,并签订战略合作协议,合作内容包含了基于某些客户的需求,进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块,及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。 Introduction 碳化硅功率半导体近年来在能源转换
2020-11-24 11:51:471754 前进。碳化硅器件的这些优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,而现有的传统
2022-11-12 10:01:261315 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围
2021-07-28 14:47:031361 。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件(如 TO-247)是将碳化硅集成到各种应用中的第一步,但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
作用下的界面完整性;此项目标准对碳化硅功率模块而言很苛刻,尤其是应用于汽车的模块。AC/PCT(高温蒸煮测试) 高温蒸煮测试是把被测对象放进高温高湿高气压的环境中,考验晶片钝化层的优良程度及树脂材料
2023-02-28 16:59:26
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
)新的650V碳化硅器件有助于在几个方面降低成本。与硅基650V MOSFET相比,碳化硅器件的导通损耗降低了50%,开关损耗降低了75%,而功率密度提高了三倍,因此,不仅可以实现更高效率,而且还可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板;在引擎室中,由于高温环境和LED 灯源的散热要求,现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求,需要散热性能更好碳化硅电路板,例如斯利通碳化硅基板;在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
明显优势,可以用来做成高耐压的肖特基二极管,目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管:以金属为阳极,以N
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品,具有极高的工作效率,性能优越达到国际先进水平,可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。功率附加效率为69.5%,这使
2018-11-15 11:59:01
:TGF2954产品名称:碳化硅晶体管TGF2954产品特性频率范围:直流- 12 GHz44.5dBm nominal Psat at 3GHz71.6%在3 GHz的PAE19.6db标称功率增益在3
2018-11-15 14:01:58
:TGF2955产品名称:碳化硅晶体管TGF2955产品特性频率范围:直流- 12 GHz46.4dbm名义PSAT在3 GHz69%在3 GHz的PAE19.2db标称功率增益在3 GHz拜厄斯:VD = 32V
2018-11-15 14:06:57
。 04 结 论 引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET,避免了驱动回路和功率回路共用源极线路,实现了这两个回路的解耦。同时,TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成
2023-02-27 16:14:19
)------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题:罗姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播时间:2018
2018-07-27 17:20:31
项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
处于领先地位。氮化镓功率半导体虽然适用性极高,但依然面临三项社会问题仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
组件来实现产品设计。也因为消费性市场存在可观的潜在需求,相较于碳化硅组件基本上是整合组件制造商(IDM)的天下,氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。不过,氮化镓阵营的业者也有问鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
,获得华大半导体有限公司投资,创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块,并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中,可实现相比硅元器件更高的工作温度,实现双倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之间,在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET,可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡,具有重要的应用价值,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器,如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一块 DBC 板上,使半桥模块面积仅为 TO-247 单管大小,极大地减小了驱动回路和功率回路的寄生电感参数。阿肯色大学则针对碳化硅芯片开发了相关的 SiC CMOS 驱动
2023-02-22 16:06:08
功率器件产品和专业服务。 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司,泰科天润目前在北京已建成国内第一条完整的4~6寸碳化硅器件量产线,可在SiC外延上实现半导体功率器件的制造工艺。 泰科天润
2018-03-12 14:55:36
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
MOSFET 的单通道驱动核,可以驱动目前市面上大部分 1700V 以内的单管碳化硅 MOSFET, 该驱动核设计紧凑,通用性强。 3、电源模块 Q15P2XXYYD 是青铜剑科技自主研发的单通道
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
越长,损失的功率就越多。图 2:MOSFET 导通特性和米勒高原当碳化硅MOSFET开关时,栅源电压(V 一般事务人员 ) 通过门到源阈值 (V 总金 ),钳位在米勒平台电压(V PLT ),并且停留在
2022-11-02 12:02:05
G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数,易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:191 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的产品更加丰富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品
2018-10-23 11:34:375600 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:414694 7月29日,基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳成功举行,搭载自主研发碳化硅模块的测试车辆正式启程。
2021-07-30 15:55:331835 Inc.(美国微芯科技公司)宣布扩大其碳化硅产品组合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。 Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率,之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用
2021-08-12 11:14:191807 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 高端数字化智能工厂。 该基地将于2022年3月进行小批量试生产,年中实现量产交付,2022年产能为25万只模块,2025年之前将提升至150万只。 本文图源 基本半导体 这是基本半导体针对即将迎来爆发期的新能源汽车碳化硅市场,提前布局、抢
2021-12-31 10:55:432797 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”;额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024606 Agarwal 的播客中,我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章: 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品:TDK-Lambda CUS350MP-1000医疗和工业电源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模块。
2022-08-04 09:51:111460 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。
2022-10-14 17:52:065310 日本媒体报道称日本罗姆(ROHM)12月将开始量产下一代功率半导体。原材料是碳化硅(SiC),罗姆花费约20年推进了研发。据称,罗姆在福冈县筑后市工厂的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产
2022-11-28 16:51:24498 据了解,东风汽车总投资 2.8 亿元的功率模块二期项目目前正在加速推进中。据悉,该项目一方面优化现有产线,提高 IGBT 模块产量,另一方面开辟两条全新产线,按订单需求生产 IGBT 模块及碳化硅功率模块。到 2025 年,每年可为东风新能源汽车生产提供约 120 万只功率模块。
2022-12-22 15:39:46650 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021981 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口,也是一个很大的挑战,那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么?碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上,浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:452 下面我们拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件说明。碳化硅 (SiC)二极管采用全新技术,提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。目前主流的能量产而且性能稳定的碳化硅二极管电压为650V
2023-02-21 09:59:541184 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件,由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件,采用现代半导体技术制造而成,可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关,适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:222180 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 当前,全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势,碳化硅材料七成以上来自美国公司,欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链,日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
2023-08-15 10:07:41260 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21969 11月27日,瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω,
2023-11-30 09:39:18756 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势,主要体现在以下几个方面:材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09286 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅(Silicon Carbide,简称SiC)器件封装与模块化是实现碳化硅器件性能和可靠性提升的关键步骤。
2024-01-09 10:18:27114 材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩散。因此,在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14294
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