GaN-on-Si技术可用来降低LED及功率元件的成本，将有助固态照明、电源供应器，甚至是太阳能板及电动车的发展.
2013-09-12 09:33:29
1401 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体，具有更快的开关速度、更高的击穿强度和高导热性。
2022-07-29 10:52:00991 
近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体
2022-08-22 09:44:013651 氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293615 
作为一种新型功率器件，GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52783 
基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 ）。另一方面，功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向，包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件，而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件（共源共栅Cascode结构）。 E-
2024-02-28 00:13:001844 使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换更高水平的功率，如图1所示。GaN半导体能够在交流/直流供电
2022-11-07 06:26:02
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
D功放的音质也将得到有效的提升。
针对目前主流的GaN Class D应用，三安集成推出了200V 20mΩ的低压GaN功率器件，同时采用自主设计的半桥电路测试平台对200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护必须渗透到生产全过程
2013-02-19 10:06:44
五、 LED静电防护技术 1、一般静电防护的基本思路： 1）从元器件设计方面，把静电保护设计到LED器件内，例如大功率LED，设计者在承载GaN基LED芯片倒装的硅片上，设计静电保护二极管，这时
2013-02-20 09:25:41
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器，转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs，这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步，我们将寻求如何使用电路设计，从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。
2019-09-04 08:07:56
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
GaN在单片功率集成电路中的工业应用日趋成熟
2023-06-25 10:19:10
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
的AC/DC转换和功率转换为目的的二极管和MOSFET，以及作为电源输出段的功率模块等来分类等等。在这里，分以下二个方面进行阐述：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率元器件”，另一是与Si
2018-11-28 14:34:33
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
在射频领域采用硅基氮化镓（GaN on Si）技术的供应商。我们采用硅基氮化镓（GaN Si）技术以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的连续波（CW）射频功率晶体管产品，支持频率从DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。基于氮化镓的MAGb功率晶体管在2.6GHz频段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
描述该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381（对于硅电源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
IC、电源控制器和高集成度嵌入式处理器， 将能管理复杂的多电平、多级功率回路，从而正确发挥新一代 SiC/GaN 功率转换器的优势。——ADI公司再生能源战略营销经理Stefano
2018-10-30 11:48:08
下以更高的转换频率运行。这意味着，在同样的条件下，GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200，随着这款全集成式原型机的推出，工程师们能够轻松地将GaN技术融入到电源
2018-09-11 14:04:25
GaN技术融入到电源解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
半导体激光器非常适合与 Si 光子学的单片集成。制造具有法布里-珀罗腔的半导体激光器通常包括小面解理，但是，这与片上光子集成不兼容。蚀刻作为一种替代方法在制备腔镜方面具有很大优势，无需将晶片破碎成条形。然而
2021-07-09 10:21:36
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高
2019-08-01 07:24:28
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
。目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，以替代昂贵的SiC衬底。有分析预测到2019年GaN的成本将与传统的Si器件相当，届时很可能出现一个市场拐点。并且该技术对于供应商来说是一
2019-07-08 04:20:32
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm
2010-04-22 11:32:16
设计。基于双向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一体化“二合一”设计，本文提出了一种高效散热方案采用Navitas集成驱动GaN-Power-IC器件的技术。CCMPFC的开关频率设置为
2023-06-16 08:59:35
OBC和低压DC/DC的集成设计可以减小系统的体积;提高功率密度，降低成本。宽带隙半导体器件GaN带来了进一步发展的机遇提高电动汽车电源单元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
的频率交换意味着GaN可以一次转换更大范围的功率，减少复杂装置中的功率变换。由于每次功率变换都会产生新的能耗，这对于很多高压应用都是一项显著的优势。当然，一项已经持续发展60年的技术不会一夜之间被取代
2019-03-01 09:52:45
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。
2020-10-28 06:59:27
作者： Grant Smith，德州仪器 (TI)业务拓展经理简介功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高
2019-07-12 12:56:17
上的毫米波频率。另外，GaN功率放大器支持更高的带宽，即使在较高的频率也是如此。 如今存在的两种主要GaN技术为碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的优势在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
）③ SiC、GaN宽禁带电力电子技术的机遇和挑战 ④ 针对宽禁带电力电子技术特性的封装技术 ⑤ SiC、GaN器件与Si器件的对比（优势、驱动上的区别、结构和成本的影响）五、活动报名电话：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
数据中心应用服务器电源管理的直接转换。 此外，自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电和5G基站中的高效功率放大器包络线跟踪等应用可从GaN技术的效率和快速切换中受益。 GaN功率器件的传导损耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位，但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率，但软开关转换器（如LLC）对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
。在这次活动中，剑桥 GaN 器件公司宣布了其集成电路增强氮化镓(ICeGaN)技术，以修改 GaN 基功率晶体管的栅极行为。这种新技术基于增强型 GaN 高电子迁移率晶体管，具有超低比导通电阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
电子器件制备工艺
2012-08-20 22:23:29
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
稳定的化合物，具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更强抗辐照能力，同时GaN又是高熔点材料，热传导率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹电子 于 2017-6-16 10:38 编辑
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
参数极其敏感，因此相较于传统的Si基半导体器件的驱动电路，GaN的驱动要求更为严苛，因此对其驱动电路的研究很有意义。在实际的高压功率GaN器件应用过程中，我们用GaN器件和当前主流的SJ MOSFET在
2021-12-01 13:33:21
原理下，随着微细加工技术的发展，实现了开关更加高速、大规模集成化。在功率元器件领域中，微细加工技术的导入滞后数年，需要确保工作电压的极限(耐压)并改善模拟性能。但是，通过微细化可以改善的性能仅限于100V
2019-07-08 06:09:02
”毫不夸张，为满足市场需求，需求不时完善各种运用电路、易用封装、复合品、额定电流、额定电压的产品阵容，要求具有多元化的技术积聚。 在功率电子元器件范围，罗姆拥有业界顶级水平的产品阵容，在Si基超级
2012-11-26 16:05:09
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学
2010-06-07 11:27:281388 
利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:34
29 安森美半导体（ON Semiconductor）加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037275 
科技半导体公司提出的GaN基复合衬底技术，结合企业自身的LED芯片技术，在大大提高LED出光效率的同时，还能大幅降低高端LED芯片的生产成本，改进现有LED的产业链结构，同时该技术还可扩展应用到GaN功率器件和MicroLED领域。
2020-04-17 16:37:573363 
作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管
2021-07-14 16:46:55959 与Si元器件相比，GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率，随着5G通信和新能源汽车的迅猛发展，GaN快充技术也随之受到关注。
2021-12-24 09:46:131449 意法半导体 在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件 。利用台积电的 GaN 技术及其自身独特的设计和封装专业知识
2022-08-03 10:44:57641 
。与此同时，一种新材料氮化镓 (GaN) 正朝着理论性能边界稳步前进，该边界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比当今市场上最好的 GaN 产品好 300 倍（图1）。 图 1：一平方毫米器件的理论导通电阻与基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻断电压能力。第 4 代（紫色圆点）和
2022-08-04 11:17:55587 
的限制，并且高温性能和低电流特性较差。高压 Si FET 在频率和高温性能方面也受到限制。因此，设计人员越来越多地寻求采用高效铜夹封装的宽带隙 (WBG) 半导体。 功率氮化镓技术 GaN 技术，特别是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体
2022-08-04 09:52:161078 
本文聊一下GaN芯片的制备工艺。
GaN-般都是用外延技术制备出来。GaN的外延工艺大家可以看看中村修二的书。
2022-10-19 11:53:401459 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11426 依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN
基准垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:380 GaN-on-Si LED技术是行业梦寐以求的技术。首先，硅是地壳含量第二的元素，物理和化学性能良好，在大尺寸硅衬底上制作氮化镓LED的综合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞800℃），第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551654 
付出更大的成本？本文会以适配器（Adaptor）的应用来做说明。图1目标产品应用种类氮化镓（GaN）是横向结构的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的闸极电荷（
2022-12-09 14:41:082746 
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
使用GaN（氮化镓）的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术，解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40709 
论文研究氮化镓GaN功率集成技术
2023-01-13 09:07:473 随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
由于宇航电源整体及其组件面临的综合挑战，GaN功率器件的全面应用至今尚未达成。但是，随着GaN功率器件辐照强化及驱动方式的创新改良，宇航电源将会得到更大助推。
结合高集成度电源设计，以及优化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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