为什么在早期的晶体研究中，人们就对晶体中的缺陷予以重视呢？首先是因为发现晶体内部没有缺陷简直是绝无仅有的。
2022-12-02 20:48:11
1913 我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。我国氧化镓领域研究连续取得突破日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
2023-03-15 11:09:59
，有如下反应：42 （2） 上式表明，被氧俘获的电子释放出来，这样半导体表面载流子浓度上升，从而半导体表面电阻率减小。三、氧化物半导体甲烷传感器的研究进展 尽管甲烷是分子结构最简单的一种碳氢
2018-10-24 14:21:10
特定金属或者合金（例如镍铬合金、氧化锡或者氮化钽）淀积在绝缘基体（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜电阻体，构成的电阻叫做氧化膜电阻。来源于：上上电子网`
2013-07-15 16:47:00
`超经典复旦大学微电子工艺教案包含：离子注入、晶体生长、实验室净化与硅片清洗、 光刻、氧化、工艺集成、未来趋势与挑战等。错过便不再拥有研究生毕业继续送资料——超经典复旦大学微电子工艺教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
的质量，字符缺陷检测系统基于远心光学设计，可以清晰的显示出字符，更有利于字符识别和印刷字符缺陷的检测，目前主要用在电子器件表面印刷字符识别和字符缺陷检测，例如曾经应用在国外某手机充电器表面印刷字符缺陷检测
2015-11-18 13:48:29
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该
2018-11-05 09:51:35
分子的排列。通过对两种典型点状缺陷的研究，发现不同缺陷核心影响其周围液晶分子排列的能力有极大不同，并通过外推长度理论和弹性长程关联理论对实验现象进行论证。
2018-11-05 16:19:50
、镓，铅、 钾、钠小于1ppm 否则不能用。4个9的氧化铝虽然可以长出晶体，但是由于不是5n氧化铝，晶体晶棒质量就差一些。有的长出晶体就透明度不好，不很白，易有粉色、黄色等颜色不纯。有的即使长出较白
2011-12-20 10:03:56
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗，以及电子具备更短的转换时间。总的来说，氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。由于氮化镓技术在低功耗、小尺寸等方面具有独特
2017-07-18 16:38:20
在通信领域上亦凭借超低损耗、高隔离度、成本低等优势在手机上得到应用。然而RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题，劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果，国内的研究尚处于起步阶段。下文将针对MEMS开关的缺陷做一些改进。
2019-07-29 07:57:25
。一般采用白松香和异丙醇溶剂。 (2)焊接温度和金属板表面清洁程度也会影响可焊性。温度过高，则焊料扩散速度加快，此时具有很高的活性，会使电路板和焊料溶融表面迅速氧化，产生焊接缺陷，电路板表面受污染也会
2019-05-08 01:06:52
和特性几乎是相同的，因此理论上相同面积和氧化层厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的时间内承受大致相同的氧化层电场应力（相同的本征寿命）。但是，这只有在器件不包含与缺陷有关的杂质
2022-07-12 16:18:49
Sic mesfet工艺技术研究与器件研究针对ＳｉＣ 衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化
2009-10-06 09:48:48
THz波填补了红外光和微波的频率空白。使在全频范围内研究凝聚态物质与电磁波(光)的相互作用成为可能，特别是对固体元激发的研究具有重要意义。THz频率范围内的固体元激发有：离子晶体的横光学声子和纵光学
2019-05-29 07:32:31
高阶XPS – Quantera II扫描式X光光电子能谱仪，相较传统XPS最小仅能达到50微米的微区分析能力，宜特Quantera II最小可达7.5微米，更能针对样品表面更细微的结构进行化学态分析
2018-09-17 14:28:42
有没有大神做过labview玻璃缺陷检测方面的项目？有偿求项目资源，有偿求缺陷玻璃图片！
2017-05-10 22:54:11
阳极偏压光照下，在氢氧化钾、硫酸和盐酸溶液中的腐蚀速率测量结果。这项研究的目的是了解在这些不同的环境下，氮化镓蚀刻的动力学和机制。蚀刻后半导体表面的表面分析提供了关于蚀刻过程的附加信息。 实验 蚀刻
2021-10-13 14:43:35
% 的能源浪费，相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。
氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗片氮化镓功率芯片，可以在生产制造环节减少80
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
V，并且氮化镓耐电压小于1000 V。正是由于这些区别，使得功率半导体厂商与研究开发厂商之间产生了一种“无声的默契”。但是，以上所说的改变是非常有可能的。因为氮化镓可以极大地减少晶片的缺陷（错位）密度
2023-02-23 15:46:22
[img][/img]二氧化碳爆破加热器中加热电子元件叫什么有谁知道是什么
2016-07-15 17:32:17
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
）。[color=rgb(51, 51, 51) !important]从目前的应用上看，功率放大器主要由砷化镓功率放大器和互补式金属氧化物半导体功率放大器（CMOS PA）组成，其中又以GaAs PA为主
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
设备负荷。根据“ Insight Partners”对“到2027年欧洲氧化铝陶瓷市场预测– COVID-19的影响和分析–按应用（电子和半导体，能源和电力，军事和国防，汽车，工业，医疗等）的研究
2021-03-29 11:42:24
印刷电路板（PCB）焊接缺陷分析 1、引 言 焊接实际上是一个化学处理过程。印刷电路板（PCB）是电子产品中电路元件和器件的支撑件，它提供电路元件和器件之间的电气连接。随着电子技术的飞速发展
2013-10-17 11:49:06
近日，微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道。 基于二元氧化物材料的电阻式随机存储器（ReRAM）具有低廉的价格
2010-12-29 15:13:32
请各位大侠么讲解一下高阻态与不定态的区别?单片机的接口如何设置成高组态如何设置成不定态！
2012-08-26 16:52:47
阻碍业界在各种应用中采纳氮化镓器件，例如氮化镓器件不仅使能激光雷达应用，而且在硅MOSFET以前占据主导地位的传统应用中，如数据中心和车载电子，也逐渐转用氮化镓器件。本文将揭穿关于氮化镓技术的最常见误解
2023-06-25 14:17:47
的是用于蓝光播放器的光盘激光头）。
在光子学之外，虽然氮化镓晶体管在1993年就发布了相关技术，但直到2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
扮演着关键的角色。与此同时，美国国防部还通过了高级研究计划局 (DARPA) 的宽带隙半导体技术 (WBST) 计划，该计划在氮化镓的早期开发中发挥了积极的推动作用。该项计划于 2001 年正式启动，力求
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
采用介质涂覆的球-筒电极结构,用以脉冲电压条件下在水中产生放电,通过比色法检测放电产生的过氧化氢,研究了不同电压脉冲幅值、脉冲宽度(储能电容的大小)、水的电导率以及脉冲频率对过氧化氢产生速率
2010-05-13 09:12:45
汽车召回不仅会损害公司声誉，而且成本高昂，与电子 设备相关的召回次数增多所带来的影响让厂商无法承受。汽车电子设备的一个已知风险是潜在缺陷，也就是在半导体晶圆厂的测试中或在组件封装的后续老化测试中并未出现的故障。随着时间的推移，这些缺陷会逐渐发展， 从而引发可能导致安全危害和昂贵召回的故障。
2019-08-01 08:26:51
特定金属或者合金（例如镍铬合金、氧化锡或者氮化钽）淀积在绝缘基体（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜电阻体，构成的电阻叫做氧化膜电阻。来源于：上上电子网
2013-07-15 16:49:07
电机的冷态、热态是怎样定义的？两者如何判断？满负载时是热态否则就是冷态是这样吗？
2023-12-13 08:16:41
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别
2018-10-24 11:20:30
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
，降低LED的光度。学术界希望把硅和氮化镓整合在一起，但是有困难，主要困难是镓与硅之间的大晶格失配。由于很高的缺陷密度，54%的热膨胀系数，外延膜在降温过程中产生裂纹。金属架直接与硅衬底结束时会有化学
2014-01-24 16:08:55
纳米三氧化二铝包覆锂电池正极材料效果明显 出处：锂电池导报 作用一：当电池充至高压时，LiCoO2结构中的大量Co3+将会变成Co4+, Co4+的形成将导致氧缺陷的形成，这将会减弱过度金属与氧之间
2014-05-12 13:49:26
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
。氧化镓由于作为自己的基底，所以不存在不匹配的情况，也就没有缺陷。日本埼玉的诺维晶科技术公司已经开发出150毫米的β-氧化镓晶圆。 日本国家信息与通信技术研究所（NICT，位于东京）的东胁正高
2023-02-27 15:46:36
焊料润湿被焊板电路表面。一般采用白松香和异丙醇溶剂。(2)焊接温度和金属板表面清洁程度也会影响可焊性。温度过高，则焊料扩散速度加快，此时具有很高的活性，会使电路板和焊料溶融表面迅速氧化，产生焊接缺陷
2018-03-11 09:28:49
迅速氧化，产生焊接缺陷，电路 板表面受污染也会影响可焊性从而产生缺陷，这些缺陷包括锡珠、锡球、开路、光泽度不好等。 2、翘曲产生的焊接缺陷 电路板和元器件在焊接过程中产生翘曲，由于应力变形而产生虚
2018-09-21 16:35:14
金属氧化物变阻器应用于能量吸收电路的研究摘要：对金属氧化物变阻器（MOV）的物理特性进行了分析，在此基础上提出了将MOV 吸收能量的过程分为三个阶段即：换流部分、线性吸收部分、电流渐近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
“重组”氢气和氧气，用以释放能量，将是理想状态。 斯坦福大学研究人员在不同温度条件下测试三种金属氧化物，分别是钒酸铋、氧化钛和氧化铁，所获结果超出预想：温度升高时，电子通过这三种氧化物的速率加快，所
2016-03-07 15:18:52
在论述二氧化锡气敏机理的基础上，介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状，并对
2009-07-03 09:01:09
16 固体氧化物燃料电池研究进展和发展动态1在已研究发展的六类固体氧化物燃料电池电解质中，钇稳定氧化锆（YSZ）、稀土金属掺杂氧化铈（RDC）、碱土掺杂镓酸镧（L
2009-11-09 11:48:0413 在论述二氧化锡气敏机理的基础上，介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状，并对其
2009-11-23 14:07:1028 结合某复合土工膜斜墙坝工程材料实际情况,自行设计试验装置,进行复合土工膜缺陷渗透量试验研究.,经长期观测得到复合土工膜在不同缺陷孔径、不同水头作用下的缺陷渗透量实测
2010-01-14 16:13:426 该文研究了铜互连线中的多余物缺陷对两根相邻的互连线间信号的串扰，提出了互连线之间的多余物缺陷和互连线之间的互容、互感模型，用于定量的计算缺陷对串扰的影响。提出
2010-02-09 15:03:506 车辆轮对踏面缺陷的光电检测方法研究
铁路车辆轮对踏面的擦伤与剥离是车辆在运行过程中形成的一种常见的不规则表面缺陷，是轮对检修过程中必须检测的一
2010-02-22 11:46:5510 氧化镍电极的工作原理
氧化镍电极的活性物质是具有一定晶型结构的氧化物β-NiOOH。晶格中某一数量的OH-被O2-代替叫质子缺陷；晶格中一定数量Ni2+被Ni3+
2009-11-05 17:38:362369 印刷电路板焊接缺陷研究 【摘 要】分析了印刷电路板（PCB）在焊接过程中产生缺陷的原因，提出了解决上述缺陷的一些办法。
2010-03-10 09:02:121374 对辉钼精矿在Na2MoO42Na2 SO4 体系的熔盐氧化过程进行了研究 ,探索了不同的工艺参数对钼的转化率和脱
硫率的影响.研究结果表明 ,在熔盐组成Na2MoO4 与Na2 SO4 质量比
2011-02-02 11:24:5017 文中工作旨在利用第一性原理来研究存在Stone-wales缺陷和单、双空位缺陷的石墨烯的电子结构，探讨多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。
2012-02-20 15:04:226379 
缺陷形状对油田注水管强度影响研究_刘清友_徐涛
2017-01-12 20:08:010 油罐底板腐蚀缺陷漏磁检测及其应用研究
2017-05-22 15:06:275 随着集成电路密度的不断提高，多晶硅栅的线宽不断变小，栅氧化层的厚度继续变薄，多晶硅的刻蚀变得越来越关键。多晶硅栅的形貌控制，栅氧化层二氧化硅的损失等关键特征已经被普遍关注。多晶硅刻蚀中的另一种现象
2017-12-20 11:31:453872 钝化层刻蚀对厚铝铝须缺陷影响的研究
2018-03-06 09:02:505607 缺陷漏磁成像技术一直是无损检测领域的研究热点之一，也是铁磁性构件缺陷检测与评估的重要手段。本文从缺陷的漏磁数据可视化、缺陷轮廓的二维漏磁成像以及缺陷的三维漏磁成像三个阶段，对缺陷漏磁成像技术的发展
2018-03-21 14:48:284 电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解，这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。
2018-07-05 15:17:543836 
微弧氧化是在金属及其合金表面生成陶瓷膜的一种表面处理技术，微弧氧化生成的陶瓷膜具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、绝缘等优良性能，在航天、航空、汽车、电子、造船等领域具有广阔的应用前景。微弧氧化已经成为一个研究热点，电源是制约微弧氧化发展的一个重要因素，本文针对微弧氧化电源展开研究。
2018-11-26 08:00:006 黄铁矿氧化机制的研究已有一些报道[1 ,2 ] 。普遍认为在黄铁矿的氧化过程中 , 氧化亚铁硫杆菌 ( Thiobacillus ferroxidans ) 起着决定性因素的作用。然而 , 在已有
2020-11-16 13:54:300 摘要：半导体器件制备过程中，SiO2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层，用来避免Si材料本身直接遭 受离子轰击而产生缺陷，牺牲氧化层在注入完成之后，氧化层的性质和结构会发生较大变化，在被腐蚀去除
2020-12-30 10:24:574773 
在相对较高的温度和常压下无损耗导电的世界纪录，但是它的电子有没有同样的行为呢？这些答案可能有助于推进新的非传统超导体合成。 并将其用于输电、运输和其他应用，还可以揭示铜酸盐是如何的机制。但经过30多年的研究，这仍然是一
2021-01-06 11:41:012449 
简介：电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解，这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。 1. 封装缺陷与失效
2021-01-12 11:36:083657 
电子发烧友网为你提供封装缺陷与失效的研究方法论资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-03-29 16:47:0111 引言 近年来，氧化锌薄膜因其低成本、低光敏性、无环境问题、特别是高迁移率而被研究作为薄膜晶体管中的有源层来代替非晶硅。此外，氧化锌的低温制造使得在塑料薄膜上制造成为可能。氧化锌(ZnO)半导体由于
2022-01-06 13:47:53582 电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解，这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。
2022-02-10 11:09:3713 我们观察到半导体制造过程中光刻胶掩模氧化硅湿法刻蚀过程中形成新的树枝状缺陷(DLD)。树突是分枝状晶体，表现出显示晶体方向性的形态特征，如直的初生茎、次生侧臂，甚至第三纪分枝。当非多面材料从过冷
2022-03-15 11:28:531056 
为了研究钢板表面与背部缺陷多频平衡电磁检测相关问题，验证多频平衡电磁方法对管道内外缺陷的检测效果，研究功率放大器在弱信号中的应用，特进行以下实验验证。
2022-03-22 13:51:231248 
鉴于目前国内还没有全面细致论述半导体芯片表面缺陷检测方法的综述文献，本文通过对 2015—2021 年相关文献进行归纳梳理，旨在帮助研究人员快速和系统地了解该领域的相关方法与技术。本文主要
2022-07-22 10:27:124037 锻件折叠缺陷主要是由于在锻造的过程中，金属发生部分氧化、局部金属发生变形、金属原材料不均匀等导致金属内部发生疲劳破坏，对于管接头锻造件表现为圆柱面产生较大裂缝。在检测系统中，折叠缺陷在检测工位五进行检测，相机曝光度设为26300，现场采集的图片如下图所示。
2022-10-09 16:35:56643 如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相关的边缘终端结构一直是难点。
2022-12-21 10:21:58557 电子线材铜导体氧化发黑的原因有很多，可能是由于原铜质量、生产过程中导体保存不当或使用环境等原因造成的。今天康瑞连接器厂家主要为大家分析使用过程中氧化的原因。
电子线材为什么会氧化
2023-01-03 16:10:091181 超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势， 在功率电子和微波射 频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
制造业的全面智能化发展对工业产品的质量检测提出了新的要求。本文总结了机器学习方法在表面缺陷检测中的研究现状，表面缺陷检测是工业产品质量检测的关键部分。首先，根据表面特征的用途，从纹理特征、颜色特征
2023-08-17 11:23:29530 
氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。
2023-08-17 14:24:16412 
，另一方面需要控制材料表面的缺陷密度，减少由缺陷导致的碲镉汞外延片可用面积损失。研究人员已经对碲镉汞薄膜的表面缺陷进行了大量研究。液相外延碲镉汞材料表面出现的贯穿型缺陷深度超过10 μm，与碲镉汞材料的厚度相近，可达碲锌镉衬底界面
2023-09-10 08:58:20368 
电子发烧友App
工商网监
评论