Hanebeck表示，“GaN技术为更节能、更节约二氧化碳的脱碳解决方案铺平了道路。在移动充电、数据中心电源、住宅太阳能逆变器和电动汽车车载充电器等应用领域的采用正处于转折点，这将导致市场的动态增长。” 为什么是GaN Systems？ 官网信息显示，作为一家GaN功率半导体厂商
2023-03-06 07:57:00
1583 大家清晰的了解GaN产品。 1．从氮化镓GaN产品的名称上对比 如下图所示，产品GaN标示图。纳微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英诺赛科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0023135 
NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 衬底上的同质外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化镓或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下工作，这将催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:064235 
100 V GaN FET 在 48 V 汽车和服务器应用以及 USB-C、激光雷达和 LED 照明中很受欢迎。然而，小尺寸和最小的封装寄生效应为动态表征这些功率器件带来了多重挑战。本文回顾了GaN半导体制造商在表征这些器件方面面临的挑战，以及一些有助于应对这些挑战的新技术。
2022-10-19 17:50:34789 
10 月 25 日，英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案
2023-10-25 11:38:30189 
功率半导体公司GaN Systems宣布，参加IEEE国际电力电子与应用会议和博览会（PEAC）的细节。该国际活动专注于电力电子、能源转换和应用，将于2018年11月4-7日在中国深圳举办。
2018-10-29 09:59:271402 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。
2020-03-16 15:04:331201 D类放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增强型高电子迁移率晶体管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的岛技术 （Island Technology®） 单元布局以减小器件尺寸和成本，同时提供比其他GaN器件更高的电流和更优异的性能。
2020-07-06 14:10:191025 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年10月，英飞凌以8.3亿美元完成对功率GaN公司GaN Systems的收购，成为了功率GaN领域史上最大规模的一笔收购，这笔收购的价值甚至比2022年整个功率
2023-11-10 00:24:001758 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年1月，美国GaN初创公司NexGen Power Systems突然被曝人去楼空，工厂被关闭，据消息称该公司在2023年圣诞节前夕就已经破产倒闭。NexGen成立
2024-02-07 00:08:004771 年出货量占功率GaN市场的9%，仅次于GaN Systems。而在这次收购之后，此前全球出货量排名前六的功率GaN厂商已经有两家被大厂并购。 功率GaN并购逻辑 根据官方说法，英飞凌收购GaN
2024-02-26 06:30:001553 
FET器件的设计可能是主要由于棘手的栅极驱动电路而具有挑战性的。除了向GaN功率FET提供正确的栅极驱动电压之外，电路还必须为过压驱动或欠压条件提供保护。3.具有两个GaN FET的LMG5200
2017-05-03 10:41:53
受到关注。因此，这些设备可能存在于航空航天和军事应用的更苛刻条件下。但是这些行业对任何功率器件（硅或GaN）都要求严格的质量和可靠性标准，而这正是GaN HEMT所面临的问题。氮化镓HEMT与硅
2020-09-23 10:46:20
GaN为何这么火?原因是什么
2021-03-11 06:47:08
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客户问我关于氮化镓（GaN）可靠性的问题：“JEDEC（电子设备工程联合委员会）似乎没把应用条件纳入到开关电源的范畴。我们将在最终产品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
领域的热点。
如图1所示，GaN材料作为第三代半导体材料的核心技术之一，具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN器件具有击穿电压高、开关速度快、寄生参数低等优良特性
2023-06-25 15:59:21
价值的市场分析。很难弄明白GaN参与者在开发过程中所起的作用，因此这些更新信息仅供参考。市场分析结束后之后，我们接着讨论了Ionel Dan Jitaru所做的一个电力转换性能分析。我并没有看出它与2013 APEC上提交的论文有多大区别，但新手们可能已经从中受益…
2022-11-16 08:05:34
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
, and isolated power supplies. This compact reference design is intended to control GaN in power
2018-09-21 08:37:53
已听到我们的行业代言人宣布，“GaN将迎来黄金发展时间。”这一公告似乎在暗示，GaN已准备好出现在广大听众、用户或为数众多的应用面前。这也表明，GaN技术已经如此成熟，不能认为它是一个有问题的技术
2018-08-30 15:05:41
”就是把手机收起来的意思；最后，我们终于可以起飞了。我们的行业发言人已经宣布，“GaN已经为黄金时间做好了准备。”这个声明似乎预示着GaN已经为广泛使用做好准备，或者说在大量的应用中，已经可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么规格GaN
2021-12-26 19:57:19
系统成本上的优势将能越来越多地可以抵消GaN器件所需增加的额外成本。随着GaN器件的可靠性和在服务成本上节省效应变得越来越令人信服，我们预计它的初始推动力将主要来自于高端工业、商业的烹饪和解冻市场。当
2017-04-17 18:19:05
效率、紧凑尺寸和可靠性等方面取得恰当的平衡，在价格上能与 LDMOS器件相媲美，才能进入到主流的市场应用中。固态器件的优势MACOM公司的硅上GaN 技术是所有这些射频能量应用的理想选择，它能
2017-05-01 15:47:21
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。 相较于以往使用的硅晶体管，氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压
2018-09-11 14:04:25
作者： Steve Tom在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于以往使用的硅晶体管，氮化镓 (GaN) 可以让
2018-09-10 15:02:53
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 基板的表面处理编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html关键词： GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
镓(Ga) 是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面对GaN在测试方面的挑战？
2021-05-06 07:52:03
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
图像生成对抗生成网络ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48:41
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
描述基于 PCB 的特斯拉线圈 GaN 版
2022-07-01 08:37:14
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-03-01 09:52:45
您已了解GaN晶体管出色的性能，您很兴奋。样品总算来到，您将它们放入板中。您打开电源，施加负载，结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的开关问题。这些晶体管不好。真遗憾。为何出现这种情况？有没有可能遗漏了什么？如何正确理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
。这一增长势头将持续下去，到2020年，LTE用户数将达25亿。 移动网络运营商面临着诸多挑战，一方面要快速扩容以支持增量用户，另一方面则要尽量减少网络中断并降低成本。长期而言，5G网络有望大幅提升
2018-12-05 15:18:26
的机遇和挑战等方面，为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会。诚挚欢迎大家的参与。1、活动主题宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用2
2017-07-11 14:06:55
GAN的数学推导和案例应用
2020-04-13 09:34:52
数字电视市场面临哪些挑战我国是消费类电子的制造大国，据CCID预测，我国2008年有望成为世界最大的消费电子产品制造国。同时作为电视机的主要制造国，我国数字电视业也正在厉兵秣马，只待一触即发。任何
2010-03-10 17:03:50
无线通信行业对5G市场的愿景和该市场面临的技术挑战是什么？BEE7原型设计环境的具体方面和设计过程中需要做出的部分利弊权衡和设计决策
2021-05-21 06:09:06
power amplifier simulation, I need a GaN device for that. Please give your suggestions.
2019-01-17 15:55:31
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
更好地处理热量，其热导率高达5 W-cm-1K-1（与硅的1 W-cm-1K-1相比）。但对于PA 电路级，这意味着设计人员必须在考虑所有其他设计挑战的同时考虑散热问题，而GaN 模型可以提供帮助。从
2018-08-04 14:55:07
GaN电源管理芯片市场将增长快速
据iSuppli公司，由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长，氮化鎵(GaN)电源管理半导体市场到2013年
2010-03-25 10:12:471143 
The LMG3410 Single-Channel Gallium-Nitride (GaN)Power Stage contains a 70-mΩ 600-V GaN power
2016-10-17 11:34:43
27 今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃，GaN逐渐成为主流，开始渗透一些批量需求的商业市场。 GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟，并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。
2016-12-14 02:16:114541 浙江大学近期首次报道了没有电流折叠（即没有动态导通电阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。这款功率整流器即使在从高反向应力偏置切换到500V后也仅需200ns，性能也超过了目前最先进的硅（GaN-on-Si）器件上的横向氮化镓。
2018-10-26 17:28:514990 产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联FET等产品，面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力电子器件工艺两大类。
2019-02-03 12:54:0011330 出现，但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。GaN-on-SiC目前主导了RF GaN市场，已渗透到4G LTE无线基础设施市场，预计将部署在5G sub-6Ghz的RRH架构中。
2019-05-09 10:25:184319 
GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平台可作为D类放大器板（GS-EVB-AUD-AMP1-GS）单独销售，也可以与开关电源（SMPS）板（GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS）捆绑销售。
2020-08-24 16:23:212630 GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 HMC1087F10：8瓦特佛山Gan MMIC Power Power，2-20 GHz数据Sheet
2021-04-23 17:32:115 依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管
2021-07-14 16:46:55959 氮化镓（GaN）功率半导体的全球领导者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生态系统不断壮大，通过加速全球可持续发展和清洁技术革命，应对净零排放挑战，中和二氧化碳（CO2）和其他温室气体的排放。
2021-12-21 13:54:03564 近年来智能快充市场爆火，GaN给智能快充领域带来不少新机会，同时也进入多个新应用场景。如何通过GaN更好地发展智能快充成为行业内广大厂商面临的重大挑战。
2022-07-14 14:44:10816 发明了 HexFET并与国际整流器一起推向市场。 我们的 GaN 体验始于 2014 年夏天，当时我们参加了 Google 的 Little Box Challenge。我们知道 GaN，但担心
2022-08-01 11:18:04513 GaN 晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 进行实验。
2022-08-05 08:04:55881 
GaN 是一种高带隙材料，与硅相比，它允许器件在更高的温度下运行并承受更高的电压。此外，GaN 更高的介电击穿允许构建更薄且因此电阻更低的器件。较低的特性 R DS(on)导致具有较低电容的较小器件。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下运行。
2022-08-08 10:04:591273 
依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN
基准垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:380 该公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月发布的700V 和 1200V样品。
2023-07-04 11:47:58211 GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25660 
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52263 英飞凌科技集团今天宣布，对GaN Systems Inc.的收购已经完成。这家总部位于渥太华的公司提供广泛的氮化镓(GaN)电源转换解决方案和尖端应用专业知识。已获得所有必要的监管批准，截至
2023-10-25 14:51:13479 德国慕尼黑和加拿大渥太华讯——英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。
2023-10-25 18:24:47326 10 月 25 日消息，英飞凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），并号称“成为领先的氮化镓龙头企业”。 英飞凌表示，这家总部位于加拿大
2023-10-26 08:43:52207 的应用前景。然而，由于其特殊的材料性质，GaN的驱动电路面临着一些挑战。为了克服这些挑战并实现GaN驱动电路的突破，需要采取一些技术手段和设计技巧。 首先，由于GaN具有较高的开关速度和能力，因此在驱动电路设计中需要考虑高频响应和快速
2023-11-07 10:21:44513 GaN 如何改变了市场
2023-12-06 17:10:56186 
报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
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