约2 mm的8英寸碳化硅晶片。 Hobby点评:今年一月,国内烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产,而仅仅几个月后,国产碳化硅衬底就再传来了好消息。碳化硅器件的成本中,衬底占比超过40%,所以碳化硅衬底尺寸提高,单位衬底上制造出
2022-05-07 00:55:00
4627 摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭,和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭,该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:38
2489 
严重供不应求。增加产能的有效方法就是提高衬底尺寸,目前碳化硅衬底尺寸正在从6英寸往8英寸发展。 全球最大的碳化硅衬底供应商Wolfspeed,今年4月刚刚开始在全球首个8英寸碳化硅晶圆厂试产,预计今年年底可以向客户供货。8英寸
2022-09-07 07:56:00
3503 空间大 国内碳化硅产业近年来发展神速,首先是碳化硅衬底上6英寸衬底的量产以及8英寸衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距,另一方面是产能扩张上的投入越来越大。这使得国内在全球碳化硅产业中,无论是从市场需求,还是
2023-12-12 01:35:00
2680 英寸和8英寸晶圆,可实现增加产量的同时,降低成本。 2024年10月16至18日,ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯展(SEMiBAY 2024)。在国际化合物半导体产业发展论坛上,ASM推出了最新推出的适用于碳化硅外延的新型双腔机台PE2O8。该产品专为满足先进碳化硅功率器
2024-10-17 14:11:31
830 
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8英寸的碳化硅晶圆产线也开始逐渐落地,进入试产阶段。 让
2024-11-21 00:01:00
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尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8英寸的碳化硅晶圆产线也开始逐渐落地,一些头部的衬底厂商已经开始批量出货。 而在去年11月,天岳先进一鸣惊人,发布了行业首款12英寸N型碳化
2025-04-16 00:24:00
2850 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在SiC行业逐步进入8英寸时代后,业界并没有停下脚步,开始投入到12英寸衬底的开发中。 去年11月,天岳先进率先出手,发布了行业首款12英寸碳化硅衬底;一个月后,烁
2025-05-21 00:51:00
7317 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年以来,各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品,包括晶锭和衬底,加速推进12英寸SiC的产业化。最近,天成半导体宣布成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料;晶越半导体也
2025-07-30 09:32:13
11754 16000片/月,配套产能即从衬底、外延、芯片制程,到封测的全流程产能。8英寸碳化硅衬底产能为1000片/月,外延产能2000片/月,目前8英寸碳化硅芯片产线已实现通线。 其中6英寸衬底和外延的工艺和良率持续优化,已经向国际客户稳定出货;8英寸
2025-09-09 07:31:00
1631 替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层,并最晚在2027年广泛应用。 碳化硅过去的主力市场是功率器件,但功率器件市场需求增速存在瓶颈,从6英寸到8英寸的进程花费时间较长,除了技术原因之外,市场需求也是其中的关键。 6英寸碳化硅衬底只能满足两副
2025-09-26 09:13:55
6424 电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅再迎来跨越式进展!9月26日,晶盛机电宣布,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正
2025-09-29 08:59:00
4709 的12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付瀚天天成。 相较于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍处于产业化推进阶段的8英寸晶片,12英寸晶片凭借直径的大幅增加,在相同生产流程下单片可承载的芯片数量显著提升分别为6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37
813 氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比,氧化镓的禁带宽度远高于后两者,其禁带宽度达到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小,可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性,反向恢复电流小,开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET,它的导通状态电阻很大,开关损耗很大,额定工作结温低,但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
,同比增长15.77%。2020年H1,中国集成电路产业销售额为3539亿元,同比增长16.1%。碳化硅(SiC)的应用碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前制造水平最成熟,应用最广
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近几年的快速发展 近几年来,低碳生活也是随之而来,随着太阳能产业的发展,作为光伏产业用的材料,碳化硅的销售市场也是十分火爆,许多磨料磨具业内人开始关注起碳化硅这个行业了。目前碳化硅制备技术非常
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
商用。 碳化硅肖特基二极管从2001年开始商用,至今已有20年商用积累,并在部分高中端电源市场批量应用,逐步向通用市场渗透,具备广阔的市场前景。 碳化硅材料在禁带宽度和临界击穿场强等关键特性上具有
2023-02-28 16:55:45
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
Wolfspeed通过领导基于碳化硅和氮化镓的下一代系统的创新和商业化,将电力和无线系统从硅的局限中解放出来。Wolfspeed用于电力和射频(RF)应用的宽频带半导体产品通过提高效率、提高开关
2019-03-13 09:19:18
能在不影响产量的情况下,制造出10寸的晶片。大尺寸的块状基板(如下图所示)。森教授认为,与目前的碳化硅基板相比,其成本相当,而且能达到更大的尺寸。日本大坂大学、丰田公司等公司,都参与了日本环保部的“在
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术,2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
家族中的新成员。 相较于前两代二极管,基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上,实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。碳化硅器件的这些优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
范围-5V~-15V,客户根据需求选择合适值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 优先稳定正电压,保证开通稳定。 2)碳化硅MOSFET:不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同
2023-02-27 16:03:36
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利,只有科锐一家使用,成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低,但目前技术还不完善。 从LED成本上来看,用
2012-03-15 10:20:43
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
半导体制备技术。近日,记者在区内企业世纪金光半导体有限公司(以下简称“世纪金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产,研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域,实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。
2019-11-09 11:32:51
5966 据中央纪委国家监委网报道,目前,中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产,6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证,预计年底达到产业化应用与国际水平相当。 此外,中电科
2020-06-09 18:58:42
2884 文章经授权转载自 财经要参(ID:mofzpy),作者:要参君 一 另辟蹊径! 于无声处听惊雷! 上海传来大消息:国产8英寸石墨烯晶圆,终于实现小批量生产! 在上海举行的国际石墨烯创新大会上,这一
2020-10-21 09:48:17
8881 国投创业官方消息显示,第三代半导体碳化硅单晶衬底企业河北同光晶体有限公司(简称“同光晶体”)完成A轮融资,投资方包括:国投创业等。本轮融资助力同光晶体实现涞源基地6英寸碳化硅衬底项目快速扩产和现有产品优化提升。
2020-12-03 11:05:15
3796 1月22日,众合科技在互动平台表示,海纳半导体目前已实现8英寸产品的小批量生产,暂无量产12英寸硅片产品,相关技术和产品正在积极研发中。 天眼查显示,海纳半导体成立于2002年,是众合科技的全资
2021-01-25 10:52:38
3615 随着下游新能源汽车、充电桩、光伏、5G基站等领域的爆发,引爆了对第三代半导体——碳化硅材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求,国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局碳化硅产业,今天我们首先
2021-07-29 11:01:18
5164 。 Hobby点评:今年一月,国内烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产,而仅仅几个月后,国产碳化硅衬底就再传来了好消息。碳化硅器件的成本中,衬底占比超过40%,所以碳化硅衬底尺寸提高,单位衬底上制造出
2022-05-07 09:41:35
2889 最近晶盛机电宣布,公司成功生产出行业领先的8英寸碳化硅晶体。翻看公司公告,在8月12日晶盛机电首颗8英寸N型碳化硅晶体就已经成功出炉,表示成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题。
2022-09-07 09:29:44
3278 双方同意对Soitec技术进行产前验证, 以面向未来的8寸碳化硅衬底制造 提供关键半导体赋能技术,支持汽车电动化和工业系统能效提升等转型目标 意法半导体(简称ST)和世界先驱的创新半导体材料设计制造
2022-12-08 12:22:48
1145 碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节,目前全球碳化硅市场基本被国外垄断,根据Yole数据显示,Cree、英飞凌、罗姆约占据了90%的SiC
2023-02-02 15:02:54
5134 全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节,已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:04
2505 碳化硅衬底 产业链核心材料,制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:48
6511 
从实际情况上看,目前多数SiC都采用的4英寸、6英寸晶圆进行生产,而6英寸和8英寸的可用面积大约相差1.78倍,这也就意味着8英寸制造将会在很大程度上降低SiC的应用成本。但为什么目前市场上主流还是6英寸碳化硅衬底?
2023-06-20 15:01:24
3321 
随着新能源汽车、光伏和储能等市场的快速发展,国内的碳化硅产业正迅速进入商业化阶段。国际功率半导体巨头对该产业表达了浓厚的兴趣,并与国内企业合作,积极追赶更先进的8英寸工艺节点。
2023-07-10 15:21:24
2655 碳化硅衬底是碳化硅产业链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期,受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动,碳化硅厂商纷纷投资建设8英寸晶圆生产线,。国内外厂商如Wolfspeed、罗姆、英飞凌、意法半导体、三星和三菱电机等都宣布参与8英寸碳化硅生产的竞争。
2023-07-14 16:22:58
1831 采用砂浆多线切割工艺加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶体,研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数,最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:31
4324 
从产能来看,湖南三安现有SiC产能15,000片/月,较2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化镓)产能2,000片/月。其6英寸碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证,并实现批量出货,且2023年、2024年供应已基本锁定。
2023-09-14 11:14:54
2322 2023年9月,科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底成功下线。
2023-10-18 09:17:46
1174 科友半导体8英寸碳化硅(SiC)中试线在2023年4月正式贯通后,同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设,加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。
2023-10-18 17:43:40
1457 业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21
2166 三安光电10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅产品上取得阶段性进展,实现8英寸衬底准量产,部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。
2023-10-25 14:55:04
1652 在碳化硅产业链中,碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节,是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:57
3651 环球晶董事长徐秀兰10月26日表示,她2年前错估了客户对8英寸碳化硅(SiC)需求,现在情况超出预期,她强调环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设,预估明年将送样给需要8英寸基板的客户进行认证,并于2025年量产。
2023-10-27 15:07:43
1115 碳化硅衬底,新能源与5G的基石
2023-01-13 09:07:40
3 晶盛机电指出,最近在公司举行的每年25万6、5为8英寸碳化硅衬底片项目合同及启动仪式为半导体材料方向,加快关键核心技术攻关,国产化替代这一措施标志着晶盛机电半导体材料的技术实力和市场竞争力得到了进一步提高。
2023-11-23 11:00:16
1248 11月上旬,罗姆株式会社社长松本功在财报电话会议上宣布,他们将在日本宫崎县的国富工厂生产8英寸碳化硅晶圆,预计将于2024年开始。
2023-11-25 16:07:34
1866 自2019年4月在江苏南京建立以来,超芯星专注于6至8英寸碳化硅衬底技术的研发和商品化。其创始者为刘欣宇博士,他具有丰富的海内外产业化经历以及广阔的国际视野,为1至6英寸碳化硅衬底的研究和商业化注入独特见解。
2023-12-14 10:05:56
1588 当前,大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:08
1964 
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31
1666 聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺,量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
2024-03-22 09:39:29
1418 作为技术应用最成熟的衬底材料,碳化硅衬底在市场上“一片难求”。碳化硅功率器件在新能源汽车中的渗透率正在快速扩大,能显著提升续航能力与充电效率,并降低整车成本。
2024-04-11 09:28:06
901 近日,芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批已顺利下线,这一里程碑事件标志着芯联集成成为国内首家成功开启8英寸碳化硅晶圆生产的厂家。此项技术的突破不仅体现了芯联集成在碳化硅领域的领先实力,也展示了其对推动行业技术发展的坚定决心。
2024-05-27 10:57:49
1312 5月27日,中国半导体制造领域迎来里程碑式的事件——芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下线,这一成就标志着国产8英寸碳化硅晶圆的生产正式迈入国产化阶段。此项目总投资高达9.61亿元,预计全面投产
2024-05-30 11:24:52
2315 
从2023年起,中国碳化硅衬底行业迎来了前所未有的发展高潮。随着新玩家的不断加入和多个项目的全国落地,行业产能迅速扩张,达到了新的高度。根据最新行业数据,国内碳化硅衬底的折合6英寸销量已突破百万大关
2024-06-03 14:18:17
1096 
英飞凌于近期宣布,其位于马来西亚的新晶圆厂正式进入第一阶段建设,该晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的8英寸碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂。无独有偶,安森美、意法半导体、罗姆等国际巨头纷纷投入8英寸
2024-08-16 16:48:36
1306 
近日,重庆三安意法8英寸碳化硅(SiC)衬底厂正式投产,标志着这一高科技项目比预期提前两个月进入生产阶段,为中国电动汽车产业供应链注入了强劲动力。该项目由全球领先的半导体制造商意法半导体
2024-09-04 18:07:24
1531 英寸和8英寸晶圆,可实现增加产量的同时,降低成本。 2024年10月16至18日,ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯展(SEMiBAY 2024)。在国际化合物半导体产业发展论坛上,ASM推出了最新推出的适用于碳化硅外延的新型双腔机台PE2O8。该产品专为满足先进碳化硅功率器
2024-10-17 14:21:26
514 
一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战
修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而,修边过程中由于机械应力、热应力以及
2024-12-23 16:56:37
487 
一、碳化硅衬底TTV控制的重要性
碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本,以及最终产品的质量和性能。因此,在碳化硅衬底
2024-12-26 09:51:54
465 
随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸,其外延生长室的结构设计
2024-12-31 15:04:18
398 
近日,晶驰机电开发的8英寸碳化硅(SiC)电阻式长晶炉顺利通过客户验证,设备稳定性和工艺稳定性均满足客户需求。 8英寸碳化硅晶验收晶锭 技术创新,引领未来 此次推出的8英寸碳化硅电阻式长晶炉
2025-01-09 11:25:33
891 
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW
2025-01-13 14:36:13
394 
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微
2025-01-14 10:23:10
400 
一、引言
随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54
286 
近日,环球晶董事长徐秀兰表示,主流6英寸碳化硅(SiC)衬底的价格已经稳定,但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8英寸SiC衬底,尽管2025年对SiC的市场预期仍较为保守,但2026年
2025-02-19 11:35:49
946 端快速实现市场突破,公司8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售,12英寸三轴减薄抛光机拓展至国内头部封装客户,12英寸硅减压外延生长设备实现销售出货并拓展了新客户,相关设备订单持续增长。 6-8 英寸碳化硅衬底实现批量出
2025-02-22 15:23:22
1830 三安光电和意法半导体于2023年6月共同宣布在重庆成立8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(安意法半导体有限公司,简称安意法),全面落成后预计总投资约为230亿元人民币(约32亿美元)。该合资厂预计将在2025年四季度投产,届时将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线。
2025-02-27 18:12:34
1590 2月27日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产,这将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线,项目规划全面达产
2025-02-27 18:45:10
4660 )的垄断与衰落 技术垄断期:Wolfspeed(原CREE)曾长期主导全球碳化硅衬底市场,其物理气相传输法(PVT)生长技术及6英寸衬底工艺占据绝对优势。2018年特斯拉采用碳化硅后,Wolfspeed市值一度飙升,但此后因技术迭代缓慢、成本高企及中国企业的竞争,市值暴
2025-03-05 07:27:05
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的破产不仅是企业的失败,更是美国半导体产业战略失误的缩影。其核心问题体现在三个维度: 技术迭代停滞与成本失控 长期依赖6英寸晶圆技术,8英寸量产计划因良率不足陷入僵局,而中国天科合达、烁科晶体等企业已实现8英寸衬底小批量出货,良率突破。更致命的是,中国通过工
2025-05-21 09:49:40
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超薄碳化硅衬底(
2025-07-02 09:49:10
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01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料。按照电学性能
2025-07-15 15:00:19
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9月8日消息,中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业,于近日在碳化硅晶圆加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备,成功完成了12英寸碳化硅晶圆的剥离操作。这一成果不仅填补
2025-09-10 09:12:48
1432 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅衬底作为碳化硅产业的上游核心材料,在下游器件需求高速增长下,近年来衬底厂商加速推进8英寸衬底的量产进度,去年业界龙头Wolfspeed已经启动了全球首家8英寸
2023-06-22 00:16:00
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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在过去的2023年里,国内碳化硅产业经历了可能是发展速度最快的一年。首先是碳化硅衬底取得突破,8英寸进展神速,同时三安和天岳先进、天科合达等获得海外芯片巨头的认可,签下
2024-01-08 08:25:34
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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)英飞凌在8月8日宣布,其位于马来西亚的新工厂一期项目正式启动运营,这是一座高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂,一期项目投资额高达20亿欧元,重点生产碳化硅功率半导体
2024-08-12 09:10:33
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