1w白光管，单个测试电流300ma时正向压降2.8伏。两个管子串联后300ma时的正向压降变成6.7伏。使用的是恒流电源。结电压为什么会变化呢？单个测试的时候结电压几乎不随着电流变化，但是串联时电压随着电流的增加明显提高
2015-05-07 10:31:36
—PN结变宽—漂移运动>扩散运动—少子漂移形成极小 的反向电流I—PN结截止。图1-7所示为PN结反向偏置时的电路图。(3) PN结的单向导电性。当PN结外加正向电压（正偏），即P区接高电 位、N区
2017-07-28 10:12:45
产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡.当PN结外加反向电压时,内外电场的方向相同,在外电场的作用下,载流子背离PN结运动,结果使空间电荷区变宽,耗尽层会（变宽）变大.PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄.
2017-04-13 10:09:24
第一章PN结伏安特性曲线当加在二极管两端的电压达到0.7V左右时，二极管正向导通；当反向电压超过U（BR）一定值后就会出现齐纳击穿，当反向电压继续增大就会出现雪崩击穿。温度...
2021-11-15 06:43:45
多的空穴，n侧或负极有过量的电子。为什么存在pn结？以及它是如何工作的？什么是p-n结二极管？I. PN 结基本型1.1 PN半导体N型半导体在硅晶体（或锗晶体）中掺杂了少量的杂质磷元素（或锑元素），由于
2023-02-08 15:24:58
PN结的定义是什么？ 对于PN结的定义，首先我们看下来自于百度百科的内容：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面
2021-01-15 16:24:54
PN结的定义是什么？对于PN结的定义，首先我们看下来自于百度百科的内容：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成
2021-03-16 13:50:45
;推导过程参见《晶体管原理》。当外加反向电压时 I = Is ， CD趋于零。3、 PN结电容： PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ，外加正向电 压CD很大
2008-09-10 09:26:16
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多子(N区的电子、P区的空穴
2021-06-01 07:55:49
（MPS）结构，该结构保持最佳场分布，但通过结合真正的少数载流子注入也可以增强浪涌能力。如今，SiC二极管非常可靠，它们已经证明了比硅功率二极管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
，VF变高，不会热失控。但是VF上升，因此具有IFSM（瞬间大电流耐受能力）比Si-FRD低的缺点。SiC-SBD的VF特性改善为提升具有卓越本质的SiC-SBD的特性，使之更加易用，开发了VF降低
2018-11-30 11:52:08
SiC-SBD转换为反向偏置时的示意图。因肖特基势垒结构而不存在PN结,所以没有少数载流子，在反向偏置时n层的多数载流子(电子)只需要返回,因此只需要很少的反向恢复时间，其关断时间比PND明显缩短。这种
2018-11-29 14:34:32
介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂pn结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与pn结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入
2016-11-29 14:52:38
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
压接式可控硅模块与焊接式可控硅模块有什么区别呢？下面就为大家介绍下：首先，从电流方面来说，焊接式模块能做到160A电流，而压接式模块的电流则可达到1200A。也就是说，160A以下的模块，既有焊接
2013-12-25 09:12:41
压接式可控硅模块与焊接式可控硅模块有什么区别呢？下面就为大家介绍下：首先，从电流方面来说，焊接式模块能做到160A电流，而压接式模块的电流则可达到1200A。也就是说，160A以下的模块，既有焊接式
2014-02-11 11:08:23
正向偏置的pn结为什么是扩散增强漂移减小，pn 结就会变窄呢？求详细解释？另外还想请教下漂移具体是什么意思？
2013-07-04 23:39:21
为何能得到大家的青睐？MTC110-16有什么特别之处呢？ MTC110-16参数描述型号：MTC110-16品牌：ASEMI封装：D1特性：可控硅模块电性参数：110A 1600V正向电流：110A
2021-08-17 15:27:12
和N型导体组成的四层结构，总共有三个PN结。MTC160-16在结构上与只有一个 PN 结的硅整流二极管有很大不同。可控硅的四层结构和控制电极的引入，为其“以小控大”的优良控制特性奠定了基础。在可控硅
2021-08-28 16:21:16
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
L M393电压比较器
*如果反向端比正向端高/那输出电压是正或负#
2016-01-27 07:55:55
的， 低浓度掺杂的PN结，耐压颇高，反向漏电甚小，不过，当你在任何一端加上了发射极，这反偏结都能够大量导电（Ic），且看此图，左边是PNP，右边是NPN，中间则依然是反偏的PN结一个，啥都没加，但你会发
2015-09-18 10:21:06
常出现反向峰值电流几乎不再存在； ·无论负载电流，还是温度变化，反向电荷产生的电流变化率di/dt低至为零； ·工作结温可高于200℃。 由于采用碳化硅制造的二极管比硅基二极管贵得多，所以
2019-01-02 13:57:40
1-3 场板结构示意图当PN结反偏时，场板电位相对P型区为高电位。若场板下的绝缘介质厚度合适，高电位的作用使P型硅表面耗尽，结耗尽区扩展至场板以下区域，表面靠近N+P结位置原有的高电场被分散，并在场板
2019-07-11 13:38:46
asemi的进口整流桥型号RMB4S正向压降是多少呢？
2016-09-28 15:58:30
不知道为什？ 我multisim 10 中 所以二极管正向压降都是0v要设置二极管的正向压降参数为0.7v 改怎么设置呢？请教高手谢谢新手上路（详教）谢谢
2014-02-28 09:10:22
伏安特性曲线上升得稍慢一点，如图1所示。 图1两种结的伏安特性比较 （5）势垒高度和正向压降： 热平衡时pn结和pin结的势垒高度（～内建电势Vo与电子电荷q的乘积），原则上都由两边半导体的Fermi能级
2013-05-20 10:00:38
(1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒，肖特基二极管的正向传导阈值电压和正向压降均低于PN结势垒，约低0.2V。(2)由于肖特基二极管是一种大多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管规格书下载：
2022-01-18 10:35:14
（Schottky Barrier Diode，SBD）利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作，正向压降比PN结低。同时SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。目前主流Si
2023-10-07 10:12:26
区，进入P区的电子和进入N区的空穴分别成为该区的少子，因此，在P区和N区的少子比无外加电压时多，这些多出来的少子称为非平衡少子。在正向电压作用下，P区空穴越过PN结，在N区的边界上进行积累，N区电子
2021-06-15 17:08:31
正向电阻？因为我的第一感觉是根据PN结的情况来看，应该是红表笔接阳极，黑表笔接阴极，这样我觉得是正向电阻。2：测有的二极管，红表笔接阴极，黑表笔接阳极，即PN结正向，万用表显示为无穷大。如果黑表笔接阴极，红表笔接阳极，即PN结反向，反而有读数。这是什么原因啊?在此拜托各位了，帮我解决心中疑惑。
2017-08-25 10:59:34
通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。增加很快，所以二极管上的压降，其实很小，否则由于电流太大，就烧坏了。在正常使用的电流范围内
2022-01-25 10:33:57
广泛。我们应该很清楚很多二极管特性，让我们逐步检查以下内容。导电性能2.1 好评施加正向电压时，开始时正向电压很小（锗管小于0.1 V，硅管小于0.5 V），不足以克服PN结中电场的阻塞效应。此时
2023-02-09 10:33:09
，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V，锗管的Vth约为0·lV，当
2015-11-27 18:01:44
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
几纳秒)，尤其适合于高频应用。其正向压降低，仅0.4V左右，比PN结二极管低(约低0.2V)。而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。但其反向击穿电压比较低，大多
2015-06-19 14:52:18
肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。SiC
2018-11-29 14:33:47
工作电压）、工作电流、温度系数、材料常数、时间常数等，而光敏二极管,最高工作电压,暗电流，光电流，光电灵敏度、响应时间、结电容和正向压降等。四.结构不同光敏电阻，只需要两个电极就行了，而光敏二极管，两个电极间要求能够形成一个PN结，而且为了加大导通电流，把一个电极的面积设计的很大，另一个相对很小。
2014-04-11 17:02:19
Pn结制作温度传感器中用什么运放比较合适
2017-11-08 23:33:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑
学习pn结后，一直有个问题困惑我：当pn结外加正向电压是，削弱了内电场，扩散大于漂移，那岂不是又进一步增强了内电场，当内电场慢慢增强后，那不是又重新到达一个平衡状态，扩散等于漂移。怎么会正向导通呢？望高手指教！谢谢……
2012-12-08 17:44:54
并且无法移动。什么是p型和n型？在硅掺杂中，有两种类型的杂质：n型和p型。在n型掺杂中，砷或磷少量添加到硅中。。..在p型掺杂中，硼或镓用作掺杂剂。这些元素的外轨道上都有三个电子。什么是PN结二极管
2023-02-15 18:08:32
是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流
2015-11-27 18:09:05
带有体电阻，这就导致正向电流比PN结小一些，另外加反向电压的时候，不仅仅有PN结的漂移运动，还有外壳的漂移运动，所以反向饱和电流比PN结要大。温度对二极管的影响温度上升，正向曲线左移，反向曲线下移。正向左移的原因：温度升高的时候，扩散运动加强，多数载流子的运动加剧，在同以电压下，温度越高电流越大
2021-12-29 07:14:37
导通。正向压降很小,且随温度上升而减小。 PN 结反向偏置时,空间电荷层变宽,内电场增强,漂移大于扩散,反向电流很小(少子漂移形成), PN 结呈现为高电阻,称为反向截止。反偏电压在一定范围内,反向电流
2021-05-24 08:05:48
相应措施以达到各参数的要求。2、单向可控硅：由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制。产品概述：RM9005E 是单通道调光LED恒流驱动
2020-05-08 10:39:14
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由
2012-08-08 21:09:50
请问怎么确定可控硅的结温？？？超过结温时会有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
过程：可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向
2021-12-08 06:30:00
可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、...
2021-11-16 06:32:22
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆
2011-10-11 13:54:14
具有高电子迁移率，适用于低压大电流器件，但其温度特性比硅材料差。PN结的反向漏电流远大于硅材料。因此，硅管必须用于大功率器件和高背压器件。三极管有两个PN结。就PN结而言，锗管的PN结的正向电压降低
2023-02-07 15:59:32
单向导电性的，是二极管，不是PN结！
真正令 PN结 导不了电的，关非 过不去，而是 离不开及进不来，
交叉对流无障碍，背道而驰不允许，所以，当PN结成了集电结，单向导电性就被打破了。
2024-02-25 08:57:14
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:41 编辑
两个PN结都已经正向偏置了,为什么集电极电流还比基极大?应是大部分电子都上基极了吧,毕竟基极电位高吗?
2009-07-01 10:46:52
1 硅管和锗管（按半导体材料分）锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2
2018-01-31 10:14:10
晶体管发射极结间的正向压差越大电流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
AD8244压摆率只有0.8V/μs，想要找一款压摆率比这个高的产品。
2023-11-15 07:01:09
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。<span] 二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V
2018-09-25 11:30:29
贴片二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。
2019-09-17 09:11:16
8050，使用相同的测试方案完成8050的b-e结的电压-电流测试，所得到的数据曲线如下：▲ 测试NPN8050的发射极PN结的I-V曲线使用相同的方法进行建模，并计算参数： 这个数值比精确
2020-07-13 07:50:36
` 一、硅肖特基二极管的特点 硅肖特基二极管早已有之。它是一种金属与半导体硅接触的肖特基二极管，由于它的这种特殊结构，使其具有如下不同寻常的特性： 硅肖特基二极管比PN结器件的行为特性更像一个
2019-01-11 13:42:03
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
稳压二极管特点稳压二极管，利用的是PN结的反向特性，其特性与PN结的反向曲线相同。二极管的正向导通有压降，但是为什么不用正向导通做稳压呢？因为锗管或者硅管的正向导通电压基本是定死的，但是在实际使用
2021-11-15 09:07:09
电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压
2019-07-10 04:20:13
凌讯MBR系列肖特基势垒整流器（标准肖特基）是基于硅肖特基二极管技术的最新器件。肖特基势垒整流器是非常受设计人员欢迎的器件，因为其具有极快的开关速度、非常低的正向压降、低泄漏和高结温能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
原理和PN结整流管有很大区别，PN结整流管被称作结整流管，而金属-半导体整流管叫做肖特基整流管。肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低特点：开关频率高，正向压降低
2021-11-15 06:47:36
肖特基二极管正向压降变大，达到2.2V左右，正向电阻比正常的大，达到8.7K左右，导致电源供电不正常
2015-11-30 23:03:26
单向导电性的非线性器件。[编辑本段]特点 SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于
2017-10-19 11:33:48
肖特基二极管MUR3040PT的反向击穿电压和正向压降测试记录 测试器件MUR3040PT(ON)测试项目1.二极管反向击穿电压2.二极管正向压降 测试方法1.测试二极管反向击穿电压用20KV高精度
2015-08-14 09:53:53
），这时候称为正向压降。 当电子与空穴复合时能辐射出可见光，PN结掺杂不同的化合物发出的光也不同，比如说镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等。然后加上引脚，用环氧树脂封装起来，通上正向电压
2023-03-03 17:11:13
请问,制作PN结一般在硅的哪个晶面上?cznwl@163.com,谢谢!
2014-01-02 19:24:51
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
合的时间会比普通的Silicon PN结二极管快很多，而且由于这种二极管只有一个单边的空间电荷区，所以PN结电容也变小了，所以SBD一般都适合高频应用。另外，Silicon PN结的二极管正向导通电压都是
2023-02-08 16:40:30
电压。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系
2019-10-12 15:12:19
PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄是因为：**PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场
2023-10-18 17:38:58
2421 
为什么加正向电压PN结变薄,加反向会变厚呢？ PN结是半导体器件中最基本和最常用的一种器件，具有正向导通和反向截止的特性。如果将PN结的两端施加正向电压，电子从N型区流向P型区，空穴从P型区流向
2023-10-19 16:42:521805 二极管若加很大的正向电压，PN结会不会损坏？ 二极管是一种基本的半导体器件，它是由一个p型半导体和一个n型半导体组成的，中间有一个PN结，二极管是具有单向导电性的电子元件，当施加的电压为正向电压
2023-10-19 16:53:20882 PN结是一种常见的半导体结构，它由p型半导体和n型半导体组成，这两种半导体材料具有不同的掺杂浓度，形成一个正负载流的结构。当在PN结上施加正向电压时，会引起空间电荷效应，即在PN结区域形成带电
2024-03-01 11:14:59329
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