如何将碳化硅成本将下降30%

在全球新能源转型的大环境下，碳化硅半导体迎来了历史性的大机遇，很多人都想了解近年来国产SiC衬底和外延的取得了怎样成绩，未来的市场需求如何？

碳化硅材料在未来5至10年内，市场前景会更远大。国产SiC材料的发展方面，国际大厂对国产碳化硅衬底和外延逐渐认可，也说明国产材料的进步还是比较明显的。

国产碳化硅产业链（从上游材料端到器件端）为提高碳化硅性价比做了很多工作。与此同时，国内各个厂家也在积极扩产。这几年，碳化硅衬底、外延产能提高得很快，整个市场会快速进入到价格甜蜜点，能够跟硅基功率器件形成良性竞争关系。最近3至5个月的需求反馈来看，整个市场还是比较健康的，在快速的往前发展。

国产碳化硅材料的进展方面，国产衬底，特别是头部企业的衬底质量是相当不错的，可以和进口衬底相媲美。国产外延材料性能，无论从流片、良率，还是从器件的可靠性来讲，都能够与国际水平相媲美。外延材料完全可以实现国产替代。

国内企业率先在半绝缘衬底方面取得了非常快的进展。而在导电型衬底方面，2021-2022年国内各个衬底厂商的外部的应用需求迅速增长，同时在各项指标上已经得到了下游端客户的验证。

其实国内衬底已经被应用在主驱SiC MOSFET上，而且英飞凌与天岳、天科签单，天岳亦与博世签约，说明我们国内的衬底被国际大厂认可，未来我们在国际市场的份额也会越来越大。

碳化硅材料其实在国内只经历了十几年的发展时间，很多环节都不是特别的成熟，每个环节都有提高空间。如果任何一个环节都能提高一点点的话，将使得终端产品的成本控制得到显著改善。

国产SiC在加工良率方面还有待提高。目前碳化硅晶体加工是短板，期待切磨抛等设备能够有新的突破。将来8英寸碳化硅单晶如果能用上激光剥离工艺，将能够极大提高成本的控制能力，期待加工设备的更新以及新的工艺方法。

降低成本还有一个很重要的点：耗材的国产化，例如等静压石墨材料这2年需求比较紧缺，价格涨幅每年都达到8%～10%，价格居高不下，而且供应量也得不到保障。然而，后段外延和器件厂商端要求国内衬底每年进行8%～10%的降本，因此，原材料的国产化的替代步伐和进程还要加快。

大厂们对8英寸SiC持着比较激进的态度，近2年国内衬底厂商在8英寸上也不遗余力地加快速度，而且国内不少厂家也已经将产品拿给国际器件大厂做验证。所以今年是8英寸产品的验证年，2024年会进入小批量生产，2025年国际大厂可能会实现量的释放。而国内8英寸产品上量可能到2027年，但也可能提前。

审核编辑：黄飞