x的主要应用领域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
工作等SiC的特征所带来的优势。通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗,但阻值相同的话就可以缩小元件(芯片)的面积。应对大功率时,有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块
2018-11-29 14:35:23
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
设计结构有待优化,价格较高,但肯定是未来的方向。 SiC投资陆续开花结果功率器件是电动汽车电力电子系统的“心脏”,承担着对电能进行转换和控制的作用,电动汽车对其需求巨大。电动汽车飞速发展,也给了
2022-12-27 15:05:47
。SiC-SBD覆盖了Si-PND/FRD的大部分耐压范围,因此将该耐压范围的Si-PND/FRD替换为SiC-SBD,可改善恢复特性,并可在应用上发挥其优势。-SiC-SBD覆盖了Si-SBD无法攀登
2018-12-03 15:12:02
栅极电荷,它可以使用高开关频率,从而允许使用较小的电感器和电容器。 相较于SiC的发展,GaN功率元件是个后进者,它是一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料,但拥有更大的成本控制潜力,尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们!罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业,自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。项目计划①根据文档,快速认识评估板的电路结构和功能;②准备元器件,相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展,按时间计划实施,④项目调试,优化,比较,分享。预计成果分享项目的开展,实施,结果过程,展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。
一、 SiC的材料优势
碳化硅(SiC)作为宽禁带材料相较于硅(Si)具有很多优势,如表1所示:3倍的禁带宽度,有利于碳化硅器件工作在更高的温度;10倍
2023-10-07 10:12:26
状态之间转换,并且具有更低的导通电阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻(图 1)。图 1:SiC MOSFET(右侧)与硅
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
Si-FRD低。SiC-SBD的优势从SiC-SBD的这些特征可以看出,替代Si-PND/FRD的优势是得益于SiC-SBD的“高速性”。 1.trr高速,因此可大幅降低恢复损耗,实现高效率 2.同样
2018-11-29 14:33:47
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点,根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD(快速恢复二极管)的trr比较。恢复的时间trr很短,二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
在开关电源转换器中,如何充分利用SiC器件的性能优势?
2021-02-22 07:16:36
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
的发展中,Si功率器件已趋其发展的材料极限,难以满足当今社会对于高 频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC为代表的 第三代半导体材料凭借其优异属性,将成为突破口,正在迅速
2017-07-22 14:12:43
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
应用看,未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到,一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术,那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时,碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵,尽管认识到了与硅基产品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潜在优势,大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。拓墣产业研究院指出,相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片
2019-05-09 06:21:14
本帖最后由 傲壹电子 于 2017-6-16 10:38 编辑
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品,并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
绝大多数情况下都取决于IC的规格,因此虽然不是没有方法,但选用专为SiC-MOSFET用而优化的电源IC应该是上策。具体一点来讲,在规格方面,一般的IGBT或Si-MOSFET的驱动电压为VGS
2018-11-27 16:54:24
请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15
2 : Si、SiC和GaN的特性优值比较(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目标主要目标WinSiC4AP致力于为高效能、高成本效益的目标应用开发可靠的技术
2019-06-27 04:20:26
SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的优势体现在哪些方面?电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁,可以提供高功率密度、超小的体积,因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:501774 材料又具有优于传统 Si 的特性,那么为什么见得最多的却是 SiC MOS,SiC IGBT 在哪儿呢?
2020-03-20 15:56:284190 作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计,而在高开关频率高功率的应用中,SiC器件优势明显,这就使得SiC MOSFET在5G基站、工业电源、光伏、充电
2021-08-13 18:16:276631 。在接受《半导体工程》采访时,Veliadis详细介绍了SiC制造工艺和Si工艺的差异的一些要点。 Etch蚀刻工艺。SiC在化学溶剂中呈现惰性,只有干法蚀刻可行。掩膜材料、掩膜蚀刻的选择、混合气体
2022-08-19 16:53:301022 SiC MOSFET 的优势和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034 为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC-SBD的发展,整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 SiC-SBD为形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构,电流通过电子与空穴(孔)流动。
2023-02-23 11:24:11586 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 我们聊了关于UPS的概念和分类,以及在线式UPS的三个工作模式。第三代宽禁带半导体WBG的诞生和发展,让很多使用Si基半导体器件的行业得到提升,今天我们就简单地聊聊SiC在UPS中的应用优势。
2023-04-14 14:35:10788 一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581145 电子发烧友网站提供《SiC应用优势及趋势.pdf》资料免费下载
2023-08-29 16:24:511 如今,大多数半导体都是以硅(Si)为基材料,但近年来,一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅,也称为SiC。目前,SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。
2023-09-05 10:56:05277 硅碳化物(SiC)技术已经达到了临界点,即无可否认的优势推动一项技术快速被采用的状态。
2023-09-07 16:13:00661 碳化硅(SiC)技术已达到临界点,即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。 如今,出于多种原因,希望保持竞争力并降低长期系统成本的设计人员正在转向基于SiC的技术,其中包括: 降低总拥有
2023-10-13 09:24:17824 Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 SiC的导热性大约是Si的三倍,并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C的温度下工作,而Si的典型工作温度限制为150°C。
2023-11-23 15:08:11490
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