碳化硅(SiC),通常被称为金刚砂,是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在,但其出现相对罕见。然而,自从1893年以来,粉状碳化硅就已大规模生产,用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史,主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02887 。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大,但是在超过200V的工作电压场合,普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管,近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
一样,可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是: (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
了。 固有优势加上最新进展 碳化硅的固有优势有很多,如高临界击穿电压、高温操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近,UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代SiC-FET器件已经
2023-02-27 14:28:47
讨论一下SiC器件。 碳化硅,不那么新的材料 第一次记录在案的SiC材料实验是在1849年左右,这种材料已经广泛用于防弹背心或磨料。IGBT的发明者之一早在1993年就讨论了与硅(Si)器件相比
2023-02-24 15:03:59
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购!碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
200V,但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
92%的开关损耗,还能让设备的冷却机构进一步简化,设备体积小型化,大大减少散热用金属材料的消耗。半导体LED照明领域碳化硅(SiC)在大功率LED方面具有非常大的优势,采用碳化硅(SiC)陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物,原子间结合的键很强,它具有以下一些独特的性能,因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都
2018-11-29 14:43:52
明显优势,可以用来做成高耐压的肖特基二极管,目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管:以金属为阳极,以N
2023-02-28 16:55:45
,能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点,应用开关频率可达到1MHz,在高频应用中优势明显,其中碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言,半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比,故在相似的功率等级下,SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
)------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题:罗姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播时间:2018
2018-07-27 17:20:31
,利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件,可以降低驱动器损耗,提高开关频率,降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET,验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。
一、 SiC的材料优势
碳化硅(SiC)作为宽禁带材料相较于硅(Si)具有很多优势,如表1所示:3倍的禁带宽度,有利于碳化硅器件工作在更高的温度;10倍
2023-10-07 10:12:26
)法”和“氨热法”。“Na Flux(钠助溶)法”的优势是可使晶圆实现较大的尺寸、较高的质量;“氨热法”的优势是可提高晶圆质量。二者融合后,可以获得比碳化硅成本更低的的氮化镓晶圆。据森教授表示,使用由
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响,该如何选择呢?首先
2022-03-29 10:58:06
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料,可以显著降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率,同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性,从而降低了电源系统的整体架构。与过去几十年相比
2022-06-13 11:27:24
能动力碳化硅二极管ACD06PS065G已经在倍思120W氮化镓快充中商用,与纳微GaNFast高频优势组合,高频开关减小磁性元件体积,提高适配器功率密度。创能动力是香港华智科技有限公司孵化出来的公司
2023-02-22 15:27:51
降低到75%。 表 2:SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅电源模块才能用基于TO器件的电源设计取代耗时的生产流程。SiC的特定特性需要优化换向电感和热性能。因此,可以提高性价比,并充分利用SiC的优势,使应用受益。
2023-02-20 16:29:54
混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)。基本半导体的碳化硅肖特基二极管采用的主要是碳化硅 JBS工艺技术,与硅 FRD对比的主要优点有: 图9 二极管反向恢复
2023-02-28 16:48:24
,碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的优势,但代价是在某些方面参数碳化硅MOSFET性能比较差。这就要求设计人员需要花时间充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能,并考虑如何向新拓扑架构过渡。有一点
2023-03-14 14:05:02
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
的门槛变得越来越低,价格也在逐步下降,应用领域也在慢慢扭转被海外品牌一统天下的局面。据统计,目前国内多家龙头企业已开始尝试与内资品牌合作。而SiC-MOSFET, 当前国内品牌尚不具备竞争优势。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
范围-5V~-15V,客户根据需求选择合适值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 优先稳定正电压,保证开通稳定。 2)碳化硅MOSFET:不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
可能陷入热失控状态。而SiC-SBD随着温度升高,VF变高,不会热失控。但是VF上升,因此IFSM比Si-FRD低。SiC-SBD的优势从SiC-SBD的这些特征可以看出,替代Si-PND/FRD
2019-07-10 04:20:13
,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。但随着半导体技术的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关,通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05
蓝宝石(Al2O3),硅 (Si),碳化硅(SiC)LED衬底材料的选用比较
对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用
2009-11-17 09:39:204932 碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC),俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不过,自 1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:4554 很长的路要走。那为什么SiC器件这么受欢迎,但难以普及?本文简单概述一下碳化硅器件的特性优势与发展瓶颈!
2017-12-13 09:17:4421987 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:006437 相较于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能优势十分的显著,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。
2018-10-10 11:06:5627462 碳化硅半导体 一、碳化硅材料的特性 SiC(碳化硅)是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体。与 Si 相比,SiC 具有十倍的介电击穿场强、三倍的带隙和三倍的热导率。在半导体材料中形成器件结构
2021-06-15 17:27:148206 宽禁带半导体材料,与硅(Si)相比,碳化硅的介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高。因此,当其用于半导体器件中时,碳化硅器件拥有高耐压、高速开关、低导通电压、高效率等特性,有助于降低能耗和缩小系统尺寸。从这些优势看来
2021-08-20 09:23:534142 碳化硅 (SiC) 具有提高电动汽车整体系统效率的潜力。在太阳能行业,碳化硅逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 碳化硅(SiC) 是第三代半导体,相较于前两代半导体(一代硅,二代砷化钾)碳化硅在使用极限性能,上优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。
2023-01-16 10:22:08412 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅二极管的优势
1.宽禁带提高了工作温度和可靠性
宽禁带材料可提高器件的工作温度,6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高达3.0eV和3.25eV,相应本征温度高达
2023-02-03 14:00:34369 以碳化硅(silicon carbide,SiC)为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最为合适。
2023-02-04 14:25:251014 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。
2023-02-08 13:42:083923 碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式,在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C两种原子存在,需要非常特殊的栅介质生长方法。
2023-02-09 09:51:231810 sic碳化硅电机 碳化硅(SiC)器件损耗小、耐高温并能高频运行,被公认为将推动新能源汽车领域产生重大技术变革。世界各工业强国和大型跨国公司纷纷投入了大量的人力物力,特斯拉等国外车企开发的SiC电机
2023-02-17 14:10:171499 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319 碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 宽带隙半导体使许多以前使用硅(Si)无法实现的高功率应用成为可能。本博客比较了两种材料的特性,并说明了为什么碳化硅二极管(SiC)在多个指标上具有明显的优势。
2023-08-04 11:04:17489 碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料家族。
2023-08-12 11:46:08471 如今,大多数半导体都是以硅(Si)为基材料,但近年来,一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅,也称为SiC。目前,SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。
2023-09-05 10:56:05277 硅碳化物(SiC)技术已经达到了临界点,即无可否认的优势推动一项技术快速被采用的状态。
2023-09-07 16:13:00661 与传统的硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他技术相比,碳化硅(SiC)技术具有更多优势
2023-09-12 09:45:57259 宽带隙半导体使许多以前使用硅(Si)无法实现的高功率应用成为可能,两种材料的特性说明了为什么碳化硅二极管(SiC)在多个指标上具有明显的优势。
2023-10-30 14:11:06976 在逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷却要求和更低的整体系统成本等优势。
2023-11-07 09:45:59434 硅是半导体的传统材料,但其近亲碳化硅(SiC)最近已成为激烈的竞争对手。碳化硅的特性特别适合高温、高压应用。它提供了更高的效率,并扩展了功率密度和工作温度等领域的功能。
2023-11-10 09:36:59483 碳化硅(SiC)技术比传统硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他技术更具优势,包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的损耗,从而提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍碳化硅的发展趋势及其在储能系统(ESS)中的应用,以及Wolfspeed推出的碳化硅电源解决方案。
2023-11-17 10:10:29393 碳化硅(SiC)具有更低的阻抗和更宽的禁带宽度,使其能够承受更大的电流和电压,同时实现更小尺寸的产品设计和更高的效率。
2023-12-11 11:48:24392 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 碳化硅陶瓷应用在光纤领域的优势有哪些? 碳化硅陶瓷是一种具有广泛应用潜力的材料,特别是在光纤领域。以下是碳化硅陶瓷在光纤领域的优势。 1. 高温稳定性:碳化硅陶瓷具有出色的高温稳定性,能够在极端环境
2023-12-19 13:47:10155 碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性: 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357 随着电力电子技术的飞速发展,碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其独特的物理特性,如高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等,在功率器件领域展现出巨大的应用潜力。本文将对SiC功率器件的优势、应用及发展进行深入探讨。
2023-12-28 09:25:56152 在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29188 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 ,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工
2024-02-21 18:24:15412 平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31337
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