工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。有关增加绝缘栅极双极性晶体管（IGBT）导通损耗的一些权衡取舍是：更高的 短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路
2016-10-09 11:11:13
19365 
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已经扩充其短路额定IGBT产品组合，为电机驱动设计者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低损耗和短路耐用性至关重要的三相电机驱动应用
2012-09-10 09:59:45613 IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
2022-06-09 10:35:032270 
现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。
2022-09-05 10:05:424179 为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子
2023-01-17 13:59:2912950 
IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏。今天我们就来聊聊IGBT的过流和短路保护。
2023-04-06 17:31:175483 
IGBT模块短路特性强烈地依赖于具体应用条件，如温度、杂散电感、IGBT驱动电路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17918 
这里，我们只关注IGBT芯片自身的短路，不考虑合封器件中并联的二极管或者是RC-IGBT的寄生二极管。
2023-12-05 16:22:312610 
在电力电子技术领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种被广泛应用的半导体开关器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗高和双极型晶体管（BJT）的载流能力强的优点。
2024-02-18 10:29:261070 
间距2.54mm 2P 短路帽/跳线帽 开口式
2023-04-06 21:57:12
间距2.54mm 2P 短路帽/跳线帽 闭口式
2023-06-15 14:45:00
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:13
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:17
的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化
2012-07-25 09:49:08
IGBT有哪些封装形式？
2019-08-26 16:22:43
https://mp.weixin.qq.com/s/5zWSxhNFF19kqCKUh7B4zg上述视频链接包含了以下四个方面内容：— 双脉冲测试要点回顾— 短路的分类与安全工作区— 短路测试方法— 测试注意事项讲师PPT见附件。
2020-06-28 10:48:45
在IGBT短路时，假设在导通时短路，此时IGBT驱动电压达到稳定高值，就是IGBT已经完全导通，此时刻触发外部电路短路，用示波器查看驱动电压、CE电压和输出电流，变频器在极短的时间内响应后，驱动电压
2024-02-25 11:31:12
6us内关断，不过驱动芯片有DESAT脚，无IGBT下测试，生效时间6us内。)于是想先在低压下同样操作看异常波形在哪。目前在50V母线电压情况下做关断，测出有下面这样的波形，从C极关断时候的高压看
2019-07-04 21:27:32
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
集电极、发射极击穿或造成栅极、发射极击穿。IGBT保护方法当过流情况出现时，IGBT必须维持在短路安全工作区内。IGBT承受短路的时间与电源电压、栅极驱动电压以及结温有密切关系。为了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
IGBT模块是由哪些模块组成的？IGBT模块有哪些特点？IGBT模块有哪些应用呢？
2021-11-02 07:39:10
小，因此使用IGBT模块首要注意的是过 流保护。产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损 坏、逆变桥的桥臂
2012-06-19 11:26:00
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
主要是关于IGBT的短路保护问题
2018-07-02 21:53:23
IGBT应用于变频器逆变电路中，存在这么一种情况，IGBT先短路再开通，请问这是一种什么样的过程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起来，然后启动变频器，此时这种过程就可以称之为先短路再
2024-02-29 23:08:07
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？
2021-10-14 09:09:20
IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系？为什么？
2023-03-16 11:37:09
降均为无穷大。 如果测得IGBT管三个引脚间压降很小，IGBT管以坏；若测得IGBT管CE引脚间压降均为无穷大（要以厂家提供的资料为准，有可能有的IGBT管内不含阻尼二极管），说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿（短路）损坏。
2012-04-18 16:15:53
，不想搭建分立的原件，所以想要使用集成的驱动电路。但是网上有IGBT驱动板，IGBT驱动核，IGBT驱动芯，IGBT适配板，IPM，这些到底有啥区别？哪种最为简单？`
2017-10-10 17:16:20
igbt保护电路短路保护电路的设计:由对图1所示电路的分析,可以得到igbt短路保护电路的原理更详细请查看：新型IGBT短路保护电路的设计
2008-10-21 01:19:56
几种IGBT短路保护电路图7是利用IGBT过流时Vce增大的原理进行保护的电路，用于专用驱动器EXB841。EXB841内部电路能很好地完成降栅及软关断，并具有内部延迟功能，以消除干扰产生的误动作
2009-01-21 13:06:31
驱动电路的工作原理是什么？短路自动断电保护电路有何作用？
2021-08-05 07:47:01
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
使用芯片尺寸更小，2缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一
2019-07-24 04:00:00
三相逆变器中IGBT的驱动电路有哪几种？用于IGBT驱动的集成电路芯片有哪些？其使用方法和优缺点是什么?
2021-04-20 06:35:24
。IGBT的缺点，一是集电极电流有一个较长时间的拖尾——关断时间比较长，所以关断时一般需要加入负的电压加速关断；二是抗DI/DT的能力比较差，如果像保护MOS管一样在很大的短路电流的时候快速关断MOS管极可
2022-06-08 16:03:07
。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一时间范围是10 μs，但近年来的趋势是在往5 μs3以及某些条件下低
2019-10-06 07:00:00
IGBT和MOS管的区别是什么？IGBT和可控硅的区别有哪些？如何实现IGBT驱动电路的设计？
2021-11-02 08:30:41
使用IGBT首要注意的是过流保护,产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损 坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。针对这些原因该如何设计电路呢？
2019-02-14 14:26:17
缩小了模块尺寸，但降低了热 容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射 极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平 的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一时间范围
2018-08-20 07:40:12
，技术的进步导致使用芯片尺寸更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路
2021-08-12 07:00:00
。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一时间范围是10 μs，但近年来的趋势是在往5 μs3以及某些条件下低至
2018-07-30 14:06:29
更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一时间范围
2018-11-01 11:26:03
电平，但降低短路耐受时间这一趋势。此外，技术的进步导致使用芯片尺寸更小，2缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流
2018-10-10 18:21:54
导致使用芯片尺寸更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间
2019-04-29 00:48:47
随着功率电子和半导体技术的快速进步，各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件，以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通（NPT） IGBT相比，场截止（FS） IGBT进一步降低
2018-09-30 16:10:52
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03:36
短路保护是保证分断短路电流后设备无损。太专业了!(可以保护接地故障)
变频器为什么没有短路保护?成本问题?元件问题?
IGBT测试,电压很小,电流也很小,只能做为设备静态是保护;
过载:变频器可以
2023-11-22 06:09:26
请问各位大神，空调的PFC电路的IGBT，带FRD跟不带FRD有什么区别？
2017-04-24 09:31:50
根据集电极退饱和检测短路原理及IGBT 的短路安全工作区(SCSOA) 限制,设计出具有较完善性能的IGBT 短路保护电路。分析与实验结果表明,短路保护快速、安全、可靠、简便、应用价值较
2009-10-28 10:56:53
118 igbt保护电路
短路保护电路的设计:由对
2008-10-21 01:19:32909 
IGBT短路保护电路原理图
2008-10-23 21:43:483576 
本文根据IGBT的短路特性和大功率IGBT模块的结构特点设计了一种新型大功率IGBT模块的短路检测电路，采用两级di/dt检测IGBT两类短路状态的实用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高
2017-02-10 12:31:101842 
在vdc=1200v下进行了短路试验，试验波形如图6所示。可见，在关断开通短路电流和通态短路电流时，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作区间内，有效地保护了IGBT，所采用的有源电压箝位技术达到了预期的效果
2017-05-16 16:15:046121 
使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认为IGBT损坏的主要原因有两种：一是IGBT退出饱和区而进入了放大区使得开关损耗增大;二是IGBT发生短路，产生很大的瞬态电流，从而
2017-10-09 18:27:1439 为解决中、大功率等级IGBT的可靠驱动问题，本文提出了驱动电路的关键参数设计方案。同时，在变流器极端工况下研究了IGBT的相关特性，提出了极端工况IGBT的保护措施，包括IGBT栅极电压应力防护、VCE电压应力抑制、过流与短路等工况的保护措施及工作原理。
2018-06-17 09:57:0032146 
在IGBT的应用中，当外部负载发生故障，或者栅极驱动信号出现异常，或者某个IGBT或二极管突然失效，均可能引起IGBT短路，表现为桥臂内短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路状态下需要同时承受
2019-10-07 15:04:0024314 
来源：罗姆半导体社区 前言 我们说，IGBT的双脉冲实验和短路实验一般都会在一个阶段进行，但是有的时候短路测试会被忽略，原因有些时候会直接对装置直接实施短路测试，但是此时实际上并不是彻底和充分
2022-11-15 16:51:074458 。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。...
2021-01-21 10:28:5414 虽然如今设计的典型工业级IGBT可以应付大约10μs的短路时间，但SiC MOSFET几乎没有或者只有几μs的抗短路能力。这常常被误以为是SiC MOSFET的一个基本缺陷。但通过更为详细的背景分析
2021-01-26 16:07:334702 
IGBT短路测试方法详解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 我们都知道IGBT发生短路故障时会发生退饱和现象，如图1所示。退饱和后IGBT会承受全母线电压，同时集电极电流也上升至额定电流的5-6倍，因此IGBT发生短路时的瞬时功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 适用于感应加热应用的 Fairchilds 第二代场截止、阳极短路、沟槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240 英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。
2023-02-06 14:30:24633 
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
2023-02-07 16:12:22696 
目录 1、IGBT的工作原理和退饱和 1.1 IGBT 和 MOSFET结构比较 1.2 IGBT 和 MOSFET 在对饱和区的定义差别 1.3 IGBT 退饱和过程和保护 2、电感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 IGBT保护的问题 现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。1.Vce过压2.Vge过压3.短路保护4.过高的di/dt 主要是看一下短路保护和过流保护短路的定义1.桥臂内短路
2023-02-23 09:57:0015 每次谈到IGBT都要把它的优点先说一遍，就当我唠叨了。IGBT结合了电力场效应管和电力晶体管导通、关断机制的优点，相比于其他大功率开关器件，IGBT的驱动功率小、开关速度快、没有二次击穿效应且易于并联。
2023-05-25 17:31:342959 
摘要: 为提升高压 IGBT 的抗短路能力，进一步改善短路与通态压降的矛盾关系，研究了
IGBT 背面工艺对抗短路能力的影响。通过 TCAD 仿真，在 IGBT 处于负载短路工作期间，针对
2023-08-08 10:14:470 电池短路试验是常见的一种电池安全性能试验。电池短路有分为外部短路与内部短路，两者有什么区别呢？
2023-10-11 16:49:48899 
IGBT模块损坏时，什么情况导致短路？什么情况导致开路？ IGBT模块是一种功率模块，用于高功率电子设备控制。当IGBT模块在使用过程中遭受损坏时，可能会出现短路或开路的问题。这两种情况会对电路
2023-10-19 17:08:182733 什么是igbt短路测试？igbt短路测试平台 IGBT短路测试是针对晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）进行的一种测试方法。IGBT是一种高压高功率
2023-11-09 09:18:291044 igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
2023-12-15 09:54:25312 
igbt与mos管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:38792 由于短路会导致负载电阻降低或短路，使得电流突然增大。IGBT作为开关管，其额定电流通常有限，该突然增大的电流可能会超过IGBT管的额定电流，导致IGBT管过电流而被破坏。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）击穿短路的原因是一个复杂且多元的问题，涉及多个因素相互作用。以下是对IGBT击穿短路原因的详细分析，旨在达到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53907 短路耐受时间是指IGBT在短路条件下能够持续导通而不发生故障的时间。这个参数对于系统保护策略的设计至关重要，因为它决定了系统在检测到短路并采取措施（如关闭IGBT或限制电流）之前可以容忍的最长
2024-02-06 16:43:251317 
一类短路和二类短路的区别 一类短路和二类短路是电路中常见的两种故障类型。它们在故障性质、引起原因、对电路影响以及检测方法等方面存在着明显的区别。 一、一类短路的定义、形成原因和表现 1. 定义
2024-02-18 10:07:51336 。在IGBT上下桥的应用中，短路可能会导致设备损坏、系统失效甚至火灾等严重后果。 IGBT上下桥短路的原因可以分为以下几种： 1. 设计缺陷：不合理的设计和材料使用可能导致IGBT的内部结构出现问题，进而引发短路。例如，设计中未考虑到足够的绝缘层厚度
2024-02-18 10:08:38332 三相短路接地和三相短路的区别 三相短路接地和三相短路是电力系统中两种常见的故障形态，它们之间存在一些区别。 首先，三相短路接地是指三相电源系统中的一相电源与地或导体之间发生短路，而其他两相电源
2024-02-18 10:21:53479 IGBT应用中有哪些短路类型？ IGBT是一种主要用于功率电子应用的半导体器件。在实际应用中，IGBT可能会遭遇多种短路类型。下面，我将详细介绍IGBT应用中常见的短路类型。 1. IGBT内部开路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT过流和短路故障的区别 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，是一种半导体功率开关器件。在工业和电力领域广泛应用，常常用于高压、高电流的开关电源和逆变器中。然而，由于各种原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT开通过程发生的过流、短路故障 IGBT是一种三端功率半导体器件，常用于电力电子领域。它具有开关速度快、工作温度范围广、损耗小等优点，因此在各种电源、驱动、变换和控制系统中得到广泛应用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 IGBT导通过程发生的过流、短路故障 IGBT导通过程中可能发生的过流、短路故障一直是电力电子领域研究的热点问题之一。IGBT 是一种新型的功率半导体器件，它结合了普通晶体管的低压控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系？ IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET技术的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、高电流能力的输出信号。在工业控制和电源
2024-02-20 11:00:57205
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