R系列IGBT-IPM的内部结构电路
2010-02-18 21:59:51
1805 
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成
2010-11-09 17:01:073893 
目前国内大部分生产厂商已经采用IGBT结构的感应加热电源，这种结构的加热电源能够维持长时间高效工作，且安全性比较高，因此比较受到生产商和消费群体的欢迎。
2016-03-18 11:36:361559 随着快充市场的飞速发展和竞争加剧，对整体方案降本的要求更加严苛，为了更好地支持客户提升竞争力与优化性价比，晶丰明源推出了契合市场需求、集成具有IGBT结构的复合功率管快充方案：BP87112&BP6211B，帮助客户在内卷化的竞争中赢得先机。
2022-07-10 11:35:352309 IGBT 功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗，这些损耗以热的形式耗散，使得在 IGBT 功率模块封装结构产生温度梯度。并且结构层不同材料的热膨胀系数( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差较大
2022-09-07 10:06:184436 为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子
2023-01-17 13:59:2912950 
IGBT，中文名称绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。
2023-02-20 17:21:123602 
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，翻译为绝缘栅双极晶体管，是一种高性能功率半导体器件。它结合了MOSFET和双极晶体管的优点，具有MOSFET输入电阻低、双极晶体管输出电流大的特点，是目前常用的高压、大电流开关器件之一。
2023-02-28 18:12:262207 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前MOS-双极型功率器件的主要发展方向之一。
2023-09-22 16:54:103344 
IGBT的结构中绝大部分区域是低掺杂浓度的N型漂移区，其浓度远远低于P型区，当IGBT栅极施加正向电压使得器件开启后
2023-11-28 16:48:01596 
IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个 P+基板（IGBT 的集电极），形成PN 结 J1，并由此引出漏极，栅极和源极则完全与MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12786 
VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。导通IGBT硅片的结构与功率
2012-07-09 14:14:57
、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。 本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出
2011-11-25 15:46:48
而言，其工作频率在 20KHz 以下，工作电压在 72V 以下，故 IGBT 和 Mosfet 都可以选择，所以也是探讨比较多的应用。**特性对比： **Mosfet 和 IGBT 在结构上的主要差异
2022-09-16 10:21:27
目前国内大部分生产厂商已经采用IGBT结构的感应加热电源，这种结构的加热电源能够维持长时间高效工作，且安全性比较高，因此比较受到生产商和消费群体的欢迎。然而。虽然国内采用IGBT取代晶闸管和电子管
2018-10-09 14:30:21
技术取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐压、耐温更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的电压、电流承载能力，而无需再使用更为复杂的IGBT结构。在电动汽车、轨道交通领域
2023-02-16 15:36:56
IGBT模块在列车供电系统中的应用及保护 摘 要：介绍了IGBT模块的结构、特点及其在列车供电系统中的应用，探讨了对IGBT的保护问题。 关键词：IGBT;应用;保护 2O世纪8O年代初
2012-06-01 11:04:33
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的内部结构是怎样组成的？IGBT的特点有哪些？
2021-10-15 06:01:58
的。IGBT故障的原因是什么？IGBT的故障模式表现为某些关键电气参数退化（例如漏电流、阈值电压）或功能丧失（无法关闭）。故障原因可能是由于环境条件或操作条件造成的。IGBT是晶闸管吗？虽然IGBT的结构
2023-02-02 17:05:34
以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 2、传统的功率MOSFET为了等一下便于理解IGBT，我还是先讲下Power MOSFET的结构。所谓功率MOS就是要承受大功率
2020-08-09 07:53:55
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31:16
，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和
2019-03-27 06:20:04
的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。另外，IGBT和MOSFET在栅极和其他端子之间都有绝缘，两种器件全部具有较高的输入阻抗。在应用中，IGBT和MOSFET都可以用作静态电子开关。 在结构
2022-06-28 10:26:31
H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构
2019-11-05 06:25:44
和IGBT的结构特点MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合
2022-04-01 11:10:45
、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 MOS管与IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示
2020-07-19 07:33:42
、中、右图分别为传统IGBT、二极管和RC-IGBT的结构示意图。图中的RC-IGBT为双向导电IGBT基本的结构。该结构基于IGBT的薄片工艺，将二极管的阴极集成到IGBT的阳极中，于是传统IGBT
2019-09-26 13:57:29
的基础上，讲解了IGBT的结构和工作特性、IGBT模块化技术、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路实例等内容。《IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例》题材新颖实用、内容丰富
2021-07-24 17:13:18
`本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件
2015-05-29 10:47:00
和总结了IGBT的典型应用电路设计实例，以供从事IGBT应用电路设计的工程技术人员在实际设计工作中参考。全书共分为6章，在概述了IGBT的发展历程与发展趋势的基础上，讲解了IGBT的结构和工作特性
2022-02-17 11:29:03
不一样了。。。故事，就从这儿说起吧。。。史前时代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重掺杂的P+衬底作为起始层，在此之上依次生长N+ buffer, N- base外延，最后在外延层表面形成元胞结构。它
2021-05-26 10:19:23
近几年，国内IGBT技术发展也比较快，国外厂商垄断逐渐被打破，已取得一定的突破，国内IGBT行业近几年的发展大事记：（1）2011年12月，北车西安永电成为国内第一个、世界第四个能够封装6500V
2021-03-22 19:45:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 编辑
有哪位高手可以解释一下N- LAYER , N+ BUFFER LAYER , 以及P+衬底的作用，希望能够详细一点，我在晚上实在查不到，如果可以的话，按这张图的每一个区都解释下，十分感谢！{:soso_e101:}
2011-09-08 23:52:42
优化工艺，将PWell拐角——即电场最强处的N型区去掉，达到了既能降低IGBT的VCEsat，又不明显降低IGBT的耐压的目的。（a）SPT IGBT结构示意图（b）SPT+ IGBT结构示意图图
2015-12-24 18:23:36
电动汽车、风能/太阳能逆变等所需的核心器件。2、IGBT特性简介图 1 功率MOSFET和IGBT结构示意图IGBT是通过在功率MOSFET的漏极上追加一层P+层而构成的，其理想等效电路如下图所示：图 2
2015-12-24 18:13:54
模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT 结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。2.混合动力车辆中功率半导体模块的要求1）工作环境恶劣（高温、振动）IGBT位于逆变器
2018-12-06 09:48:38
、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。 IGBT结构 上图所示为一个N沟道增强型绝缘栅
2019-03-05 06:00:00
绝缘栅双极晶体管基础IGBT结构及工作原理IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率
2009-05-24 16:43:05
），到现在的超结IGBT（SJ-IGBT），新结构层出不穷，并且正在向功率器件集成化和智能功率模块方向发展。今天我们来聊一聊一种具有双向阻断能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
IGBT资料包含了以下内容：
IGBT 的基本结构IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效应和安
2007-12-22 10:41:42
251 AtecD 系列高频/AtecF 系列中频感应加热电源
1、AtecD 高频和AtecF 中频系列产品简介AtecD高频和AtecF 系列中频感应加热电源为新型DSP＋IGBT 结构的高效节能产品；该产品为IGB
2010-04-07 10:34:5167 简要介绍绝缘栅极晶体管（IGBT）的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用。重点讨论IGBT模块在铁路客车DC600V供电系统逆变器中的应用与保护。IGBT模块具有损耗小，便于组装，开
2010-12-25 17:20:09101 IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
1．1 IGBT的结构特点
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211331 
IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路
2010-02-17 17:21:381855 
D型IPM的结构及IGBT的等效电路
2010-02-17 23:20:201442 
IGBT的结构和工作原理
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅
2010-03-04 15:55:315186 汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用
针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231302 
1.IGBT的基本结构
绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国
2010-05-27 17:29:3812136 
AtecD高频和AtecF系列中频感应加热电源为新型DSP＋IGBT结构的高效节能产品；该产品为IGBT逆变、并采用DSP进行全数字式精确控制，在各种工况下能始终保证IGBT工作在ZCS开关状态；全空冷结构降低了系统损耗，并彻底消除了设备来自水系统的故障；完善的限制保护
2011-02-27 21:32:3497 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-05-03 10:15:387851 GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。
2017-06-05 17:01:133268 本文主要介绍了IGBT的结构、工作原理以及如何用万用表判断IGBT的好坏。IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
2018-01-12 09:30:5959643 
提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学，对IGBT电气特征量一一集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能
2018-01-16 15:59:324 沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同，沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差
2018-02-01 14:25:100 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2018-06-28 09:51:43154740 
IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的开通过程。
2019-01-01 15:04:0048899 
NPT-IGBT 结构虽然没有缓冲层，但是它的反向阻断能力依然很差，因为芯片的尺寸是有限的，在切割芯片时，如果切割线穿过了承受高压的pn结，晶格损伤和应力会引起很大的反向漏电流，导致击穿电压和长期稳定性的降低。
2018-12-28 15:55:2714571 
因为最近工作中比较多的涉及到IGBT，所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点，当然只是从我们比较关心的几点出发，概括性地来说一说。而没有深入到物理参杂等方面，希望可以对你们有所帮助。
2019-06-29 09:44:2329519 
场阻型IGBT（Field-Stop IGBT，FS-IGBT）是近年来出现的一类非常重要的IGBT结构，FS层能实现通态损耗与器件耐压以及通态损耗与开关损耗之间的良好折中，因此FS型IGBT已经
2019-12-19 17:59:0025 绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会 IEC ／ TC （ CO ） 13 3 9 文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。
2020-01-08 16:39:0012 IGBT的结构多种多样，但从纵向结构来看可归为穿通型，非穿通型。这两类IGBT的划分依据为：临界击穿电压下Pbase-Ndrift结耗尽层的扩展是否穿透了N-基区。
2020-04-10 10:21:379421 
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000个单元（50V功率MOS-FET）或者50.000单元（1200VIGBT）。
2020-05-02 17:47:002596 本文档的主要内容详细介绍的是IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明包括了：IGBT 的基本结构，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效应和安全工作区，IGBT 的驱动与保护技术，集成
2020-09-10 08:00:0019 电子发烧友网为你提供详细的介绍IGBT的结构及应用特点，收藏以后用得上资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-12 08:53:3117 IGBT的结构 一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间
2021-06-12 17:22:007913 大家好，今天我们聊一下IGBT模块内部结构。IGBT作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛，被誉为半导体皇冠上的明珠。作为一名电力电子打工
2022-04-20 11:19:5619847 的典型应用电路设计实例， 以供从事 IGBT 应用电路设计的工程技术人员在实际设计工作中参考。 全书共分为 6 章， 在概述了 IGBT 的发展历程与发展趋势的基础上， 讲 解了 IGBT 的结构和工作特性。
2022-04-24 17:39:2235 IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
2022-08-18 16:37:464063 事实上IGBT的结构与MOSFET十分接近，只是在其背面增加了N+和P+层，“+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOSFET优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。
2022-08-22 15:57:201421 IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。
2022-10-09 09:19:472989 高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。 IGBT的结构 IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率管MOSFET的N+基板(漏极)上
2023-02-22 15:00:120 为了更好了解IGBT，下面我们再来看看它的内部结构：一般，IGBT 有三个端子：集电极、发射极和栅极，他们都是附有金属层。但是，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。IGBT结构其实就相当于是一个四层半导体的器件。四层器件是通过组合 PNP 和 NPN 晶体管来实现的，它们构成了 P-N-P-N 排列。
2023-02-22 15:58:183058 
）；2.双极型：基于PN结的电力二极管、晶闸管、 GTO、GTR 。3.复合型： IGBT(绝缘栅型晶体管) GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其流通能力很强，但开关速度较慢，所需
2023-02-23 09:18:560 在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下
2023-02-23 16:03:254 本文首先介绍了 IGBT 技术的研究现状，并对 IGBT 不同结构的特点和电学特性做了简要阐述；最 后列举了一些最新的研究成果，并探讨了 IGBT 的 相关问题，最后对 IGBT 未来的发展方向做了总结展望。
2023-02-24 09:45:072816 在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和电场截止型（field stop，FS），使器件的整体性能不断提高。
2023-05-06 17:44:241224 
一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程
2023-05-25 17:16:251262 
贞光科技从车规微处理器MCU、功率器件、电源管理芯片、信号处理芯片、存储芯片、二、三极管、光耦、晶振、阻容感等汽车电子元器件为客户提供全产业链供应解决方案！IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种功率
2023-03-30 17:33:362481 
激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发
2023-05-16 10:45:11897 
IGBT : 是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。 编辑：黄飞
2023-07-07 09:36:321089 
对于对称IGBT结构，N基区宽度为200μm，通态集电极电流密度为100Acm-2，P+集电区/N基区结处空穴浓度(P0)，计算得到空穴载流子密度。
2023-07-07 14:48:58190 
IGBT由BJT (双极性三极管)和MOSFET (绝缘栅型场效应管)复合而成
BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :双极性晶体管(晶体三极管)，“双极性"是指工作时有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电。
2023-07-27 10:12:08487 
超结IGBT的结构特点及研究进展
2023-08-08 10:11:410 在现今IGBT表面结构中，平面型和沟槽型可谓是各占半壁江山。很多读者第一次接触到这两个名词的时候，可能会顾名思义地认为，平面型IGBT的电流就是水平流动的
2023-10-18 09:45:43275 
IGBT在控制极上加正电压可以控制导通，电压为0时可以让其关断，那么加一个反压呢？IGBT会是什么情况？ 关于IGBT在控制极上加反压的情况，我们需要探讨IGBT的结构、工作原理以及反压对其产生
2023-10-19 17:08:11861 MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
等领域。尽管它们有一些相似之处，但在结构、特性和应用方面存在显著的差异。 首先，让我们来看一下IGBT的基本结构。IGBT是一种三极管型器件，结合了MOSFET的驱动能力和双极型晶体管的低导通压降特性。它由一个P型衬底、一个N型集电极、一个P型独立栅控极和一个N型漂移区组成。IGBT的工作原理
2023-12-19 09:56:33575 开关器件。虽然它们的名称相似，但在构造、原理和应用方面存在一些不同之处。 结构与构造差异： IGBT是一种由晶体管和MOSFET结合而成的双极型功率开关器件。它由三个控制结构——门级结、PN结和PNP
2023-12-25 15:09:09399 IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
、电动汽车等领域，是现代电力电子技术的核心元件之一。 IGBT的结构主要包括四层：P型衬底、N型发射层、P型基区和N型集电区。其中，P型衬底和
2024-01-03 15:14:22272 
本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新1200 V IGBT和二极管技术。该IGBT结构基于全新微沟槽技术，与标准技术相比，可大幅减少静态损耗，并具备高可控性。而二极管因为优化了场截止设计，其振荡发生
2024-01-09 14:24:50234 
电子和工业控制系统中。它是一种用于高电压和高电流应用的开关和放大器。 IGBT的基本结构由四个掺杂的半导体层组成：N型沟道、P型基区、N型漏结和P型栅结。控制其导通和截止状态的是其栅极。当IGBT栅极电压低于阈值时，它处于关闭状态，没有电流通过。当栅极电压高于阈值时，形成电场，电流可以流过
2024-01-22 11:14:57274 绝缘层位于IGBT的N区表面，通常使用氧化硅（SiO2）等绝缘材料，用于隔离控制电极（栅极）与功率电极（P区和N+区）。
2024-02-06 10:29:19226 
在栅极相对于发射极施加正电压（VGE），可以使集电极与发射极之间导通，从而流过集电极电流（IC）。 下面提供了表示IGBT结构的简化示意图（截面图）和等效电路图。蓝色箭头指示了集电极电流（IC）的流向。通过与旁边的等效电路图进行比较，可以更好
2024-02-06 16:14:54308 
场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点，具有高频特性和大电流承受能力。然而，IGBT的短路耐受时间只有10微秒，下面将详细解释这个现象。 首先，我们需要了解IGBT的结构。一个典型的IGBT包括一个npn型BJT和一个PMOSFET，它们共同组成了一个三层结构。BJT用于控制大电
2024-02-18 15:54:55250 IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
电子发烧友App
工商网监
评论