约2 mm的8英寸碳化硅晶片。 Hobby点评：今年一月，国内烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，而仅仅几个月后，国产碳化硅衬底就再传来了好消息。碳化硅器件的成本中，衬底占比超过40%，所以碳化硅衬底尺寸提高，单位衬底上制造出
2022-05-07 00:55:00
3759 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）新能源汽车市场规模急剧上涨，对于碳化硅产业而言，上游产能扩充是现今各大厂商所一直努力的方向。可以看到过去一年里，海内外都持续投入到包括碳化硅上游衬底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076 摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 
严重供不应求。增加产能的有效方法就是提高衬底尺寸，目前碳化硅衬底尺寸正在从6英寸往8英寸发展。 全球最大的碳化硅衬底供应商Wolfspeed，今年4月刚刚开始在全球首个8英寸碳化硅晶圆厂试产，预计今年年底可以向客户供货。8英寸
2022-09-07 07:56:002422 空间大 国内碳化硅产业近年来发展神速，首先是碳化硅衬底上6英寸衬底的量产以及8英寸衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距，另一方面是产能扩张上的投入越来越大。这使得国内在全球碳化硅产业中，无论是从市场需求，还是
2023-12-12 01:35:001178 氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。碳化硅（SiC）的应用碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，应用最广
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近几年的快速发展 近几年来，低碳生活也是随之而来，随着太阳能产业的发展，作为光伏产业用的材料，碳化硅的销售市场也是十分火爆，许多磨料磨具业内人开始关注起碳化硅这个行业了。目前碳化硅制备技术非常
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
商用。 碳化硅肖特基二极管从2001年开始商用，至今已有20年商用积累，并在部分高中端电源市场批量应用，逐步向通用市场渗透，具备广阔的市场前景。 碳化硅材料在禁带宽度和临界击穿场强等关键特性上具有
2023-02-28 16:55:45
的小电流，因此碳化硅肖特基二极管的开关损耗比硅快速恢复二极管更低。使用碳化硅肖特基二极管可以减少损耗，能快速稳定实现器件的正反切换，提高产品的效率和降低产品噪音，同时易于改善EMI。 以下测试结果
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
Wolfspeed通过领导基于碳化硅和氮化镓的下一代系统的创新和商业化，将电力和无线系统从硅的局限中解放出来。Wolfspeed用于电力和射频（RF）应用的宽频带半导体产品通过提高效率、提高开关
2019-03-13 09:19:18
最大的努力，做的更好！！！价格做得最低！！！品质做的最好！！！速度做得最快！！！从9月20号起公司大幅度降价[/td][/td][/td]我公司小批量｛双双面板｝价格为480-650平米，2个平米以下
2011-05-09 10:47:15
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
能在不影响产量的情况下，制造出10寸的晶片。大尺寸的块状基板（如下图所示）。森教授认为，与目前的碳化硅基板相比，其成本相当，而且能达到更大的尺寸。日本大坂大学、丰田公司等公司，都参与了日本环保部的“在
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应用中的第一步，但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。碳化硅器件的这些优良特性，需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接，才能得到完美展现，而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
范围-5V~-15V，客户根据需求选择合适值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 优先稳定正电压，保证开通稳定。 2）碳化硅MOSFET：不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低，但目前技术还不完善。 从LED成本上来看，用
2012-03-15 10:20:43
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本人维修线路板，有懂贴片元件怎样识别和小批量购买？请大师帮忙
2020-03-11 03:23:08
中芯国际力争在2010年实现45纳米小批量试产
2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发；同时力争实现45纳米和40纳米技术的小批量试产
2010-03-08 09:33:16471 半导体制备技术。近日，记者在区内企业世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产，研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域，实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。
2019-11-09 11:32:515219 据中央纪委国家监委网报道，目前，中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。 此外
2020-06-09 18:58:422344 碳化硅衬底生产的国外核心企业，主要是美国CREE，美国 II-VI，和日本昭和电工，三者合计占据75%以上的市场。技术上，正在从 4 英寸衬底向 6 英寸过渡，8 英寸硅基衬底在研。
2020-10-19 14:59:079808 国投创业官方消息显示，第三代半导体碳化硅单晶衬底企业河北同光晶体有限公司（简称“同光晶体”）完成A轮融资，投资方包括：国投创业等。本轮融资助力同光晶体实现涞源基地6英寸碳化硅衬底项目快速扩产和现有产品优化提升。
2020-12-03 11:05:153054 随着下游新能源汽车、充电桩、光伏、5G基站等领域的爆发，引爆了对第三代半导体——碳化硅材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求，国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局碳化硅产业，今天我们首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 高端数字化智能工厂。 该基地将于2022年3月进行小批量试生产，年中实现量产交付，2022年产能为25万只模块，2025年之前将提升至150万只。 本文图源 基本半导体 这是基本半导体针对即将迎来爆发期的新能源汽车碳化硅市场，提前布局、抢
2021-12-31 10:55:432797 
国产替代给力 大族激光光刻机已小批量销售 台积电2nm的工艺都要在2025年投产；不知道2nm的工艺需要什么样的高端光刻机才做得出来。我们看到国产化好消息是，大族激光的光刻机已实现小批量销售
2022-04-19 17:32:217948 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 双方同意对Soitec技术进行产前验证， 以面向未来的8寸碳化硅衬底制造 提供关键半导体赋能技术，支持汽车电动化和工业系统能效提升等转型目标 意法半导体(简称ST)和世界先驱的创新半导体材料设计制造
2022-12-08 12:22:48616 前言：碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节，目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，根据Yole数据显示，Cree、英飞凌、罗姆约占据了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上，浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:45
2 晶锭进过晶圆切磨抛就变成碳化硅二极管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅衬底；再经过外延生长就变成碳化硅外延片，也就是雏形的芯片。碳化硅外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、CVD、PVD背面减薄、退火变成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:041284 按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483430 
从实际情况上看，目前多数SiC都采用的4英寸、6英寸晶圆进行生产，而6英寸和8英寸的可用面积大约相差1.78倍，这也就意味着8英寸制造将会在很大程度上降低SiC的应用成本。但为什么目前市场上主流还是6英寸碳化硅衬底？
2023-06-20 15:01:24765 
碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节，衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据，碳化硅器件的成本构成中，衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别占比为 47%，23%，19%，6%，5%，衬底+外延合计约 70%
2023-06-26 11:30:56733 
碳化硅衬底是碳化硅产业链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期，受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动，碳化硅厂商纷纷投资建设8英寸晶圆生产线，。国内外厂商如Wolfspeed、罗姆、英飞凌、意法半导体、三星和三菱电机等都宣布参与8英寸碳化硅生产的竞争。
2023-07-14 16:22:58690 从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，较2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化镓）产能2,000片/月。其6英寸碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证，并实现批量出货，且2023年、2024年供应已基本锁定。
2023-09-14 11:14:541009 碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:06529 
2023年9月，科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底成功下线。
2023-10-18 09:17:46404 科友半导体8英寸碳化硅（SiC）中试线在2023年4月正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。
2023-10-18 17:43:40724 业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21969 三安光电10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅产品上取得阶段性进展，实现8英寸衬底准量产，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。
2023-10-25 14:55:04411 在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:57931 环球晶董事长徐秀兰10月26日表示，她2年前错估了客户对8英寸碳化硅（SiC）需求，现在情况超出预期，她强调环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设，预估明年将送样给需要8英寸基板的客户进行认证，并于2025年量产。
2023-10-27 15:07:43394 碳化硅衬底，新能源与5G的基石
2023-01-13 09:07:403 单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；
2023-12-05 15:26:53561 
晶盛机电公司决定从2017年开始，碳化硅生长设备及技术研发（r&d）开始，通过研究开发组的技术攻坚，2018年，公司成功开发了6英寸生长碳化硅决定，2020年长征及加工研发试验生产线建立。”
2023-12-06 14:08:17379 线路板生产该选大批量还是小批量？
2023-12-13 17:22:10335 自2019年4月在江苏南京建立以来，超芯星专注于6至8英寸碳化硅衬底技术的研发和商品化。其创始者为刘欣宇博士，他具有丰富的海内外产业化经历以及广阔的国际视野，为1至6英寸碳化硅衬底的研究和商业化注入独特见解。
2023-12-14 10:05:56389 碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
国内主要的碳化硅衬底供应商包括天岳先进、天科合达、烁科晶体、东尼电子和河北同光等。三安光电走IDM路线，覆盖衬底、外延、芯片、封装等环节。部分厂商还自研单晶炉设备及外延片等产品。
2024-01-12 11:37:03864 
在这次考察中，考察团主要针对博蓝特公司计划将其第三代半导体碳化硅衬底项目引入到延陵镇，这笔交易总预算高达十亿元人民币，其中包括两年内生产 25 万片六至八英寸碳化硅衬底的能力。如果按照企业预期估算，该项目完成后每年潜在销售额将达到 15 亿元。
2024-01-19 13:57:20787 平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31337 聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
2024-03-22 09:39:2974 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近期国内碳化硅衬底供应商陆续获得海外大厂的订单，4月底，天岳先进在2022年年报中披露去年公司与博世集团签署了长期协议，公司将为博世供应碳化硅衬底产品
2023-05-06 01:20:002328 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年里，国内碳化硅产业经历了可能是发展速度最快的一年。首先是碳化硅衬底取得突破，8英寸进展神速，同时三安和天岳先进、天科合达等获得海外芯片巨头的认可，签下
2024-01-08 08:25:342171 
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