`NMOS管驱动满足的电压是看GS端压差。还是只看PIN-G对PIN-S正电压。如下图紫色是MOS管驱动,MOS驱动电压算7.8V 还是13.2V?`
2021-03-04 09:17:27
MOS管驱动电压最大是多少?过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为:du超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下,沟道才会形成,MOS管才会
2021-11-12 08:18:19
自己设计了一个MOS管驱动电路,仿真时候上管正常开关,下管始终关断,但是测得上管栅源极之间电压波形是这样的,有一个很大的抖动,想请教这是为什么?
2019-11-06 20:46:17
并且对变压器的运行有比较深入的认识。变压器常见问题和与MOS管驱动相关的问题:变压器有两个绕组,初级绕组和次级绕组实现了隔离,初级和次级的匝数比变化实现了电压缩放,对于我们的设计一般不太需要调整电压
2012-11-12 15:39:26
`到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致,没有死区时间 下面是波形 我母线通电30V电压来测试的CH1是Vgs导通波形 CH2是 Vds波形中间有一段VGS下降了 MOS管还导通这是测两个低端MOS管Vds的波形 没有死区时间 另外我的尖峰脉冲是不是太高了 我上电300V的话会炸管吗`
2017-08-02 15:41:19
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计
2011-11-07 15:56:56
本帖最后由 24不可说 于 2018-7-9 17:25 编辑
一、MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流
2018-07-09 17:24:24
一、MOS管驱动电路综述 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但
2021-11-12 09:19:30
一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话, MOS管 开关速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频
2018-10-23 15:59:18
MOS管三极管驱动电压电流MOS管三极管驱动电压电流,我们知道驱动三极管电压只要>0.7V就可以,那么基极需要多少电流呢?在三极管规格书里面找不到需要的驱动电流的值;驱动MOS,只要>Vth就可以
2022-05-30 14:11:34
阈值电压,可以在栅极接一个到地的电阻。但是这个电阻又不能太小,否则会在开关低边MOS管的时候,电流被分流很大一部分。尤其是在驱动能力比较差的驱动器中,会导致低边MOS管的开启时间拉长,开关损耗会变得
2023-03-15 16:55:58
如图,MOS管刚启动时波形会从5V降到3点多V,后面慢慢又会升回正常的5V,请问是什么原因导致电压掉落的?我MOS管就驱动一个电机。
2023-08-01 11:02:55
(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高
2018-10-31 13:59:26
满足Vgs》Vth时即可导通。Vth是mos管栅极阈值电压,一般为3v。 当我们使用Pmos时,PMOS的特性是,VGS小于一定的值(3V以上)就会导通,适用于源极接VCC时的情况(高端驱动
2021-01-15 15:39:46
mos管相比于三极管,开关速度快,导通电压低,电压驱动简单,所以越来越受工程师的喜欢,然而,若不当设计,哪怕是小功率mos管,也会导致芯片烧坏,原本想着更简单的,最后变得更加复杂。这几年来一直做高频
2018-11-21 14:43:01
,很多MOS管都内置稳压管强行限制栅极电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压时,会造成较大的静态功耗。同时,如果单纯利用电阻分压原理来降低栅极电压,当输入电压比较高时,MOS管工作良好
2021-12-03 16:37:02
一般有三个极。四类MOS管增强型运用较为普遍,下图是画原理图时增强型NMOS和PMOS管的符号:漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(指有线圈负载的电路,如马达),这个二极管
2019-01-28 15:44:35
MOS管的半导体结构MOS管的工作机制MOS管的驱动应用
2021-03-08 06:06:47
大功率电源的PFC电路中,根据MOS管的Qg和导通时间计算栅极驱动电流约5A。按照一般的说法,如果驱动电流设计的太大,会引起电压过冲和振荡,除此之外,还会有什么不利后果?会损坏MOS管吗?根据经验一般最大在多少A比较好?谢谢指教!
2022-05-05 23:01:18
了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动
2020-07-10 14:54:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑
2012-12-18 15:37:14
下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较
2012-11-12 15:40:55
提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。同时
2018-11-14 09:24:34
` 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为
2019-02-14 11:35:54
集成电路芯片内部通常是没有的。2,MOS管导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了
2021-01-11 20:12:24
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 编辑
四个MOS管这么排列,Q3Q4是打开,Q1Q2是关闭, 电源是12V为啥AB两点的电压也有11多V,MOS是如何导通的呢,体二极管也是对立的。
2018-05-31 19:41:07
本帖最后由 Stark扬 于 2018-11-19 14:19 编辑
这是直流逆变成三相交流的机器上应用的,这是MOS管的驱动波形测试,此时MOS管在关断,母线电压48V,驱动电压为15V,绿色的是Vgs驱动电压,黄色的是Vds漏极源极电压,请问为什么Vds那么晚才上升,比Vgs晚了那么久
2018-11-19 11:29:47
越快,损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。4、MOS管驱动跟双
2019-07-05 08:00:00
越快,损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。4、MOS管驱动跟双
2019-07-05 07:30:00
,损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。4、MOS管驱动跟双
2019-07-03 07:00:00
最近在做一个Mos管驱动产品,发现发烫得厉害,然后参考了其他竞品发现都有增加这么一个二极管,依样增加上去后就不烫了,这就是是什么原因呢?在网上找到了原因,如下:再看MOS管本身DS极间也有个二极管
2021-09-14 07:49:42
老规矩先放结论:与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如:驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻,栅极电阻降低了充电功率,延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度;结电容放电时经
2021-11-16 08:27:47
mos管的驱动电流如何设计呢
如果已经知道MOS的Qg
恒压模式下如何设计驱动管的电流
恒流模式下设置多大电流呢
2023-06-27 22:12:29
如图所示,VT1是驱动管,串联式调整管是由VT3和VT2构成达的林顿管,书中有这句话“当输出电压Uo降低是,Uq和Ur均降低,因驱动管电流增大,故调整管的压降减小,使输出电压升高”1.驱动管电流为何增大?2.调整管的压降为什么会减小?
2020-06-05 14:39:57
`驱动器DRV8305和mos管可以接不同的电压输入吗?如图`
2018-05-22 18:00:15
桥设置死区的地方,本来应该低电平的,却有一个足以驱动MOS管的脉冲电压,导致MOS管发热严重。想问问各位大神,是什么原因,有什么办法解决呢?谢谢。图中的畸变还不算厉害,但强电电压上去后,就很高了。
2016-06-23 08:25:22
mos管并联可以增大电流能力,并联MOS管需要注意mos管的哪些特性,比如开通关断延迟时间,开启电压?下面的连接正确吗?
2022-07-29 14:11:58
`在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为
2015-12-21 15:35:48
的10k电阻的连法是不是会影响G的静电往S释放?10k电阻是不是应该直接连接G,S之间更好?2.pwm引脚在驱动mos的时候,因为mos管是电压驱动,所以输出电流是不是很小?如果是这样那单片机应该不是因为过流而烧毁吧?真正烧毁的原因是什么呢?大家能帮我分析分析单片机莫名其妙烧掉的原因嘛?谢谢大家!
2016-12-08 23:15:14
现在是通过三极管驱动mos管来控制灯的亮度。 问题是MOS管会很烫,三极管长时间使用后就会烧掉。途中LED电流为3A,VDD为24V mosfet为IRF640。
2018-09-18 11:23:08
如图所示,这个是我的驱动电路及半桥逆变电路。现在用差分探头示波器对上管进行测量,发现MOS管驱动电压Vgs的幅值会随着+310V的供电电压的不同而不同(即+310V供电电压为30V时,Vgs会变成
2019-07-12 04:11:58
为什么在mos驱动电路中稳压管与电机并联的时候电压突然减小
2023-11-08 07:36:38
如图所示,这个是我的驱动电路及半桥逆变电路。现在用差分探头示波器对上管进行测量,发现MOS管驱动电压Vgs的幅值会随着+310V的供电电压的不同而不同(即+310V供电电压为30V时,Vgs会变成
2019-07-16 02:49:22
电容充电,充电峰值电流会超过了单片机的 I/O 输出能力,串上 R17 后可放慢充电时间而减小栅极充电电流。 第三,当栅极关断时,MOS管的D-S极从导通状态变为截止状态时,漏源极电压VDS会迅速增加
2023-03-10 15:06:47
什么是MOS管?MOS管的工作原理是什么?MOS管和晶体三极管相比有何特性呢?
2022-02-22 07:53:36
保护IC驱动不了MOS管,放电的时候MOS管有电压,可是流过的电流很小是怎么回事呀?麻烦哪位知道的帮忙解答一下。
2016-09-13 14:24:24
稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。 同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工
2016-12-26 21:27:50
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计
2020-09-08 23:04:34
1.mos管漏源极电压只要是不超过最大值就可以导通对应的电压吗?2.mos驱动芯片如IR2110,其供电的VCC电压只要不超过手册的最大值且大于最小值就可以随意取吗?
2021-04-06 20:34:12
都怕静电; Mos开关原理(简要):Mos是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
时,Q1也是截止的,此时Q1的发射极(Q2的发射极)也应该不会是高电平吧!那为什么Q2会导通? 电路是怎样去驱动mos管的 2. 如果图腾柱电路的输出是悬空的,就是不接mos管的情况下,电路还能正常工作吗? 3. 三极管Q1、Q2集电极发射极路径不需要接任何电阻吗?
2017-03-16 17:41:03
在一张图中,源漏相连,衬底接地,栅极接入电路中加电压,那这个时候MOS管是有什么作用呢?那为什么要用MOS而不直接用一个电容呢?这个地方加一个MOS电容的作用是什么呢,滤波?
2021-06-24 06:28:33
怎样去使用MOS管?如何去实现MOS管的精确控制呢?
2021-10-09 08:36:20
,驱动电压越高,实际上导通电阻略大,而且最大导通电流也略大。根据经验,一般Vgs设为12V左右。如何增强管子的带载能力呢?除了选择本身漏源电流比较大MOS管外,还可以采用MOS管并联的方式。并联时自动均流
2023-02-16 15:21:14
如何测量n沟道mos管的开启电压和电导常数呢?求大神解答
2023-03-15 17:22:46
如下图,采用单片机他激方式驱动雾化片,有时驱动MOS管会很烫,有什么方式实现软开关驱动,并且频率随时调整或者通过自激振荡谐振在陶瓷片的谐振频率上,求高手回答! 一定要软开关驱动,保证MOS管不烫。
2019-04-09 09:18:12
这个我不设计一个放电电阻,这个gs端的结电容是不是一直会存在这个开通电压值?那么这个MOS管是不是会保持一段长时间的开通?
2019-08-22 00:32:40
一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话,MOS管开关速度越快越好,因为
2019-04-29 08:00:00
开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡该如何降低呢?
2023-05-09 14:54:06
怎样去计算MOS管栅极的驱动电流呢?如何对MOS管的驱动波形进行测试呢?
2021-09-28 07:36:15
开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 4、MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压
2018-10-18 18:15:23
下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较
2018-10-19 15:28:31
MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。 同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较
2018-12-03 14:43:36
开始上升,此时MOS管进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时ld已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOS管进入电阻区,此时
2018-12-19 13:55:15
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计
2019-02-22 10:46:45
`大家好,我在做一个简单的低端驱动,使用mos管驱动电磁阀,电路及参数如下图,mos管G极信号是0-12V。现在的问题是当mos管打开时,DS两端电压会逐渐上升,至6v左右,下图中黄线为控制信号,紫线为DS电压。请问这种现象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降
2018-10-26 14:32:12
的栅极驱动电阻隔离驱动,主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡,起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢?如果取值过小,可能就起不到防止各个MOS管的寄生振荡的作用,如果取值大了,开关速度会变慢,由于每个
2018-11-28 12:08:27
BVDSS,即便这个尖峰脉冲电压的持续只有几个或几十个ns,功率MOS管也会进入雪崩从而发生损坏。 不同于三极管和IGBT,功率MOS管具有抗雪崩的能力,而且很多大的半导体公司功率MOS管的雪崩能量在生
2018-11-19 15:21:57
耦合后会在MOS管的栅极输入端产生振荡电压,振荡电压会破坏MOS管的氧化层。 三、MOS管导通和截止的瞬间,漏极的高电压会通过MOS管内部的漏源电容偶合到功率MOS管的栅极处,使MOS管受损。 四
2018-10-19 16:21:14
的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷,从而恢复被耗尽的N型特性,因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率,因而导通电阻较常规MOS管将明显降低。 通过以上分析可以看到:阻断电压与导
2018-11-01 15:01:12
或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压
2018-11-12 14:51:27
转贴在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为
2017-12-05 09:32:00
通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失,降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。MOS管驱动跟双极性晶体管相比,一般认为使
2017-08-15 21:05:01
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为
2018-11-27 13:44:26
小弟最近用2104和59n25搭了一个单桥电机驱动(用于pwm调速),现在用12v电源供电,一切正常,但这个电路最终要应用在12到50v之间(给MOS管驱动电机的电压),查阅2104手册,发现
2014-11-25 21:25:51
MOS管的门极开通电压典型值为多少伏?那么IGBT的门极开通电压典型值又为多少伏呢?
2019-08-20 04:35:46
网上基本都是说,当MOS关断时,漏感会产生尖峰电压。那我想问下,当MOS管开通时,这个漏感就不会对MOS管产生影响吗?
2018-12-20 14:12:20
ncp81074a这个mos管的驱动看不太懂,为啥珊级要加两个电阻,OUTL和OUTH不是是驱动两个mos管吗?只用一个电阻不行吗?
2020-08-10 10:34:51
我做了个高端驱动的MOS管,然后连的atmega328p。但是现在的问题是低Vgs的时候MOS管不会完全打开。比如这个电路的Vgs大概是在5V左右,但是门极和源极之间测得的电压只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS管,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里
2021-10-29 08:34:24
作者:姜维老师(张飞实战电子高级工程师)Mos管驱动有多种方式,有专用驱动芯片驱动,也有用其他的器件搭建的驱动,下面就讲解下目前比较流行的几种驱动方式。最简单的方式就是电源管理芯片直接驱动,电源芯片
2021-06-28 16:44:51
MOS管驱动电压最大是多少?过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为:du超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下,沟道才会形成,MOS管才会
2021-11-07 13:21:0319
评论
查看更多