场效应管与晶体管一样都能实现信号的控制，所以也常用于放大电路。场效应管放大电路常见的组态有共源、共漏两种。
2022-07-30 15:57:34
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中低压MOS管广泛应用于：LED车灯电源，LED电源，POE交换机，雾化器，香薰机，加湿器，美容仪，驱动电机、防盗器等领域 型号HC037N06L N沟道场效应管 60V30A30N06 内阻
2020-11-12 11:24:12
编辑-Z15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其工作时耐温度范围为-55
2021-12-17 17:01:03
编辑-Z20N20在TO-220F封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。20N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55
2021-12-02 16:32:11
惠海半导体 供应30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原装，库存现货热销HC020N03L参数：30V 30A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
编辑-Z40N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150
2021-12-03 16:38:53
`型号：HC160N10L N沟道场效应管100V10A(10N10)TO-252封装 内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等型号：HC080N10L N沟道场效应管100V17A(17N
2021-03-03 15:32:16
编辑-Z7N60在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A，漏源击穿电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度
2021-12-16 16:58:19
场效应管在电源系统中被用来构建可靠的电源系统或过载保护电路，比如根据电流偏差控制继电器、变频器和可控硅等组件的功率，也可应用于功率开关电源等等。 N型场效应管还广泛用于电力系统，可用于低压开关电源、开关
2023-03-08 14:21:22
四大类。一、结型场效应管（JFET）1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极
2019-05-08 09:26:37
?场效应管分.用錶.N管.P.管.请教.多谢....
2011-03-01 23:34:24
获得较大恒流输出，并且精度提高可以采取基准源与比较器结合方法来获得所需要的效果。 3、开关电路 场效应管最重要的一个作用是作开关作用，作开关时候多数应用于各类电子负载控制、开关电源开关管，MOS管
2023-02-24 16:28:18
子相连，从而形成三端器件，例如场效应晶体管。场效应管MOSFET 通常被认为是一种晶体管，并用于模拟和数字电路。场效应管MOSFET的一般结构如下所示：场效应管MOSFETP沟道场效应管MOSFET和N
2022-09-06 08:00:00
场效应管SVD4N65F可不可以用SVF4N65F的场效应管来替换路过的帮帮忙
2017-04-11 09:25:10
场效应管放大电路与BJT放大电路的性能比较场效应管放大电路的共源电路、共漏电路、共栅电路分别与三极管放大电路的共射电路、共集电路、共基电路相对应。共源电路与共射电路均有电压放大作用，即，而且输出电压
2011-07-12 20:09:38
较高的电路中要选用场效应管。7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
2021-05-13 07:42:16
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数
2021-05-13 07:09:34
场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2
2018-11-05 17:16:04
好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
2009-04-25 15:43:51
结构可以看出，对于场效应管来说它可以放大信号，因此可以用在放大电路中作为放大器来用，也可以作为高速电子开关控制负载的通断，比如开关电源中的场效应管就起到这个功能，同时运用场效应管还可以实现调速控制，比如
2021-03-16 13:48:28
再用场效应管做采样保持电路，这里有电容以及控制场效应管开关的脉冲，但实际设计时，电容的选择以及脉冲的构造都出现了问题。无法实现这个功能。下面是电路图。谢谢了
2013-05-26 23:24:36
场效应管具有什么特点？场效应管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
场效应管在电路中的应用
2012-10-29 11:44:02
见的场效应管多是P沟道的，在它的上面经常见到的印刷标志是：A2sHB、212T、212N、076A、AOGH、N57T、R1SG、S016J、S026I等 上图是一个有主控控制耳机有没有声音输出的电路
2018-10-10 15:11:23
四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作
2013-03-27 16:19:17
场效应管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的场效应管代替吗
2017-04-10 13:05:24
场效应管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的代替吗
2017-04-10 13:04:42
沟道管各三只，构成三相桥式结构。（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号
2012-07-28 14:13:50
场效应管(FET)是一种具有pn结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的场效应管，输入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作
2019-05-29 06:18:14
场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。
2009-04-25 15:43:23
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级
2021-05-13 06:55:31
场效应管si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有完全关断。这是场效应管的原因还是电路的设计问题？怎么让场效应管完全关断呢？
2017-12-09 18:46:35
场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛
2009-04-25 15:38:10
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
外形。 1、场效应管的功能 场效应管通常用来制作低噪声高增益放大器，下图所示为场效应管电压放大的原理示意图。它与普通三极管的不同之处在于它是电压控制器件，而三极管是电流控制器件。 场效应管
2020-12-01 17:36:25
场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流
2009-04-25 15:43:12
场效应管的参数常用场效应管参数表型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A)pdpch(W)waixingIRF48 IR N 60 50 190 TO-220ABIRF024 IR
2009-04-28 10:43:17
记录VDSQ、IDQ。已知输入正弦波信号有效值 Vi=150mv f=1000HZ VDD=12V RL=20kΩ，选2SK163(N沟道耗尽型场效应管)。 (3)测量电路的放大倍数Av、输入阻抗Ri、输出阻抗Ro并记录。0次
2019-09-10 01:34:43
，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W
2009-04-25 15:43:42
场效应管的特性是什么场效应管的主要参数有哪些场效应管怎么选用？场效应管的选用注意事项？
2021-04-20 06:49:52
场效应管广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动
2020-07-10 14:51:42
`请问场效应管的驱动电压多少？`
2019-08-22 15:55:28
电流增大到一定电流时三极管导通，使场效应管GS电压下降来实现稳流。 3也是最重要的一点也是我不理解的点，我对tl431的了解，tl431是三端可调稳压管，U0=(1+R2/R3)2.5V，由公式看出
2015-09-22 20:06:06
场效应管这种器件也是有PN结构成的，它几乎只利用半导体中的一种载流子来导电，故又称单极性晶体管。特点是输入电阻高，有10^7~10^15欧，所以外部的电压几乎全部会加在管子内部，而 不用考虑外部电源
2019-06-25 04:20:03
在分析的时候，比如此时输入端为高电平，如何确定场效应管源极（S极）的电平，从而无法确定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
本帖最后由 Q~Cookies 于 2012-7-28 23:32 编辑
常用场效应管参数送给需要代换查找的朋友IRF+2SJ系列场效应管
2012-07-28 23:32:54
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流
2008-08-12 08:39:59
常用场效应管资料对照表各个品牌的都有。 [hide][/hide]
2009-12-17 14:55:29
设计AC-DC开关电源芯片的时候就要采用一款优质的场效应管。现在市面上使用的场效应管型号为6N40，但由于种种原因，电子厂家也会需要一些代用型号。场效应管对AC-DC开关电源的电压输出稳定、简化电路
2019-07-18 20:32:19
。40N120作用：1、场效应管可用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以有更小的容量，不必使用电解电容。2、场效应管的高输入阻抗非常适合进行阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3
2021-12-18 16:12:29
和低噪声电路。 AO3401参数描述型号：AO3401封装：SOT-23特性：低功耗场效应管电性参数：4.2A 30V持续漏极电流(ID)：4.2A脉冲漏极电流(IDM)：30A漏源电压(VDS
2021-12-09 16:26:24
。飞虹微电子研发的这个FHP3205低压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换IRF1010E场效应管使用的。飞虹的这个FHP3205低压场效应管是N沟道沟槽工艺MOS管，主要适用于300W
2019-09-03 11:28:28
100W-12V输入的逆变器保持输出电源的稳定性，这就需要一款低压场效应管能使100W-12V输入的逆变器芯片保持稳定工作。先来看看这款FHP50N06场效应管的特点：50A,60V, RDS
2021-01-23 03:47:50
MOS场效应管电源开关电路MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽
2018-10-27 11:36:33
。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图可看出，对于N沟道型的场效应管其源极
2011-06-08 10:43:25
的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型；P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
编辑-Z25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55
2021-12-18 16:10:55
AO系列MOS管。SL403场效应管 -30V-70A N沟道功率MOS管优势替代QOD403【场效应管的作用】1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必
2020-06-11 16:41:28
AO系列MOS管。SL407 场效应管 -60V-15A P沟道功率MOS管优势替代AOD407【场效应管的作用】1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小
2020-06-11 16:43:16
使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关
2020-06-11 16:44:37
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流
2021-05-13 06:40:51
最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W(520101)
2021-05-13 06:33:26
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为N沟道增强型
2010-11-16 12:28:04
小弟在做一个boost电路，低压3.6V。刚开始接触，不了解具体型号的参数。求高手给个场效应管和电感型号，要求3.6v导通电流能达到1A以上。
2013-04-19 13:37:51
兄弟姐妹们，做proteus仿真，发现里面找不着双栅极场效应管3sk系列的怎么办啊？？？
2012-12-05 22:55:00
=0.01A=10mA，R1=（Uin-0.7V）/Ib=4.3V/10mA=430Ω，因此限流电阻R1必须选择430Ω左右。2、场效应管的基本原理及实例说明场效应管是电压型控制元件，场效应管也分N沟道场效应管
2021-01-15 15:33:15
场效应管性能当面不是已经超过了三极管了么，三极管会不会被淘汰？为什么总是讨论三极管问题？我是初学者，刚学了场效应管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
大家好，我是电路小白。理论知识有点，但是实践机会甚少。想问在维修电路板时，有个别不重要的场效应管坏了，可否用三极管代替呀？谢谢！
2021-11-27 12:47:16
场效应管电路有问题吗？用的是P沟道增强型场效应管BSS84,电路如下，经常GS间损坏，损坏后两脚间有5K左右的电阻造成微导通D端有电压输出。电路有问题吗？是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
钽电容.辽宁二三极管收购公司.顺德电容收购公司.东莞万江集成电路收购公司.济南芯片收购公司.东莞长安滤波器收购公司.回收东莞黄江连接器.回收广州黄埔电感.回收乐山内存欢迎电话联系！！东莞谢岗场效应管回收公司 各种场效应管回收18899-854-850 QQ1221-49901`
2020-07-15 09:51:38
、车灯电源等型号：HC080N10LN沟道场效应管100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等型号：HC021N10LN沟道场效应管100V35A (35N
2020-09-23 11:38:52
、车灯电源等型号：HC080N10LN沟道场效应管100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等型号：HC021N10LN沟道场效应管100V35A (35N
2020-10-14 15:18:58
编辑-Z20N20参数描述型号：20N20封装：TO-220F特性：低功耗场效应管电性参数：20A 200V连续二极管正向电流(IS)：20A脉冲二极管正向电流(ISM)：72A漏源电压(VDSS
2021-12-17 17:02:12
`功率场效应管(MOSFET)的结构,工作原理及应用 功率场效应管(MOSFET)的结构 图1是典型平面N沟道增强型场效应管(MOSFET) 的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la
2011-12-19 16:52:35
1、驱动电路功率场效应管为单极型器件，输入阻抗高。因而开关速度快，驱动功率小，电路简单。但其极间电容较大，因此工作速度和驱动源的内阻抗有关，栅极驱动电路的形式各种各样，按驱动电路与栅极的连接方式
2018-01-31 10:01:49
缺点是通态电阻大、导通压降高、耐压和电流容量较难提高等。一、结构特性1、结构原理场效应管有垂直导电与横向导电两种结构，根据载流子的性质，又可分为N沟道和P沟道两种类型v功率场效应管几乎都是由垂直导电
2018-01-29 11:04:58
使用的。飞虹电子的FHP740高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管，除了可代替11N40场效应管使用，还可替换10N40、IRF740型号的场效应管。这个FHP740主要应用于300W/220V方波
2019-07-22 15:36:13
速度快.FHP10N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263，脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10
2020-09-30 07:05:19
场效应管SVD4N65F可不可以用SVF4N65F的场效应管来替换路过的帮帮忙
2017-04-10 14:30:49
收购公司,个人个人电子元器件回收,集成电路收购,咪头收购,金膜电容收购公司,家电IC回收公司,液晶屏回收中心,ic集成电路回收中心,收购场效应管,回收工厂ic,个人库存个人库存电子元器件回收公司,过期
2020-07-16 10:36:53
mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型的场效应管(MOS型)，它的电路图符号：仔细看看你会发现，这两个图似乎有差别
2021-05-25 06:00:00
组成的推挽推动级，例如电磁炉IGBT管的推动电路。如图1所示。该推动级工作在开关状态，输出功率可以达5W左右，因为是射极输出，所以输出阻抗很小（< 10Ω）。无需功率驱动的场效应管为何要用大功率低阻抗的推动级呢？
2019-05-22 08:29:46
小弟要设计一个直流电机（90V,70W)正反转的控制电路，考虑用H桥，场效应管计划用IRF9630和IRF630N,控制部分采用单片机接光耦来驱动，但是光耦选哪种以及光耦驱动场效应管电路不熟悉，请高手提供下合适的驱动电路，如有完整H桥电路最好了，谢谢。
2014-09-08 21:40:12
我按照课本为3v357Khz的振荡源设计了一个IRF540场效应管放大电路,但不知道具体C1，c2,R1,R2等原件的具体取值应该是多少，请高手帮忙计算一下，谢谢了，比较急。
2014-03-13 12:52:12
输出不同的结果给相应的控制点，以达到不同的工作状态!mpn中常见的场效应管多是P沟道的，在它的上面经常见到的印刷标志是：A2sHB、212T、212N、076A、AOGH、N57T、R1
2016-02-02 11:27:12
纯直流场效应管功放电路原理图
2019-11-01 09:10:41
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
如图：这个N沟道场效应管，这样接行不行？
2023-11-26 22:22:46
由MOS场效应管和普通电源变压器构成，TK8A50D场效应管是目前家用电器的逆变器后级电路应用得比较多的场效应管型号之一。冰箱、空调、LED等是我们每天都会应用到的电器，如果场效应管的质量不过关，无法进行
2019-08-15 15:08:53
编辑-ZASEMI场效应管15N120是什么工作原理？15N120是比较常用的MOS管，它的工作原理跟其他MOS管的原理是一样的。 15N120参数描述型号：15N120封装：TO-220特性
2021-12-02 16:30:54
的竞争优势等。飞虹研发的这个FHP3205低压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换IRF1010E场效应管使用的。飞虹的这个FHP3205低压场效应管是N沟道沟槽工艺MOS管，主要适用于300W
2019-08-29 13:59:20
场效应管MOSFET 是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，场效应管MOSFET的主体与源极端子相连，从而形成三端器件，例如场效应晶体管。场效应管MOSFET 通常被认为是一种晶体管，并用于模拟和数字电路。
2023-01-08 10:00:591473 了实现场效应管的控制，就需要用到一些驱动芯片，下面我们就来详细介绍一些常用的场效应管驱动芯片。 1. IR2110 IR2110是一款用于驱动单个或双路MOS场效应管的高压、高速驱动芯片。它采用了IR公司自主开发的高速和高电压集成电路工艺，
2023-08-25 15:47:392610
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