国产氮化镓实现新突破，1200V的氮化镓器件有何优势？

昨天，国产氮化镓实现了新的突破——广东致能科技有限公司成功推出了1200V的氮化镓器件，具有几个突出优势：

1、  电压裕量大——本征击穿已经达到2400V。

2、  高可靠性——通过严苛的动态导通电阻测试。

3、 采用独特的外延技术，器件成本更低，有望帮助工业电源、电信电源、数据中心乃至新能源汽车降低系统成本。

4、  基于国内自有晶圆线，交期和研发配合更有保障。

5、  采用常用的栅极驱动器，更易于使用。

致能科技1200V氮化镓击穿电压达到2400V

致能科技：

推出2款1200V 氮化镓

11月8日，致能科技宣布，他们完成了首个1200V D-Mode高可靠性氮化镓平台，在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可广泛用于工业、新能源、以及汽车等领域。

据了解，致能科技是由海外归国专家于2018年12月联合创办，公司专注于新型硅基氮化镓芯片及其共封装器件研发生产。该公司产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的650V和1200V氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案，专注于车规、新能源、工业、数据中心、大功率消费等市场。

根据公告，致能科技已经开发出了2款1200V的氮化镓器件，其中ZN120C1R070W 采用TO-247 封装，导通电阻为70mΩ ；ZN120C1R300P 采用 TO-220 封装，导通电阻为300mΩ。

这两个型号产品均结合了致能最新的高压氮化镓 HEMT 和低压硅 MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。

1200V具备高可靠性 

还实现3300V突破

众所周知，GaN 功率晶体管的关键问题之一是它们在开关操作期间的动态导通电阻 (RDS(ON)) 增加，这会影响 GaN 功率晶体管和整个系统的可靠性。

据致能科技介绍，他们的1200V氮化镓器件具有几个关键优势，例如：通过JEDEC认证和严苛的动态导通电阻测试，具有非常宽的栅极安全裕度、反向传导能力以及较低的栅极电荷。并且他们还透露，基于下一代技术持续挑战3300V平台，已经实现了重大突破。

致能科技1200V氮化镓的可靠性数据

现阶段，主流的氮化镓开关器件的电源为650V左右，部分厂商推出了900V器件，但普遍停留在低压应用。像工业、数据通信和光伏等新能源领域通常使用的三相电力系统，这些应用的PFC电路输出电压达到800V，需要1200V的开关器件，目前能够满足需求的GaN开关器件并不多。

因此，致能科技的1200V氮化镓器件具有标志性意义，这些应用可以受益于1200V GaN 器件更高的功率密度和可靠性，以更合理的成本获得更好的性能。

并且，1200V氮化镓器件未来也有望应用新能源汽车领域，尤其是能够满足800V充电电压的发展趋势，1200V氮化镓平台非常适合车载充电器、DC-DC 转换器、驱动逆变器。

据“行家说三代半”了解，致能科技可以提供2种衬底（硅和蓝宝石）的1200V氮化镓器件，器件成本优势明显。而且2022年5月，致能的徐州氮化镓生产线已经满线开工，自主产线能够为客户提供更好的产能保障。

审核编辑：黄飞