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8英寸碳化硅衬底已实现小批量销售

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2024-06-03 14:18:171096

万年芯:三代半企业提速,碳化硅跑步进入8英寸时代

英飞凌于近期宣布,其位于马来西亚的新晶圆厂正式进入第一阶段建设,该晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的8英寸碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂。无独有偶,安森美、意法半导体、罗姆等国际巨头纷纷投入8英寸
2024-08-16 16:48:361306

重庆三安意法8英寸碳化硅衬底投产

近日,重庆三安意法8英寸碳化硅(SiC)衬底厂正式投产,标志着这一高科技项目比预期提前两个月进入生产阶段,为中国电动汽车产业供应链注入了强劲动力。该项目由全球领先的半导体制造商意法半导体
2024-09-04 18:07:241531

ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台

英寸8英寸晶圆,可实现增加产量的同时,降低成本。 2024年10月16至18日,ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯展(SEMiBAY 2024)。在国际化合物半导体产业发展论坛上,ASM推出了最新推出的适用于碳化硅外延的新型双腔机台PE2O8。该产品专为满足先进碳化硅功率器
2024-10-17 14:21:26514

碳化硅衬底修边处理后,碳化硅衬底TTV变化管控

一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而,修边过程中由于机械应力、热应力以及
2024-12-23 16:56:37487

用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构

一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本,以及最终产品的质量和性能。因此,在碳化硅衬底
2024-12-26 09:51:54465

8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构

随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸,其外延生长室的结构设计
2024-12-31 15:04:18398

晶驰机电8英寸碳化硅电阻式长晶炉顺利通过客户验证

近日,晶驰机电开发的8英寸碳化硅(SiC)电阻式长晶炉顺利通过客户验证,设备稳定性和工艺稳定性均满足客户需求。   8英寸碳化硅晶验收晶锭 技术创新,引领未来 此次推出的8英寸碳化硅电阻式长晶炉
2025-01-09 11:25:33891

碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286

环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定

近日,环球晶董事长徐秀兰表示,主流6英寸碳化硅(SiC)衬底的价格已经稳定,但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8英寸SiC衬底,尽管2025年对SiC的市场预期仍较为保守,但2026年
2025-02-19 11:35:49946

晶盛机电:6-8 英寸碳化硅衬底实现批量出货

端快速实现市场突破,公司8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售,12英寸三轴减薄抛光机拓展至国内头部封装客户,12英寸硅减压外延生长设备实现销售出货并拓展了新客户,相关设备订单持续增长。     6-8 英寸碳化硅衬底实现批量
2025-02-22 15:23:221830

三安光电与意法半导体重庆8英寸碳化硅项目通线

三安光电和意法半导体于2023年6月共同宣布在重庆成立8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(安意法半导体有限公司,简称安意法),全面落成后预计总投资约为230亿元人民币(约32亿美元)。该合资厂预计将在2025年四季度投产,届时将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线。
2025-02-27 18:12:341590

三安意法重庆8英寸碳化硅项目正式通线 将在2025年四季度实现批量生产

2月27日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产,这将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线,项目规划全面达产
2025-02-27 18:45:104660

CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示

)的垄断与衰落 技术垄断期:Wolfspeed(原CREE)曾长期主导全球碳化硅衬底市场,其物理气相传输法(PVT)生长技术及6英寸衬底工艺占据绝对优势。2018年特斯拉采用碳化硅后,Wolfspeed市值一度飙升,但此后因技术迭代缓慢、成本高企及中国企业的竞争,市值暴
2025-03-05 07:27:051295

全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

的破产不仅是企业的失败,更是美国半导体产业战略失误的缩影。其核心问题体现在三个维度: 技术迭代停滞与成本失控 长期依赖6英寸晶圆技术,8英寸量产计划因良率不足陷入僵局,而中国天科合达、烁科晶体等企业已实现8英寸衬底小批量出货,良率突破。更致命的是,中国通过工
2025-05-21 09:49:401088

超薄碳化硅衬底切割自动对刀精度提升策略

超薄碳化硅衬底
2025-07-02 09:49:10483

碳化硅晶圆特性及切割要点

01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料。按照电学性能
2025-07-15 15:00:19961

重大突破!12 英寸碳化硅晶圆剥离成功,打破国外垄断!

9月8日消息,中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业,于近日在碳化硅晶圆加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备,成功完成了12英寸碳化硅晶圆的剥离操作。这一成果不仅填补
2025-09-10 09:12:481432

差距缩至2年内!国内8英寸SiC衬底最新进展

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅衬底作为碳化硅产业的上游核心材料,在下游器件需求高速增长下,近年来衬底厂商加速推进8英寸衬底的量产进度,去年业界龙头Wolfspeed已经启动了全球首家8英寸
2023-06-22 00:16:004657

2023年国内主要碳化硅衬底供应商产能现状

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在过去的2023年里,国内碳化硅产业经历了可能是发展速度最快的一年。首先是碳化硅衬底取得突破,8英寸进展神速,同时三安和天岳先进、天科合达等获得海外芯片巨头的认可,签下
2024-01-08 08:25:345166

全球最大碳化硅工厂头衔易主?又有新8英寸碳化硅产线投产!

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)英飞凌在88日宣布,其位于马来西亚的新工厂一期项目正式启动运营,这是一座高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂,一期项目投资额高达20亿欧元,重点生产碳化硅功率半导体
2024-08-12 09:10:335264

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