化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
微波是指波长在1mm~1000mm频率在300MHz-300GHz范围之间的电磁波，因为它的波长与长波、中波和短波相比来说，要“微小”得多，所以称之为“微波”。工作在微波波段（频率为300
2018-02-08 14:07:30
微波器件的薄膜化过程中会遇到很多的技术难点，本文以环形器薄膜化过程中遇到的技术难点为例来分析微波器件薄膜化过程中所遇到的共性与个性的技术难点。
2019-06-26 08:09:02
多年来，微波器件公司一直为诸如核磁共振成像(MRI)系统等医疗成像应用提供器件。虽然成像应用继续提供了坚实的机会，但许多其它医疗应用领域也开始为无线微波和射频技术敞开了大门。例如，远程监控支持病人
2019-08-08 06:49:31
多年来，微波器件公司一直为诸如核磁共振成像(MRI)系统等医疗成像应用提供器件。虽然成像应用继续提供了坚实的机会，但许多其它医疗应用领域也开始为无线微波和射频技术敞开了大门。例如，远程监控支持在病人
2019-07-29 07:55:51
氮化镓(GaN)和射频(RF)能量应用为工业市场带来重大变革。以前分享过氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程，接下来在日常生活中的射频能量系列中分享下氮化镓如何用于工业加热和干燥。从工业角度
2018-01-18 10:56:28
技术时经常用到“变革性”一词，考虑到这些技术对日常生活的深远影响时，确实如此。在本篇文章中，我们将评估氮化镓微波射频在医疗应用领域的前景，基于氮化镓的射频设备将在全球范围内提高医生挽救生命的能力并改善
2017-12-27 10:48:11
提到雷达，大家印象里就会浮现出用于军事探测领域的雷达技术。随着时间的不断发展，已从军用过渡到民用市场，直到今天，雷达已成为亲民化产品，微波雷达技术是红外线、激光、超声波技术的有力竞争者，应用领域广泛
2021-08-23 15:54:54
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化镓作为一种材料已经在射频应用中广泛使用，是世界上第二大最常用的半导体材料。由于其广泛使用，它可以从多个来源获得，其制造工艺类似于硅。这些因素都支持该技术的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别
2018-10-24 11:20:30
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
°C常规芯片FHC30LG砷化镓晶体管FHC40LG砷化镓晶体管FHX04LG砷化镓晶体管FHX04X砷化镓晶体管FHX06X砷化镓晶体管FHX13LG砷化镓晶体管FHX13X砷化镓晶体管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 编辑
FHX45X 砷化镓功率管产品介绍FHX45X询价热FHX45X现货王先生 深圳市首质诚科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
•无外部匹配•针对每个频段进行了优化笔记Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化镓场效应管FLM5964-18F砷化镓场效应管FLM5964-25F砷化镓场效应管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
`FLM8596-8F砷化镓晶体管产品介绍FLM8596-8F报价FLM8596-8F代理FLM8596-8FFLM8596-8F现货, 深圳市首质诚科技有限公司FLM8596-8F是一种功率
2019-07-10 09:40:09
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
特性 应用领域 l 超高稳定性砷化镓霍尔器件l 极佳的高频性能，抗干扰能力强l 1000Ω-2000Ω的较低的输出阻抗，驱动能力强l 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装l 器件盘装
2013-11-13 10:56:14
和相位测量，低电平直流—交流转换器，无触点电位器等特性 应用领域 l 超高稳定性砷化镓霍尔器件l 极佳的高频性能，抗干扰能力强l 650Ω-850Ω的极低的输出阻抗，驱动能力强l 小型化
2013-11-13 10:54:57
转换器，无触点电位器等特性 应用领域 l 超高稳定性砷化镓霍尔器件l 极佳的高频性能，抗干扰能力强l 1800Ω-3000Ω的较低的输出阻抗，驱动能力强l 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装l 器件
2013-11-13 10:53:33
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化镓产品的替代技术。我们期待这项合作让这些GaN创新在硅供应链内结出硕果，最终服务于要求最高的客户和应用。”意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
` 本帖最后由 MACOM 于 2017-6-6 15:11 编辑
AlGaAs技术在微波行业采用能隙工程生产新型半导体结构已有二十多年的历史。利用多量子阱、超晶格和异质结的各种性质，已制造出由
2017-06-06 14:37:19
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
`SGC1112-100A-R砷化镓晶体管产品介绍SGC1112-100A-R报价SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨询热线SGC1112-100A-R现货, 深圳市首质诚
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化镓晶体管产品介绍SGC8598-100A-R报价SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨询热SGC8598-100A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化镓晶体管产品介绍SGK1011-25A报价SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨询热SGK1011-25A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
SGK1314-25A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-25A报价SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨询热SGK1314-25A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-30A报价SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨询热SGK1314-30A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化镓晶体管产品介绍SGK5254-120A-R报价SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨询热SGK5254-120A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式连续作业笔记Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化镓场效应管ELM5964-7PS砷化镓场效应管ELM6472-4PS砷化镓场效应管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化镓晶体管SGC7172-120A砷化镓晶体管SGC8598-50A-R砷化镓晶体管SGC8598-100A-R砷化镓晶体管SGC8598-200A-R砷化镓晶体管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化镓晶体管产品介绍SGM6901VU报价SGM6901VU代理SGM6901VU咨询热SGM6901VU现货, 深圳市首质诚科技有限SGM6901VU是一种高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管SGN26H080M1H砷化镓
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号：TGF2040产品名称：砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合高效率的应用。产品型号：TGF2160产品名称：砷化镓晶体管TGF2160产品特性频率范围：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
读者使用。 基于砷化镓（GaAs）技术的微波单片集成电路（MMlC）具有体积小、性能优越的主要特点，其应用越来越广泛。MMIC应用的电子系统有：卫星通信、相控阵雷达系统、电子战、以及其他军事系统，同时
2018-01-24 17:52:01
微波技术最初用于军事领域，而如今，这种技术已在商用、工业、医疗和汽车领域全面开花结果。在我们享受微波技术给我们的生活和生产带来便利和翻天覆地的变化的同时，请不要忘记通过改革和发明，塑造微波产业的众多传奇人物、地方和事件的故事及其卓越贡献。
2019-08-27 07:49:44
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记哪些事项？
2019-08-01 07:44:46
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
简介模拟衰减器在射频以及微波网络方面得到了很广泛的应用。无论是采用砷化镓微波集成电路（GaAs MMICs）还是采用PIN管的网络，它们都是通过电压来控制射频信号的功率的。在商业应用中，比如蜂窝电话
2019-07-09 07:03:59
我的霍尔传感器是砷化镓，也是一种测量磁场的传感器，两个输入端，两个输出端。我把十二个砷化镓串联使用，三个一组，输入电流保持在1毫安。每一组测试的时候，所有的单个砷化镓都对磁场有响应，但是把四组串联
2016-04-23 16:13:19
能水平非常接近SiC。重要的是，这些砷化镓二极管的成本仅为同等SiC器件的70%左右，这为设计人员提供了一个理想的机会，可以在小幅性能降低和显著成本节约之间进行权衡。
2023-02-21 16:27:41
砷化镓的功率管资料上都给出了三阶交调，可以根据资料选择器件，但是氮化镓功率管都没给出三阶的曲线，我先问一下大家一般经验值是什么样的曲线？
2020-09-27 09:51:14
简介 AKE（旭化成）的HG106A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅
2013-08-22 16:11:17
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 650Ω-850Ω的极低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装，4,000
2013-06-19 17:00:47
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 1800Ω-3000Ω的较低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装
2013-06-17 17:05:35
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 1000Ω-2000Ω的较低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装
2013-05-20 11:41:47
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 650Ω-850Ω的极低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装，4,000
2013-05-21 14:45:25
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 1800Ω-3000Ω的较低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装
2013-05-21 14:41:41
南京诺兹尔通信技术有限公司成立于2006年，公司成立以来一直从事射频/微波组件的研发、生产和销售。公司在5年多的运作过程中积累了大量有关射频/微波元器件采购渠道的人脉，在去年7月1号正式成立元器件
2012-03-31 11:28:39
的。除了高可靠性外，性能也必须具有最高水准，在至少十年时间内尽量减小性能的劣化(见图)。在为太空应用设计任何射频/微波元件或子系统时确保可靠性是很重要的一步，但这只是电子器件可以认为是“合格太空”品之前
2019-06-21 07:36:54
。公司在0.25微米的pHEMT制程拥有领先技术，在制程缩微方面，也已经切入0.1微米领域，高阶制程持续领先同业。
稳懋为全球第一大砷化镓晶圆代工厂,制程与技术都自行开发而非客户技转( 宏捷科由
2019-05-27 09:17:13
半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感，就可以采用SiGe半导体技术集成高质量无源部件。此外，通过控制锗掺杂还可设计器件随温度的行为
2016-09-15 11:28:41
在微波炉拆后，如何来安全的检测半数字化电脑面板结构中，电子器件，及常规故障的反应点
2018-12-22 06:38:07
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
微波器件是现代通信中的重要电子器件，在移动通信基站中有广泛应用。特别是波导等微波信号传输结构，由于对信号的损耗有严格要求，因此，要求微波产品的各个制造环节都要有严格的工艺控制，以保证整机产品的通信
2019-08-19 06:19:29
硅的µamb产生过大的串联电阻，已开始使用µamb值更大的材料，例如砷化镓(GaAs)。对于毫米波(mmW)应用，即便使用µamb值更大的砷化镓也存在缺点。为了满足在毫米波频率下对更优电阻和更低电容
2018-03-22 10:59:54
的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类
2016-11-27 22:34:51
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？
2021-05-21 07:05:36
了类似高电子迁移率晶体管（HEMT）的氧化镓。这类器件通常由砷化镓（GaAs）或氮化镓制成，是手机和卫星电视接收器的重要射频支柱。这类器件不是通过体半导体的掺杂沟道导电，而是通过在两个带隙不同的半导体
2023-02-27 15:46:36
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
XU1006-QB砷化镓变送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 发射器在整个频段具有 +17.0 dBm 输出三阶截距。该器件是一个平衡的电阻式 pHEMT 混频器，后跟一个
2022-12-28 15:31:26
高线性度与优异温度特性的砷化镓霍尔元件-JM8630 替代HG-166A 产品描述：JM8630是一款高线性度与优异温度特性的砷化镓霍尔元件，可替代旭化成HG-166A。砷化镓（GaAs
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化镓匹配 GaAs SPST 开关 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射频开关
2023-04-18 15:19:22
用于电动摩托 砷化镓+ Si混合可编程线性霍尔IC-GS302SA-3产品概述：GS302SA-3通过磁场强度的变化，输出等比例霍尔电势，从而感知电流及线性位移，广泛用于电流传感器、线性马达等。由于
2023-05-31 10:02:47
FLK017XP型号简介Sumitomo的FLK017XP芯片是一种功率砷化镓场效应管，设计用于Ku频段的通用应用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
ADPA7009CHIP：重塑微波领域的强大力量ADPA7009CHIP，一款砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)微波单片集成电路(MMIC)分布式功率放大器，凭借其卓越的性能，在
2024-01-14 22:56:26
ADL8106ACEZ：重塑微波领域的强大力量ADL8106ACEZ是一款突破性的砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)微波单片集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。其卓越的性能
2024-01-14 22:58:46
本文开始介绍了微波器件的分类与微波器件的作用，其次介绍了微波器件的应用，最后介绍了微波遥感器件理论的研究现状与微波遥感器件的发展趋势进行了分析。
2018-02-08 11:39:42
21155 本文开始介绍了什么是微波器件以及微波器件的分类，其次介绍了微波器件的作用，最后介绍了微波器件的应用及微波开关在微波无源器件自动化测试中的应用案例。
2018-02-08 16:44:2713873 射频微波器件是无线通信、卫星通信、军事和医疗领域的关键组成部分。在这个竞争激烈的市场中，启源微波以其创新的产品系列、卓越的性能和卓越的客户服务一直处于行业的前沿。 为什么选择启源微波的射频器件
2023-11-15 18:24:55256 微波器件 （Microwave Devices）是指工作在微波波段 (300MHz ~ 300GHz)的器件，常应用在信号发送机、信号接收机、雷达系统、手机移动通信系统等电子产品中。微波器件包括微波真空器件、微波半导体器件等，由于后者的可集成性，本词条主要描述后者。
2024-01-03 09:52:47314
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