双路高速MOSFET驱动芯片TPS2812的基本介绍

1.基本介绍

今天和大家分享一颗双路高速MOSFET驱动芯片-TPS2812的一些设计知识。这颗芯片是TI公司的一款驱动芯片，工业级。这颗芯片内部集成了一颗LDO,最高可以支持到40V的电压，-40到125度的工作温度。

TPS2812芯片集成一颗LDO，输入电压14V到40V,可以支持两路的信号输入，最高可以同时控制2路MOSFET.

TPS2812内部的框图是由LDO和逻辑门组成，知道这个可以在分析逻辑时，分析自己的设计输入和输出的时序图。

 

 

2.TPS2812 引脚分布：

 

 

1.REG_IN: LDO调节器的输入端

1IN: 输入信号1通道

GND: 公共地

2IN: 输入信号2通道

5.2OUT: 输出信号2通道

6.VCC: 电源供电引脚

1OUT: 输出信号1通道

REG_OUT: LDO调节器的输出端

3.电路设计注意要点：

(1)在MOSFET驱动的时间上，是可以调节的，文中标注的25ns和40ns是在1nf负载和14V供电电源的前提下，因此在不同的负载时，其上升沿和下降沿的时间是会变化的，在设计时，可以预留调节的器件位置，方便后期调整。

(2)REG_IN和REG_OUT这个LDO不使用时，可以悬空处理(这样最简单)，而且在VCC输入电源是供给逻辑输入和输出的输入，在连线时，注意和REG_IN分开。也可以利用集成的LDO进行稳定VCC电压，因为LDO的输入有小浮动波动，也会保持REG_OUT稳定在11.5V(典型值)。

(3)注意电路设计时VCC输入电压不能超过14V，而且在VCC=5V，VCC=10V,VCC=14V时，输出的电压是不同的，这个根据驱动的MOS的VGS电压调整。

(4)在设计1OUT和2OUT输出电压时，要注意对MOSFET的VGS电压的应用，如果输出电压不能够完全打开MOSFET，则MOSFET会急剧发热，直至烧坏MOSFET。

(5)芯片的输入高阻抗达到10的9次方Ω，内部集成施密特触发开关，这也使得对噪声有比较高的抵抗能力。

(6)在VCC与GND之间一定要增加0.1uf电容，作为滤波和缓冲高速开关切换产生的瞬时浪涌电流，实际可以酌情增加一个10uf电容。

(7)在集成LDO输入增加0.1uf电容，输出0.1uf和4.7uf电容，以优化LDO性能。

(8)如果使用芯片驱动MOSFET从而控制感性负载时，一定要给负载断开时提供能量的续流回路，否则会烧坏器件。

4.原理图PCB封装：

 

 

 

 

审核编辑：汤梓红