美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 在高耐压范围中，SiC MOSFET与Si-MOSFET相比，具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。基于这些优势，当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC
2019-04-24 12:46:442091 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围
2021-07-28 14:47:031361 
PI看到了电动车的这个发展趋势，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ产品，该产品采用碳化硅（SiC）初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC，将耐压值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224954 富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，进而缩短产品的设计周期、加快行业发展的步伐。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身
2022-08-30 09:31:001210 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:002639 
CRD-060DD12P，用于单端反激式转换器设计的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代传统的双开关反激式转换器，用于三相应用的高压输入辅助电源。演示板不是专为产品而设计的，仅用作评估Cree开关设备性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs＝0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此，没有必要再
2019-04-09 04:58:00
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
作的。全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET），组成相同尺寸的移相DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的演示机
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
可以很快期待Littelfuse和英飞凌的产品。 图5：各供应商的SiC MOSFET开发活动现状。 多芯片功率模块也是SiC世界中客户和供应商之间的热门话题。图6也摘自Yole的D
2023-02-27 13:48:12
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此，没有必要再
2019-05-07 06:21:55
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。
2019-07-30 06:18:11
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
开来，并应用于电缆以将电线与电缆所穿过的环境隔离开来。 SiC MOSFET可作为1200V，20A器件提供，在+ 15V栅极-源极电压下具有100mΩ。此外，固有的导通电阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
实现高电流、高开关频率和高效率 将于6月5日至7日在PCIM欧洲电力电子展的6号展厅318展台 展示采用全新低电感封装的五个标准模块的完整产品线 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供
2018-10-23 16:22:24
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路，整个评估板提供了一个半桥电路，可以支持Buck，Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成，上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
半导体产品采用的是也是平面栅MOSFET结构。基于平面栅结构，派恩杰已经发布了650V-1700V各个电压平台的SiC MOSFET，而且已经顺利在新能源龙头企业批量供货，实现“上车”。
2022-03-29 10:58:06
1700V耐压的产品。Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现远远超过Si-SBD的高耐压与低电阻，但关断速度较慢。尽管FRD是Si-PND中提高了速度的产品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
:・全SiC功率模块由ROHM自主生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成。・与Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。・全SiC功率模块正在不断进化，最新产品搭载了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
二极管方面已经做出了许多努力。这些新一代二极管的主要开发采用体晶圆、薄晶圆技术、n+背表面接触、激光退火和多质子注入，均用于二极管制造［1-5］。本文介绍了具有不同额定电流的1700V软恢复二极管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-05 10:01:25
` 本帖最后由 电子发烧友doodle 于 2017-3-2 14:14 编辑
2月的最后一天，小米发布了旗下第一代松果处理器：澎湃S1。该款处理器是由小米和联芯共同设计完成的，性能配置就不
2017-03-02 14:11:54
的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
的行列中，推出相关产品。
国内规模比较大的有华润微、派恩杰、杨杰科技等都有SiCMOSFET产品，而更多的初创企业也在进入车规SiCMOSFET赛道。比如芯塔电子自主研发的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中，推出相关产品。
国内规模比较大的有华润微、派恩杰、杨杰科技等都有SiCMOSFET产品，而更多的初创企业也在进入车规SiCMOSFET赛道。比如芯塔电子自主研发的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
金鉴出品】新能源汽车SiC MOSFET芯片漏电红外热点定位+FIB解析碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发
2018-11-02 16:25:31
采用双沟槽结构的SiC-MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。实际的SiC-MOSFET产品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
MOSFET 的单通道驱动核，可以驱动目前市面上大部分 1700V 以内的单管碳化硅 MOSFET， 该驱动核设计紧凑，通用性强。 3、电源模块 Q15P2XXYYD 是青铜剑科技自主研发的单通道
2023-02-27 16:03:36
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
更进一步。其中UF系列的最新产品在1200V和650V器件上的导通电阻达到了同类产品最低，分别小于9毫欧和7毫欧。这些器件具有低损耗体二极管效应以及固有的抗过电压和短路的能力，与Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进1700V耐压的产品。Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现
2019-07-10 04:20:13
1700V SiC MOSFET+AC/DC转换器 评估板BD7682FJ-EVK-401为三相AC400～690V输入 24V/1A输出，搭载了ROHM适用于大功率工业设备的1700V高耐压SiC
2020-02-20 11:50:40
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的导通电阻与VGS特性比较图。从比较图中可以看出，上述IC的栅极驱动电压在每种MOSFET将要饱和前变为VGS。由于该比较不是
2018-11-27 16:54:24
（IPS-RA）4. 航空级智能功率开关（IPS-AA）纳/ 微电网与航空电子5.用于奈米／微电网V2G／V2H的高效双向SiC功率转换器6.航空电子逆变器。航空电子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆变器该
2019-06-27 04:20:26
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论，给出了电气特性参数和内部
2009-06-19 20:29:52
39 华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘
2012-05-29 08:47:481938 罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品（图1）。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻，以及备有将SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531594 近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品
2018-10-23 11:34:375600 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。 在电动汽车牵引电机或充电站等汽车应用中，以及在太阳能发电机和电机驱动等工业应用中，使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处，包括： ●减小功率级的尺寸和重量 ●实现更高的功率密度 ●减小功率电路无源元件的尺
2020-11-26 16:33:521178 
参考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是为支持客户采用SIC MOSFET设计辅助电源而开发的。该参考板旨在支持客户为三相系统设计辅助电源，工作电压范围在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:032396 
在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024606 Power Integrations今日发布两款新器件，为InnoSwitch3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级
2022-02-16 14:10:121888 近期，华润微重磅发布自主研发量产的SiC MOSFET产品，这是华润微继去年SiC二极管产品上市后的又一大作，进一步丰富了公司的SiC产品系列，是公司在宽禁带领域的又一里程碑。
2022-03-28 16:20:081793 （SiC）初级开关 MOSFET。这些新设备可产生高达 70 瓦的输出功率，用于 600 和 800 伏电池和燃料电池电动乘用车，以及电动巴士、卡车和一系列工业电源应用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:271216 
相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件，为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1700V的SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单，成本更低的解决方案。
2022-08-01 14:18:582310 BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进*的AC/DC转换器IC，采用一体化封装，已将1700V耐压的SiC MOSFET和针对其驱动而优化的控制电路内置于小型表贴封装（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:241278 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET产品。62W辅助电源参考设计
2022-08-28 11:17:068 高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。
2022-12-28 17:50:15527 
安森美宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 重点必看内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－规格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易支持自动安装的小型解决方案&...
2023-02-08 13:43:19389 
内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－优点篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易可自动安装的小型表贴封装BM2SC12x...
2023-02-08 13:43:21390 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。
2023-02-13 09:30:05434 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479 根据公司披露：上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围
2023-05-25 10:34:27903 
前几天，三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录（.点这里.），很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁，今天答案正式揭晓！
2023-06-14 18:19:55860 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 
对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 瞻芯电子依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
ARK（方舟微）研发销售的MOS产品主要以N沟道-耗尽型MOSFET为主（包括具有自主知识产权的高阈值电压（UltraVt®）耗尽型MOSFET系列产品），以及N沟道-增强型MOSFET和P沟道-增强型MOSFET。产品耐压等级覆盖0～1700V区间。
2023-11-07 14:47:57360 
11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V
2023-12-06 14:04:49323 
瑶芯微此次参评的专注于“车规级低比导通电阻SiC MOSFET”，专家们一致赞赏该产品具有卓越的研究成果，堪称行业翘楚。凭借诸多优点，经过严谨评鉴，评委会授予瑶芯微的SiC MOSFET技术极高评价，同时认定其拥有自主创新产权，展现了强劲的技术实力。
2023-12-25 10:56:54456 近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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